SemiQ Featured Products
GEN3 1200V SiC MOSFET diskretieji įrenginiai
Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.
GEN3 1200V SiC MOSFET galios moduliai
With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.
„GP3D050B170B QSiC™“ 1 700 V SiC SCHOTTKY diodas
Pateikiamas TO-247-2L pakuotėje, sukurtoje taip, kad atitiktų dydžio ir galios reikalavimus įvairiose srityse.
GCMX 1 200 V SiC MOSFET pusės tiltelio Moduliai
Maži perjungimo nuostoliai, maža sandūros ir korpuso šiluminė varža, itin tvirtas bei paprastas montavimas.
GCMX 1 200 V SiC MOSFET viso tiltelio moduliai
Puikiai tinka fotovoltiniams keitikliams, energijos kaupimo sistemoms ir aukštos įtampos iš DC į DC keitikliams.
GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET
Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.
GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.
GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module
The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.