|
|
Igbt Moduliai EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
- FZ35R12ST4H18ABPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
28,50 €
-
54Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FZ35R12ST4H18ABP
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai EasyPACK module with TRENCHSTOP IGBT7/4 and emitter controlled 7 diode and NTC
|
|
54Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Press Fit
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
- DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
211,18 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-419MR20W3M1HFB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 2000 V, 60 A Boost EasyPACK 3B CoolSiC MOSFET Module
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Lygintuvai THYR / DIODE MODULE DK
- DD600N16KXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
320,28 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DD600N16KXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Lygintuvai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Rectifier Diode Module
|
|
Screw Mount
|
Non-standard
|
|
|
|
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
2,65 €
-
20 317Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
MOSFETs N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20 317Prieinamumas
|
|
|
2,65 €
|
|
|
2,40 €
|
|
|
2,21 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,11 €
|
|
|
2,05 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DFN-8
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC 1200V 300A Half-Bridge Power Module
- GHXS400A120S7D5
- SemiQ
-
1:
174,09 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS400A120S7D5
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC 1200V 300A Half-Bridge Power Module
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Diode Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
- CGHV35400F1
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F1
|
MACOM
|
GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz
|
|
|
|
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440225
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 1700V 3600A
- FZ3600R17HP4
- Infineon Technologies
-
1:
1 164,97 €
-
25Prieinamumas
-
30Tikėtina 2026-09-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FZ3600R17HP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 1700V 3600A
|
|
25Prieinamumas
30Tikėtina 2026-09-28
|
|
|
1 164,97 €
|
|
|
1 067,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
Module
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
- CGHV35400F
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV35400F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
|
|
|
|
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440217
|
|
|
|
IGBT 1700 V, 2000 A dual IGBT module
- FF2000XTR17IE5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
990,77 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2000XTR17IE5BP
|
Infineon Technologies
|
IGBT 1700 V, 2000 A dual IGBT module
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
|
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EASY
- FF55MR12W1M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
46,23 €
-
48Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF55MR12W1M1HB70
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai EASY
|
|
48Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 20A, SiC Six pack Module GEN 3
- CBB021M12FM3
- Wolfspeed
-
1:
103,97 €
-
18Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CBB021M12FM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 20A, SiC Six pack Module GEN 3
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT
- CGHV40180F
- MACOM
-
1:
440,85 €
-
307Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGHV40180F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT
|
|
307Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440223
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
- TD590N18KOFXPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
216,95 €
-
7Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-TD590N18KOFXPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai THYR / DIODE MODULE DK
|
|
7Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
- MRF151A
- MACOM
-
1:
301,93 €
-
260Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MRF151A
|
MACOM
|
RD MOSFET tranzistoriai Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg
|
|
260Prieinamumas
|
|
|
301,93 €
|
|
|
253,11 €
|
|
|
249,89 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
Screw Mount
|
244-4
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
- MRF177
- MACOM
-
1:
269,61 €
-
340Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MRF177
|
MACOM
|
RD MOSFET tranzistoriai 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB
|
|
340Prieinamumas
|
|
|
269,61 €
|
|
|
227,67 €
|
|
|
214,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
744A-01
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
- CG2H40045F
- MACOM
-
1:
382,79 €
-
671Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CG2H40045F
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
|
|
671Prieinamumas
|
|
|
382,79 €
|
|
|
323,07 €
|
|
|
321,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
GaN FETs
|
GaN
|
Screw Mount
|
440193
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
- DF8MR12W1M1HFB67BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
80,73 €
-
21Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DF8MR12W1M1HFB67
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET booster module 1200 V
|
|
21Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
Si
|
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB008A12GM3T
- Wolfspeed
-
1:
181,60 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB008A12GM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, AIN GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
51 mm x 42.5 mm
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3
- CBB032M12FM3
- Wolfspeed
-
1:
83,25 €
-
80Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CBB032M12FM3
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3
|
|
80Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CBB032M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
87,77 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CBB032M12FM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
Discrete Semiconductor Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CCB021M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
136,40 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CCB021M12FM3T
|
Wolfspeed
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
47.62 mm x 33.5 mm
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF136
- MACOM
-
1:
86,11 €
-
465Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MRF136
|
MACOM
|
RD MOSFET tranzistoriai 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
465Prieinamumas
|
|
|
86,11 €
|
|
|
67,31 €
|
|
|
65,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
211-07-3
|
|
|
|
IGBT 1700 V, 1700 A dual IGBT module
- FF1700XTR17IE5DBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
976,69 €
-
24Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1700XTR17IE5DB
|
Infineon Technologies
|
IGBT 1700 V, 1700 A dual IGBT module
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CCB032M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
109,38 €
-
41Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CCB032M12FM3T
|
Wolfspeed
|
MOSFET moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
41Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
MOSFET Modules
|
SiC
|
Screw Mount
|
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
- MRF158
- MACOM
-
1:
86,03 €
-
524Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MRF158
|
MACOM
|
RD MOSFET tranzistoriai 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB
|
|
524Prieinamumas
|
|
|
86,03 €
|
|
|
71,92 €
|
|
|
69,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
305A-01
|
|