Atrodo, kad jūsų naršyklėje išjungtas "JavaScript". Kai kurios šio puslapio funkcijos neveiks, jei neprisijungsite.

IMT65R033M2HXUMA1

Name: Infineon IMT65R033M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT65R033M2HXUMA
Price: 8.31 EUR
Availability: InStock

Vaizdai skirti tik iliustracijai
Žr. produkto specifikacijas

Mouser #:

726-IMT65R033M2HXUMA

Mfr. #:

IMT65R033M2HXUMA1

Gam.:

Infineon Technologies

Aprašymas:

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

Eksploatacijos Laikotarpis:

Naujas Produktas:

Naujiena iš šio gamintojo.

Duomenų Lapas:

IMT65R033M2HXUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

ECAD modelis:

Atsisiųskite nemokamą Library Loader, kad galėtumėte konvertuoti šį failą darbui su ECAD įrankiu. Sužinokite daugiau apie ECAD Modelį.

Daugiau informacijos

Sužinokite daugiau apie Infineon Technologies IMT65R033M2HXUMA1

Prieinamumas: 1 756

Turime sandėlyje:: 1 756 Galime išsiųsti iš karto

Įvyko netikėta klaida. Prašome pabandyti vėliau.
Gamintojo numatytas pristatymo laikas: 8 Savaičių Apytikriai apskaičiuotas gamybos laikas gamykloje, jei dalių kiekis didesnis nei nurodyta.

Įvesti kiekį:

Min. 1 Užsakoma po 1

Vieneto kaina:

-,-- €

Plėt. Kaina:

-,-- €

Numatomas Įkainis:

Kainodara (EUR)

Qty.	Vieneto kaina	Plėt. Kaina
	8,31 €	8,31 €
	6,18 €	61,80 €
	5,15 €	515,00 €
	4,62 €	2 310,00 €
Visa Ritė (Užsakoma po 2000)
	3,92 €	7 840,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produkto Požymis	Atributo vertė	Pasirinkite Požymį
Gamintojas:	Infineon
Gaminio kategorija:	SiC MOSFET
RoHS:
Montavimo stilius:	SMD/SMT
Pakuotė / Korpusas:	HSOF-8
Tranzistoriaus poliškumas:	N-Channel
Kanalų skaičius:	1 Channel
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa:	650 V
svar. – nuolatinio išleidimo srovė:	68 A
RDS On - Drain-Source Varža:	41 mOhms
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa:	5.6 V
Qg – vartų krūvis:	34 nC
Minimali darbinė temperatūra:	- 55 C
Didžiausia darbinė temperatūra:	+ 175 C
Pd - skaidos galia:	312 W
Kanalas Mode:	Enhancement
Prekės Ženklas:	Infineon Technologies
Configuration:	Single
Rudens laikas:	4.8 ns
Jautrus drėgmei:	Yes
Pakavimas:	Reel
Pakavimas:	Cut Tape
Gaminys:	SiC MOSFETS
Gaminio tipas:	SiC MOSFETS
Kilimo Laikas:	9.1 ns
Gamyklinės pakuotės kiekis:	2000
Subkategorija:	Transistors
Technologijos:	SiC
Tipinė išjungimo vėlinimo trukmė:	15 ns
Tipinė įjungimo vėlinimo trukmė:	8.8 ns
Tranzistoriaus tipas:	1 N-Channel

Rasta produktų:

Norėdami rodyti panašius produktus, pažymėkite bent vieną langelį

Pasirinkite bent vieną žymimąjį langelį, kad būtų rodomi panašūs šios kategorijos produktai.

Pasirinkti atributai: 0

Filtruoti dokumentą:

Duomenų Lapas

IMT65R033M2HXUMA1 Duomenų Lapas (PDF)

Kad ši funkcija veiktų, reikia įjungti „JavaScript“.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET naudoja silicio karbido našumo galimybes, nes leidžia sumažinti energijos nuostolius, o tai lemia didesnį efektyvumą konvertuojant energiją. Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET suteikia privalumų įvairiose galios puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, fotovoltiniuose įrenginiuose, energijos kaupikliuose, DC elektromobilių įkrovimo sistemose, variklių pavarose ir pramoniniuose maitinimo šaltiniuose. DC greitojo įkrovimo stotelė elektromobiliams su CoolSiC G2 užtikrina iki 10 % mažesnius energijos nuostolius nei ankstesnės kartos stotelės, o įkrovimo pajėgumas yra didesnis nekeičiant formos.