|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,32 €
-
80Prieinamumas
-
240Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
80Prieinamumas
240Pagal užsakymą
|
|
|
6,32 €
|
|
|
3,67 €
|
|
|
3,37 €
|
|
|
3,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,37 €
-
477Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-05-13
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R350M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
477Prieinamumas
240Tikėtina 2027-05-13
|
|
|
5,37 €
|
|
|
2,82 €
|
|
|
2,59 €
|
|
|
2,30 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,56 €
-
71Prieinamumas
-
1 680Tikėtina 2026-09-01
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
71Prieinamumas
1 680Tikėtina 2026-09-01
|
|
|
12,56 €
|
|
|
7,56 €
|
|
|
7,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,89 €
-
5Prieinamumas
-
960Tikėtina 2026-09-01
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R060M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
5Prieinamumas
960Tikėtina 2026-09-01
|
|
|
9,89 €
|
|
|
5,30 €
|
|
|
4,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,91 €
-
174Prieinamumas
-
1 920Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R220M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
174Prieinamumas
1 920Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
174 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
960 Tikėtina 2026-09-03
960 Tikėtina 2027-04-01
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
6,91 €
|
|
|
4,16 €
|
|
|
3,55 €
|
|
|
3,24 €
|
|
|
2,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,57 €
-
2 160Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 160Pagal užsakymą
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
15,57 €
|
|
|
11,86 €
|
|
|
9,88 €
|
|
|
8,80 €
|
|
|
8,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,697 €
-
17 320Tikėtina 2026-10-15
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN7550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
17 320Tikėtina 2026-10-15
|
|
|
0,697 €
|
|
|
0,488 €
|
|
|
0,438 €
|
|
|
0,383 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,304 €
|
|
|
0,356 €
|
|
|
0,341 €
|
|
|
0,327 €
|
|
|
0,304 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN8550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,705 €
-
32 898Tikėtina 2027-01-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN8550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
32 898Tikėtina 2027-01-28
|
|
|
0,705 €
|
|
|
0,555 €
|
|
|
0,459 €
|
|
|
0,405 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,328 €
|
|
|
0,379 €
|
|
|
0,364 €
|
|
|
0,349 €
|
|
|
0,328 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,53 €
-
720Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R060M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
720Pagal užsakymą
|
|
|
9,53 €
|
|
|
6,16 €
|
|
|
5,17 €
|
|
|
4,62 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,55 €
-
960Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R090M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
960Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2026-09-09
480 Tikėtina 2026-09-21
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
8,55 €
|
|
|
4,70 €
|
|
|
4,66 €
|
|
|
4,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 1ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1 000:
2,12 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-1ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 2ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1 000:
3,47 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-2ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
405,83 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,16 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
|
8,16 €
|
|
|
5,74 €
|
|
|
4,06 €
|
|
|
3,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
