|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,39 €
-
667Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
667Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
20,65 €
-
313Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R020M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
313Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T040A120H
- SemiQ
-
1:
7,22 €
-
17Prieinamumas
-
90Tikėtina 2026-10-19
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T040A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
17Prieinamumas
90Tikėtina 2026-10-19
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
- C3M0025065J1
- Wolfspeed
-
1:
11,99 €
-
99Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0025065J1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 25 mohm, 650V TO-263-7XL, Industrial
|
|
99Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial
- C3M0060065D
- Wolfspeed
-
1:
8,29 €
-
216Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0060065D
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial
|
|
216Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
- C3M0075120D-A
- Wolfspeed
-
1:
8,18 €
-
307Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0075120D-A
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
|
|
307Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24783-120 SL
- Central Semiconductor
-
1:
24,62 €
-
40Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CDM24783120SL
Naujas Produktas
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
- IMZC120R078M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,18 €
-
5Prieinamumas
-
1 680Pagal užsakymą
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R078M2HXK
"Mouser Naujiena"
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
|
|
5Prieinamumas
1 680Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2027-08-19
480 Tikėtina 2027-08-26
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
- C3M0060065K
- Wolfspeed
-
1:
8,26 €
-
300Prieinamumas
-
900Tikėtina 2026-12-14
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0060065K
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60 m, 650V, TO-247-4, Industrial
|
|
300Prieinamumas
900Tikėtina 2026-12-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,51 €
-
8Prieinamumas
-
2 644Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R040M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
8Prieinamumas
2 644Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
8 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
4 Tikėtina 2026-10-07
240 Tikėtina 2026-11-05
1 440 Tikėtina 2026-11-19
720 Tikėtina 2026-12-03
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZA120R007M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
44,01 €
-
5Prieinamumas
-
1 200Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R007M1HXK
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
5Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
480 Tikėtina 2026-11-12
720 Tikėtina 2026-12-24
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 240
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
- NXVF6532M3TG01
- onsemi
-
1:
21,16 €
-
95Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXVF6532M3TG01
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
|
|
95Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
APM-16
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R20MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
101,43 €
-
77Prieinamumas
-
150Tikėtina 2027-03-23
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R20MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
77Prieinamumas
150Tikėtina 2027-03-23
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R30MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
26,09 €
-
289Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R30MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
289Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R45MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
35,23 €
-
109Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R45MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
109Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45m, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
- C3M0045065J1-TR
- Wolfspeed
-
1:
9,20 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0045065J1-TR
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45m, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R160MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
17,27 €
-
5Prieinamumas
-
1 800Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R160MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
5Prieinamumas
1 800Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
600 Tikėtina 2027-01-08
1 200 Tikėtina 2027-02-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,14 €
-
2 313Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R026M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
2 313Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
1 593 Tikėtina 2026-11-26
480 Tikėtina 2026-12-17
240 Tikėtina 2027-06-17
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZA120R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
20,67 €
-
2 877Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R020M1HXK
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 877Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
- SCT012H90G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
20,06 €
-
998Tikėtina 2027-02-05
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT012H90G3AG
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
|
|
998Tikėtina 2027-02-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
- IMW65R060M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,76 €
-
2 862Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R060M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
|
|
2 862Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
2 382 Tikėtina 2027-07-08
480 Tikėtina 2027-07-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R012M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
22,89 €
-
469Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R012M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
469Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
229 Tikėtina 2026-11-03
240 Tikėtina 2026-11-26
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
60 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
- IMZA65R010M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
23,68 €
-
719Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R010M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
|
|
719Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
239 Tikėtina 2026-12-17
480 Tikėtina 2027-07-01
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,63 €
-
1 032Prieinamumas
-
960Pagal užsakymą
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R040M2HXK
"Mouser Naujiena"
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
|
1 032Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
1 032 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2026-10-23
240 Tikėtina 2026-11-12
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXP075A040SL-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
11,27 €
-
600Tikėtina 2027-04-14
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXP075A040SL-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
600Tikėtina 2027-04-14
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247AD-4L
|
N-Channel
|
|