{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET naudoja silicio karbido našumo galimybes, nes leidžia sumažinti energijos nuostolius, o tai lemia didesnį efektyvumą konvertuojant energiją. Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET suteikia privalumų įvairiose galios puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, fotovoltiniuose įrenginiuose, energijos kaupikliuose, DC elektromobilių įkrovimo sistemose, variklių pavarose ir pramoniniuose maitinimo šaltiniuose. DC greitojo įkrovimo stotelė elektromobiliams su CoolSiC G2 užtikrina iki 10 % mažesnius energijos nuostolius nei ankstesnės kartos stotelės, o įkrovimo pajėgumas yra didesnis nekeičiant formos.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 53

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 12,96 €
1 920Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R020M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R020M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 920Prieinamumas

Pjaunama Juosta

12,96 €

7,58 €

7,16 €

Ritė

7,16 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 21,23 €
256Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R010M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R010M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

256Prieinamumas

Pjaunama Juosta

21,23 €

14,28 €

13,89 €

Ritė

13,51 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

158 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

535 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12,09 €
888Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R026M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

888Prieinamumas

Pjaunama Juosta

12,09 €

6,92 €

Ritė

6,55 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

68 A

33 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 11,19 €
280Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R033M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R033M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

280Prieinamumas

Pjaunama Juosta

11,19 €

6,72 €

6,57 €

6,17 €

Ritė

5,44 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

58 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6,91 €
416Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R060M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R060M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

416Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,91 €

3,83 €

3,73 €

3,57 €

Ritė

3,13 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

1 Channel

650 V

34.9 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

148 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 6,27 €
798Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMBG65R075M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R075M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

798Prieinamumas

Pjaunama Juosta

6,27 €

4,23 €

3,07 €

2,92 €

Ritė

2,76 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

650 V

28 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

+ 175 C

124 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 16,42 €
901Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMDQ65R015M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R015M2HXUM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

901Prieinamumas

Pjaunama Juosta

16,42 €

10,28 €

10,08 €

Ritė

9,73 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

94 A

18 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

499 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 14,20 €
499Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMDQ65R020M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R020M2HXUM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

499Prieinamumas

Pjaunama Juosta

14,20 €

8,53 €

8,07 €

Ritė

8,07 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

97 A

24 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

394 W

Enhancement

SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9,80 €
909Prieinamumas
1 800Tikėtina 2026-11-05
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMLT65R033M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R033M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

909Prieinamumas

1 800Tikėtina 2026-11-05

Pjaunama Juosta

9,80 €

5,48 €

5,26 €

4,98 €

Ritė

4,98 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 800

SMD/SMT

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 5,63 €
846Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMLT65R075M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R075M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

846Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,63 €

2,98 €

2,73 €

2,39 €

Ritė

2,39 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 800

SMD/SMT

HDSOP-16

1 Channel

650 V

34.7 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

187 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 20,57 €
835Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-12-24
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R010M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R010M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

835Prieinamumas

2 000Tikėtina 2026-12-24

Pjaunama Juosta

20,57 €

13,71 €

12,98 €

Ritė

12,98 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

168 A

13.1 mOhms

- 7V, + 23 V

4.5 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

681 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 10,02 €
2 141Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-08-05
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R033M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R033M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

2 141Prieinamumas

2 000Tikėtina 2027-08-05

Pjaunama Juosta

10,02 €

5,61 €

5,42 €

5,13 €

Ritė

5,13 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

312 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 6,34 €
858Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-09-02
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R060M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R060M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

858Prieinamumas

2 000Tikėtina 2026-09-02

Pjaunama Juosta

6,34 €

4,28 €

3,11 €

2,96 €

2,77 €

Ritė

2,77 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

41.4 A

73 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

208 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 5,75 €
911Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R075M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R075M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

911Prieinamumas

Pjaunama Juosta

5,75 €

3,06 €

2,80 €

2,46 €

Ritė

2,46 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

TOLL-8

650 V

75 mOhms

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10,71 €
1 968Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMTA65R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R026M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 968Prieinamumas

Pjaunama Juosta

10,71 €

7,26 €

6,65 €

5,93 €

5,61 €

Ritė

5,61 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

650 V

79 A

33 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2

IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9,31 €
1 700Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMTA65R033M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R033M2HXTM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 700Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,31 €

5,18 €

4,92 €

4,65 €

Ritė

4,65 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

PG-LHSOF-4

650 V

68 A

41 mOhms

- 7 V to + 23 V

5.6 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

315 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 22,16 €
231Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R010M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R010M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

231Prieinamumas

22,16 €

14,27 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

130 A

13.1 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

440 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 12,81 €
538Prieinamumas
240Tikėtina 2026-09-09
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R026M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

538Prieinamumas

240Tikėtina 2026-09-09

12,81 €

7,21 €

7,06 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

64 A

33 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

227 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

IMW65R060M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,76 €
962Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R060M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R060M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

962Prieinamumas

7,76 €

4,53 €

3,82 €

3,81 €

3,61 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

32.8 A

73 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.6 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMW65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 7,23 €
486Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMW65R075M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R075M2HXKSA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

486Prieinamumas

7,23 €

3,90 €

3,59 €

3,10 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-3

1 Channel

650 V

26.6 A

95 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

14.9 nC

- 55 C

+ 175 C

111 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMTA65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12,55 €
10 336Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMTA65R020M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R020M2HXTM

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

10 336Prieinamumas

Pjaunama Juosta

12,55 €

7,27 €

6,87 €

Ritė

6,87 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

20 mOhms

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMZA65R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 30,13 €
994Prieinamumas

Gam. dalies Nr.
IMZA65R007M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R007M2HXKS

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

994Prieinamumas

30,13 €

20,73 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

650 V

210 A

8.5 mOhms

- 18 V, + 18 V

5.6 V

439 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 22,51 €
9Prieinamumas
3 000Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMDQ65R010M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R010M2HXUM

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

9Prieinamumas

3 000Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

22,51 €

16,25 €

14,96 €

13,97 €

Ritė

13,97 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

HDSOP-22

1 Channel

650 V

154 A

13.1 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

651 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 12,24 €
21Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-07-15
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R026M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R026M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

21Prieinamumas

2 000Tikėtina 2027-07-15

Pjaunama Juosta

12,24 €

7,96 €

6,97 €

6,52 €

Ritė

6,17 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

81 A

33 mOhms

5.6 V

42 nC

- 55 C

+ 175 C

365 W

Enhancement

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1: 7,54 €
39Prieinamumas
4 000Tikėtina 2027-03-11
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMT65R050M2HXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R050M2HXUMA

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

39Prieinamumas

4 000Tikėtina 2027-03-11

Pjaunama Juosta

7,54 €

4,64 €

3,95 €

3,65 €

3,27 €

Ritė

3,27 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 2 000

SMD/SMT

HSOF-8

1 Channel

650 V

48.1 A

62 mOhms

- 7 V, + 23 V

5.6 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

237 W

Enhancement

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

26.6 A
28 A
30 A
32.8 A
34.7 A
34.9 A
38 A
41.4 A
46 A
48.1 A
53 A
58 A
58.7 A
64 A
68 A
79 A
81 A
82 A
83 A
93 A

111 W
124 W
130 W
141 W
148 W
153 W
172 W
187 W
194 W
208 W
227 W
237 W
263 W
273 W
277 W
312 W
315 W
341 W
357 W
365 W