|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
30,27 €
-
282Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT05MP075GNR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
282Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
18.5 dB
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-WBG-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
- MHT1803A
- NXP Semiconductors
-
1:
34,40 €
-
172Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MHT1803A
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai RF Power LDMOS Transistor for Consumer and Commercial Cooking, 1.8-50 MHz, 300 W CW, 50 V
|
|
172Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
330 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101BN
- NXP Semiconductors
-
1:
35,19 €
-
563Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MRF101BN
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
563Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
- AFM907NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
4,09 €
-
16 988Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFM907NT1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 7 W, 7.5 V
|
|
16 988Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
3 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
15 dB
|
8 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
DFN-16
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
- AFT05MP075NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
39,18 €
-
483Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT05MP075NR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Broadband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 70 W, 12.5 V
|
|
483Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
18.5 dB
|
70 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-WB-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
- MRFE6S9060NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
86,75 €
-
500Tikėtina 2026-09-28
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRFE6S9060NR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Single N-CDMA Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 880 MHz, 14 W Avg., 28 V
|
|
500Tikėtina 2026-09-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
1.5 A
|
66 V
|
1 GHz
|
21.1 dB
|
14 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
TO-270
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
- MRFE6VP61K25HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
371,49 €
-
67Prieinamumas
-
100Tikėtina 2026-12-01
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRFE6VP61K25HR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V
|
|
67Prieinamumas
100Tikėtina 2026-12-01
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
24 dB
|
1.25 kW
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
303,68 €
-
41Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MRFX1K80NR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
41Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
24.4 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
- MRF1K50NR5
- NXP Semiconductors
-
1:
307,62 €
-
24Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRF1K50NR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
|
|
24Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-1230-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 200MHZ TO-247-3L
NXP Semiconductors MHT1803B
- MHT1803B
- NXP Semiconductors
-
1:
34,76 €
-
210Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MHT1803B
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai 300W 200MHZ TO-247-3L
|
|
210Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
|
1.8 MHz to 50 MHz
|
28.2 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
- AFT27S006NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
17,72 €
-
623Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT27S006NT1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V
|
|
623Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
728 MHz to 3.7 GHz
|
16 dB
|
28.8 dBm
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PLD-1.5W
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF101AN
- NXP Semiconductors
-
1:
39,65 €
-
980Tikėtina 2026-10-15
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MRF101AN
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
980Tikėtina 2026-10-15
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8.8 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
21.1 dB
|
115 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
Tube
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
- MRF300AN
- NXP Semiconductors
-
1:
79,39 €
-
5Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MRF300AN
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
30 A
|
133 V
|
1.8 MHz to 250 MHz
|
20.4 dB
|
330 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
Tube
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
- AFM906NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
3,38 €
-
97Prieinamumas
-
1 000Tikėtina 2026-10-08
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFM906NT1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
|
|
97Prieinamumas
1 000Tikėtina 2026-10-08
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4.7 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
16.2 dB
|
6.5 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
HVSON-16
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
- AFT05MS004NT1
- NXP Semiconductors
-
1:
3,97 €
-
72Prieinamumas
-
44 000Pagal užsakymą
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT05MS004NT1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
|
|
72Prieinamumas
44 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
72 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
8 000 Tikėtina 2026-12-07
12 000 Tikėtina 2027-01-04
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
30 V
|
136 MHz to 941 MHz
|
20.9 dB
|
4.9 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
SOT-89-3
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT05MS031GNR1
- NXP Semiconductors
-
1:
33,15 €
-
10Prieinamumas
-
7 000Pagal užsakymą
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT05MS031GNR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
10Prieinamumas
7 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
10 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000 Tikėtina 2027-03-22
5 000 Tikėtina 2027-04-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT09MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
19,72 €
-
11Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT09MS031NR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
10 A
|
40 V
|
764 MHz to 941 MHz
|
15.7 dB
|
32 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
- MRF6V10010NR4
- NXP Semiconductors
-
1:
156,78 €
-
1Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRF6V10010NR4
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
100
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
100 V
|
960 MHz to 1.4 GHz
|
25 dB
|
10 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
PLD-1.5
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
- MRFE6VP6300HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
348,85 €
-
5Prieinamumas
-
250Tikėtina 2026-12-14
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRFE6VP6300HR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
|
|
5Prieinamumas
250Tikėtina 2026-12-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
26.5 dB
|
300 W
|
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-780-4
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
- MRFX1K80HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
362,45 €
-
734Tikėtina 2026-12-21
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-MRFX1K80HR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
|
|
734Tikėtina 2026-12-21
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
43 A
|
179 V
|
1.8 MHz to 400 MHz
|
25.1 dB
|
1.8 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Screw Mount
|
NI-1230H-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
- AFT05MS031NR1
- NXP Semiconductors
-
1:
20,70 €
-
6 999Pagal užsakymą
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFT05MS031NR1
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-520 MHz, 31 W, 13.6 V
|
|
6 999Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
1 999 Tikėtina 2027-03-22
5 000 Tikėtina 2027-04-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7.5 A
|
40 V
|
136 MHz to 520 MHz
|
17.7 dB
|
33 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
TO-270-2
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- MRF1K50HR5
- NXP Semiconductors
-
1:
352,34 €
-
100Tikėtina 2026-11-16
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRF1K50HR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
|
|
100Tikėtina 2026-11-16
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
36 A
|
135 V
|
1.8 MHz to 500 MHz
|
23.7 dB
|
1.5 kW
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230H-4S
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
- AFV09P350-04NR3
- NXP Semiconductors
-
1:
140,52 €
-
248Tikėtina 2026-10-26
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-AFV09P350-04NR3
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 720-960 MHz, 100 W AVG., 48 V
|
|
248Tikėtina 2026-10-26
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
105 V
|
720 MHz to 960 MHz
|
19.2 dB
|
100 W
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
OM-780-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
- MRFE6VP5600HR6
- NXP Semiconductors
-
1:
279,96 €
-
50Tikėtina 2026-12-28
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
841-MRFE6VP5600HR6
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
|
|
50Tikėtina 2026-12-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
150
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
130 V
|
1.8 MHz to 600 MHz
|
25 dB
|
600 W
|
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-1230
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
- AFV10700GSR5
- NXP Semiconductors
-
1:
819,95 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 53 Savaičių
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-AFV10700GSR5
Netinkama eksploatuoti
|
NXP Semiconductors
|
RD MOSFET tranzistoriai Airfast RF Power LDMOS Transistor, 700 W Pulse over 960-1215 MHz, 52 V
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.6 A
|
105 V
|
1.03 GHz to 1.09 GHz
|
19.2 dB
|
700 W
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
NI-780GS-4L
|
Reel, Cut Tape
|
|