|
|
Diodų moduliai SiC 1200V 300A Half-Bridge Power Module
- GHXS400A120S7D5
- SemiQ
-
1:
174,09 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS400A120S7D5
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC 1200V 300A Half-Bridge Power Module
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
- GP3D010A120S
- SemiQ
-
1:
6,24 €
-
71Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D010A120S
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 1200V SMC DO-214AB
|
|
71Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
- GP2T040A120J
- SemiQ
-
1:
10,97 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T040A120J
|
SemiQ
|
SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
- GCMX080A120B2H1P
- SemiQ
-
1:
38,94 €
-
35Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX080A120B2H1P
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 80mohm MOSFET Full-Bridge Module
|
|
35Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
40
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC 1200V 15A Schottky Diode Module
- GHXS015A120S-D1
- SemiQ
-
1:
26,48 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS015A120S-D1
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC 1200V 15A Schottky Diode Module
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
- GP3D020A120B
- SemiQ
-
1:
10,70 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D020A120B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 20A 1200V TO-247-2
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
- GP3D010A065B
- SemiQ
-
1:
5,93 €
-
92Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D010A065B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 650V TO-247-2
|
|
92Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
- GP3D040A065U
- SemiQ
-
1:
8,81 €
-
7Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D040A065U
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 40A 650V TO-247-3
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
- GP2T080A120J
- SemiQ
-
1:
7,08 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T080A120J
|
SemiQ
|
SiC MOSFET 1200V, 80mOhm, TO-263-7L MOSFET
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
- GP3D008A065A
- SemiQ
-
1:
2,97 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D008A065A
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 8A 650V TO-220
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
- GP3D010A120B
- SemiQ
-
1:
6,68 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D010A120B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-247-2
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T020A120H
- SemiQ
-
1:
10,82 €
-
391Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T020A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
391Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
- GCMX040A120B3H1P
- SemiQ
-
1:
62,46 €
-
31Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX040A120B3H1P
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 40mohm MOSFET Full-Bridge Module
|
|
31Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
40
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
- GHXS100B170S-D3
- SemiQ
-
1:
54,50 €
-
297Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS100B170S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC 1700V 100A Schottky Diode Module
|
|
297Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T080A120H
- SemiQ
-
1:
6,02 €
-
175Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T080A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
175Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
- GCMX020A120B2B1P
- SemiQ
-
1:
53,18 €
-
40Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX020A120B2B1P
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 20mohm MOSFET Half-Bridge Module
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
40
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
- GP3D050B170B
- SemiQ
-
1:
17,79 €
-
136Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D050B170B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 50A 1700V TO-247-2
|
|
136Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
- GP3D005A170B
- SemiQ
-
1:
6,51 €
-
4 380Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D005A170B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 5A 1700V TO-247-2
|
|
4 380Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
- GCMX005A120B3B1P
- SemiQ
-
1:
148,42 €
-
34Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX005A120B3B1P
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 5mohm MOSFET Half-Bridge Module
|
|
34Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
40
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
- GCMS080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
25,37 €
-
399Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS080B120S1-E1
|
SemiQ
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227
|
|
399Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V SiC COPACK Power Module
- GCMS040B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
27,78 €
-
29Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMS040B120S1-E1
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai 1200V SiC COPACK Power Module
|
|
29Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
- GCMX080B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
23,86 €
-
27Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX080B120S1-E1
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 80mO MOSFET SOT-227
|
|
27Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
- GHXS010A060S-D3
- SemiQ
-
1:
23,03 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS010A060S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD Parallel Power Module 600V 10A
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
- GHXS020A060S-D3
- SemiQ
-
1:
25,37 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS020A060S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD Parallel Power Module 600V 20A
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
- GHXS030A060S-D1E
- SemiQ
-
1:
28,85 €
-
8Prieinamumas
-
10Tikėtina 2026-10-14
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS030A060S-D1E
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
|
|
8Prieinamumas
10Tikėtina 2026-10-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|