{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET naudoja silicio karbido našumo galimybes, nes leidžia sumažinti energijos nuostolius, o tai lemia didesnį efektyvumą konvertuojant energiją. Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET suteikia privalumų įvairiose galios puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, fotovoltiniuose įrenginiuose, energijos kaupikliuose, DC elektromobilių įkrovimo sistemose, variklių pavarose ir pramoniniuose maitinimo šaltiniuose. DC greitojo įkrovimo stotelė elektromobiliams su CoolSiC G2 užtikrina iki 10 % mažesnius energijos nuostolius nei ankstesnės kartos stotelės, o įkrovimo pajėgumas yra didesnis nekeičiant formos.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 53

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Tranzistoriaus poliškumas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 17,72 €
1 165Prieinamumas
1 500Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMDQ65R010M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R010M2HXUM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 165Prieinamumas

1 500Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

17,72 €

15,12 €

13,08 €

Ritė

13,06 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

N-Channel

1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5,25 €
731Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R075M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R075M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

731Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,25 €

3,67 €

2,98 €

2,66 €

Ritė

2,25 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 4,45 €
725Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMLT65R075M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R075M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

725Prieinamumas

Pjaunama Juosta

4,45 €

3,27 €

2,64 €

2,35 €

2,01 €

Ritė

2,00 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 800

SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 5,19 €
800Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R075M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R075M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

800Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,19 €

3,63 €

2,93 €

2,61 €

Peržiūrėti

Ritė

2,24 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

TOLL-8

650 V

75 mOhms

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 4,54 €
737Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMTA65R075M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R075M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

737Prieinamumas

Pjaunama Juosta

4,54 €

3,04 €

2,16 €

1,79 €

1,76 €

Ritė

1,76 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

LHSOF-4

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

95 mOhms

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

141 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9,28 €
155Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMTA65R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R026M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

155Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,28 €

7,27 €

6,05 €

5,39 €

Ritė

4,58 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7,92 €
145Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-02-16
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMTA65R033M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R033M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

145Prieinamumas

2 000Tikėtina 2026-02-16

Pjaunama Juosta

7,92 €

5,89 €

4,91 €

4,40 €

Ritė

3,73 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

N-Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5,36 €
86Prieinamumas
240Tikėtina 2026-07-09
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R075M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R075M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

86Prieinamumas

240Tikėtina 2026-07-09

5,36 €

4,10 €

3,32 €

2,95 €

2,52 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 5,85 €
218Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R075M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R075M2HXKS

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

218Prieinamumas

5,85 €

4,27 €

3,46 €

3,07 €

2,63 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R015M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 13,16 €
2 073Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMLT65R015M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R015M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

2 073Prieinamumas

Pjaunama Juosta

13,16 €

10,18 €

8,81 €

8,73 €

Ritė

8,72 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

15 mOhms

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 17,12 €
1 914Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R010M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R010M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 914Prieinamumas

Pjaunama Juosta

17,12 €

14,60 €

13,24 €

Ritė

12,08 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 6,03 €
1 992Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R050M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R050M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 992Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,03 €

4,41 €

3,57 €

3,17 €

3,08 €

Ritė

2,61 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,75 €
5 088Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R040M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R040M2HXKS

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

5 088Prieinamumas

7,75 €

4,56 €

3,86 €

3,73 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10,88 €
1 845Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMLT65R020M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R020M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 845Prieinamumas

Pjaunama Juosta

10,88 €

8,86 €

7,38 €

6,58 €

5,59 €

Ritė

5,59 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R050M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5,94 €
1 853Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMLT65R050M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R050M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 853Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,94 €

4,35 €

3,52 €

3,13 €

2,77 €

Ritė

2,76 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 800

SMD/SMT

TOLT-16

N-Channel

1 Channel

650 V

50 mOhms

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 8,31 €
1 756Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R033M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R033M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 756Prieinamumas

Pjaunama Juosta

8,31 €

6,18 €

5,15 €

4,62 €

Ritė

3,92 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 5,11 €
1 899Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R060M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R060M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 899Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,11 €

3,86 €

3,12 €

2,78 €

2,69 €

Ritė

2,28 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

N-Channel

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

IMW65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 9,09 €
282Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R033M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R033M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

282Prieinamumas

9,09 €

7,11 €

5,93 €

5,27 €

4,49 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

53 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

194 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8,02 €
511Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R040M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R040M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

511Prieinamumas

8,02 €

5,07 €

4,72 €

4,20 €

3,85 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

49 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

28 nC

- 55 C

+ 175 C

172 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMZA65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10,80 €
258Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R026M2HXKS

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

258Prieinamumas

10,80 €

8,07 €

6,98 €

6,60 €

5,62 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 24,23 €
1 178Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R007M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R007M2HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 178Prieinamumas

24,23 €

16,22 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

210 A

8.5 mOhms

- 18 V, + 18 V

5.6 V

439 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 18,10 €
364Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R010M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R010M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

364Prieinamumas

Pjaunama Juosta

18,10 €

15,44 €

13,35 €

Ritė

13,35 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

158 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9,82 €
980Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R026M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

980Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,82 €

8,00 €

6,67 €

5,94 €

Ritė

5,04 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8,69 €
285Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R033M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R033M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

285Prieinamumas

Pjaunama Juosta

8,69 €

6,60 €

5,50 €

4,89 €

Ritė

4,36 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5,89 €
456Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R060M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R060M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

456Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,89 €

4,32 €

3,49 €

3,12 €

Ritė

2,65 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Reel: 1 000

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W