iDEAL Semiconductor MOSFETs

Rezultatai: 13
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas Kanalų skaičius Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa svar. – nuolatinio išleidimo srovė RDS On - Drain-Source Varža Vgs - užtūros-šaltinio įtampa Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa Qg – vartų krūvis Minimali darbinė temperatūra Didžiausia darbinė temperatūra Pd - skaidos galia Kanalas Mode Prekinis pavadinimas Pakavimas
iDEAL Semiconductor MOSFETs N-CH 150V 233A TOLL 90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 10

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFETs 119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFETs 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm 4 607Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package 1 839Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 1 375Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFETs N-CH 200V 172A TO-220 960Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm 331Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFETs SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package 200Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFETs N-CH 200V 128A TO-220
1 000Tikėtina 2026-09-07
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFETs N-CH 150V 233A TOLL Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 5 000
Daugkart.: 5 000
: 5 000

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor MOSFETs Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFETs MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFETs MOSFET N-CH 200V 148A D2PAK-7L Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-7L N-Channel 1 Channel 200 V 148 A 5.5 mOhms 20 V 4.1 V 110 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement SuperQ Reel