|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,97 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
2,97 €
|
|
|
2,24 €
|
|
|
2,05 €
|
|
|
1,85 €
|
|
|
1,51 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,25 €
-
364Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
364Prieinamumas
|
|
|
9,25 €
|
|
|
5,03 €
|
|
|
4,65 €
|
|
|
4,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,02 €
-
368Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
368Prieinamumas
|
|
|
5,02 €
|
|
|
4,02 €
|
|
|
3,66 €
|
|
|
3,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
- 1EDC20H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,49 €
-
2 000Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
|
|
2 000Prieinamumas
|
|
|
2,49 €
|
|
|
1,96 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,53 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,91 €
-
575Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
575Prieinamumas
|
|
|
1,91 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,24 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
1,15 €
|
|
|
1,14 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,72 €
-
240Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240Prieinamumas
|
|
|
5,72 €
|
|
|
3,65 €
|
|
|
3,41 €
|
|
|
3,21 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
412,52 €
-
40Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
291,31 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
309,70 €
-
32Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
32Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,60 €
-
4 395Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R220M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
4 395Prieinamumas
|
|
|
5,60 €
|
|
|
3,19 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,76 €
|
|
|
2,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,51 €
-
1 467Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 467Prieinamumas
|
|
|
13,51 €
|
|
|
7,75 €
|
|
|
7,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3431MU12MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,59 €
-
702Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1ED3431MU12MXUMA
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
702Prieinamumas
|
|
|
4,59 €
|
|
|
3,50 €
|
|
|
3,23 €
|
|
|
2,93 €
|
|
|
2,59 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,80 €
|
|
|
2,74 €
|
|
|
2,52 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDI20I12MFXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,96 €
-
1 601Prieinamumas
-
10 000Tikėtina 2026-10-22
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDI20I12MFXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
1 601Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-10-22
|
|
|
1,96 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,98 €
|
|
|
1,12 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3251MC12HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,59 €
-
1 170Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-ED3251MC12HXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 170Prieinamumas
|
|
|
2,59 €
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,78 €
|
|
|
1,60 €
|
|
|
1,40 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,51 €
|
|
|
1,49 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R450M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,24 €
-
5 805Prieinamumas
-
6 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R450M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
5 805Prieinamumas
6 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 805 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
3 000 Tikėtina 2026-08-26
3 000 Tikėtina 2027-03-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
6,24 €
|
|
|
3,34 €
|
|
|
3,06 €
|
|
|
2,90 €
|
|
|
2,74 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDC20I12MHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,81 €
-
219Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20I12MHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
219Prieinamumas
|
|
|
2,81 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,48 €
|
|
|
1,44 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,96 €
-
151Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC60H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
|
|
151Prieinamumas
|
|
|
2,96 €
|
|
|
2,23 €
|
|
|
2,04 €
|
|
|
1,84 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,72 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,53 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,14 €
-
597Prieinamumas
-
720Tikėtina 2027-05-06
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R090M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
597Prieinamumas
720Tikėtina 2027-05-06
|
|
|
8,14 €
|
|
|
4,42 €
|
|
|
4,08 €
|
|
|
3,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,11 €
-
334Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
334Prieinamumas
|
|
|
7,11 €
|
|
|
4,04 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
3,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,77 €
-
473Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
473Prieinamumas
|
|
|
6,77 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
3,64 €
|
|
|
3,23 €
|
|
|
2,60 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,49 €
-
297Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R350M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
|
|
297Prieinamumas
|
|
|
5,49 €
|
|
|
3,11 €
|
|
|
2,86 €
|
|
|
2,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,56 €
-
323Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
323Prieinamumas
|
|
|
9,56 €
|
|
|
6,76 €
|
|
|
5,63 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,26 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,59 €
-
674Prieinamumas
-
3 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
674Prieinamumas
3 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
674 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
1 000 Tikėtina 2026-08-26
2 000 Tikėtina 2026-10-07
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
|
4,59 €
|
|
|
2,39 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,81 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R650M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,50 €
-
57Prieinamumas
-
2 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R650M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
57Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
|
|
|
5,50 €
|
|
|
3,30 €
|
|
|
2,65 €
|
|
|
2,38 €
|
|
|
2,18 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,00 €
-
480Tikėtina 2026-09-24
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
480Tikėtina 2026-09-24
|
|
|
15,00 €
|
|
|
10,20 €
|
|
|
8,44 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
