SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMBG65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
6,49 €
728 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R075M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
728 Prieinamumas
1
6,49 €
10
4,23 €
100
3,04 €
500
2,68 €
1 000
2,48 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
650 V
28 A
95 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
14.9 nC
+ 175 C
124 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMLT65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
5,70 €
771 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R075M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
771 Prieinamumas
1
5,70 €
10
3,70 €
100
2,63 €
500
2,33 €
1 000
2,15 €
1 800
2,15 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 800
Išsami Informacija
SMD/SMT
HDSOP-16
N-Channel
1 Channel
650 V
34.7 A
95 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
14.9 nC
- 55 C
+ 175 C
187 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R075M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
5,85 €
851 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R075M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
851 Prieinamumas
1
5,85 €
10
3,80 €
100
2,71 €
500
2,39 €
1 000
2,21 €
2 000
2,21 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
TOLL-8
650 V
75 mOhms
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMTA65R075M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
5,83 €
591 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R075M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
591 Prieinamumas
1
5,83 €
10
3,82 €
100
2,81 €
500
2,50 €
1 000
2,43 €
2 000
2,24 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
LHSOF-4
N-Channel
1 Channel
650 V
30 A
95 mOhms
5.6 V
14.9 nC
- 55 C
+ 175 C
141 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R075M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
6,99 €
183 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R075M2HXKS
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
183 Prieinamumas
1
6,99 €
10
4,33 €
100
3,48 €
480
3,09 €
1 200
2,86 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
26.6 A
95 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
14.9 nC
- 55 C
+ 175 C
111 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
13,39 €
1 940 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R020M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1 940 Prieinamumas
1
13,39 €
10
10,20 €
100
8,50 €
500
7,58 €
1 000
7,57 €
2 000
7,16 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
24 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
440 W
Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
IMBG65R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
21,30 €
256 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R010M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
256 Prieinamumas
1
21,30 €
10
15,31 €
100
13,80 €
500
13,60 €
1 000
12,13 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
158 A
13.1 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
IMBG65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
12,24 €
950 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R026M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
950 Prieinamumas
1
12,24 €
10
9,32 €
100
7,77 €
500
6,92 €
1 000
6,55 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
33 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
263 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
IMBG65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
10,03 €
280 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R033M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
280 Prieinamumas
1
10,03 €
10
7,18 €
100
6,13 €
500
5,71 €
1 000
4,89 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
58 A
41 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
IMBG65R060M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
7,13 €
416 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R060M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m?
416 Prieinamumas
1
7,13 €
10
4,57 €
100
3,81 €
500
3,45 €
1 000
2,82 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
34.9 A
73 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
18 nC
- 55 C
+ 175 C
148 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMDQ65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
22,50 €
375 Prieinamumas
2 250 Pagal užsakymą
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R010M2HXUM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
375 Prieinamumas
2 250 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
375 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
750 Tikėtina 2026-08-13
1 500 Tikėtina 2026-10-01
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
1
22,50 €
10
18,01 €
100
15,57 €
500
14,75 €
750
14,75 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
650 V
154 A
13.1 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
651 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMDQ65R015M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
15,79 €
901 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R015M2HXUM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
901 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
650 V
94 A
18 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
79 nC
- 55 C
+ 175 C
499 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMDQ65R020M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
15,08 €
499 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMDQ65R020M2HXUM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
499 Prieinamumas
1
15,08 €
10
11,48 €
100
9,56 €
500
8,53 €
750
8,07 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SMD/SMT
HDSOP-22
N-Channel
1 Channel
650 V
97 A
24 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
57 nC
- 55 C
+ 175 C
394 W
Enhancement
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
IMLT65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
9,85 €
929 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R033M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
929 Prieinamumas
1
9,85 €
10
6,52 €
100
5,26 €
500
4,80 €
1 000
4,47 €
1 800
4,47 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 800
Išsami Informacija
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
41 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.6 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R010M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
20,91 €
906 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2026-07-30
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R010M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
906 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2026-07-30
1
20,91 €
10
16,74 €
100
14,47 €
500
13,71 €
1 000
13,04 €
2 000
12,98 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
168 A
13.1 mOhms
- 7V, + 23 V
4.5 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
681 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R033M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
10,08 €
2 302 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R033M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
2 302 Prieinamumas
1
10,08 €
10
7,29 €
100
6,08 €
500
5,42 €
1 000
5,41 €
2 000
5,13 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
68 A
41 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
312 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R060M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
6,54 €
900 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2026-07-16
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R060M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
900 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2026-07-16
1
6,54 €
10
4,38 €
100
3,52 €
500
3,13 €
1 000
2,96 €
2 000
2,80 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
41.4 A
73 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
19 nC
- 55 C
+ 175 C
208 W
Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
IMTA65R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
9,81 €
1 968 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R026M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
1 968 Prieinamumas
1
9,81 €
10
6,72 €
100
5,78 €
500
5,41 €
1 000
5,06 €
2 000
5,03 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
PG-LHSOF-4
N-Channel
650 V
79 A
33 mOhms
- 7 V to + 23 V
5.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
IMTA65R033M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
9,15 €
1 712 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R033M2HXTM
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2
1 712 Prieinamumas
1
9,15 €
10
5,99 €
100
4,63 €
500
4,30 €
1 000
4,21 €
2 000
4,17 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
PG-LHSOF-4
N-Channel
650 V
68 A
41 mOhms
- 7 V to + 23 V
5.6 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
315 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
IMW65R010M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
20,55 €
259 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R010M2HXKSA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
259 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
130 A
13.1 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.6 V
112 nC
- 55 C
+ 175 C
440 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
IMW65R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
13,19 €
548 Prieinamumas
240 Pagal užsakymą
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R026M2HXKSA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
548 Prieinamumas
240 Pagal užsakymą
1
13,19 €
10
10,05 €
100
8,38 €
480
7,46 €
1 200
7,06 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
64 A
33 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
227 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
IMW65R033M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
10,99 €
237 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R033M2HXKSA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
237 Prieinamumas
1
10,99 €
10
7,01 €
100
6,33 €
480
5,44 €
1 200
5,27 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
53 A
41 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.6 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
194 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMTA65R020M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
12,86 €
9 343 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2026-07-27
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMTA65R020M2HXTM
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
9 343 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2026-07-27
1
12,86 €
10
9,29 €
100
7,40 €
500
6,76 €
1 000
Peržiūrėti
2 000
6,24 €
1 000
6,24 €
2 000
6,24 €
10 000
Pasiūlymas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
20 mOhms
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R026M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
11,78 €
21 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2027-06-17
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R026M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
21 Prieinamumas
2 000 Tikėtina 2027-06-17
1
11,78 €
10
8,78 €
100
7,32 €
500
6,52 €
1 000
6,51 €
2 000
6,17 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
81 A
33 mOhms
5.6 V
42 nC
- 55 C
+ 175 C
365 W
Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMT65R050M2HXUMA1
Infineon Technologies
1:
7,21 €
59 Prieinamumas
4 000 Tikėtina 2026-08-06
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMT65R050M2HXUMA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
59 Prieinamumas
4 000 Tikėtina 2026-08-06
1
7,21 €
10
5,07 €
100
4,10 €
500
3,65 €
1 000
3,27 €
2 000
3,27 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 000
Išsami Informacija
SMD/SMT
HSOF-8
N-Channel
1 Channel
650 V
48.1 A
62 mOhms
- 7 V, + 23 V
5.6 V
22 nC
- 55 C
+ 175 C
237 W
Enhancement