|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMW65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,81 €
-
718Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R026M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
718Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R022M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,83 €
-
267Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R022M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
267Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,27 €
-
238Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R040M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
238Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,12 €
-
1 428Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R053M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
1 428Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
- IXSA110N65L2-7TR
- IXYS
-
1:
11,16 €
-
900Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA110N65L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L
|
|
900Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA40N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
8,45 €
-
790Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA40N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
790Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
- IXSA65N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
10,25 €
-
813Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA65N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L
|
|
813Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
- IXSA80N120L2-7TR
- IXYS
-
1:
12,32 €
-
760Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSA80N120L2-7TR
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
|
|
760Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
- IXSG110N65L2K
- IXYS
-
1:
11,16 €
-
2 084Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSG110N65L2K
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL
|
|
2 084Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TOLL-8
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH100N65L2KHV
- IXYS
-
1:
11,37 €
-
520Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH100N65L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
520Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH40N120L2KHV
- IXYS
-
1:
8,51 €
-
374Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH40N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
374Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH65N120L2KHV
- IXYS
-
1:
10,47 €
-
537Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH65N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
537Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
450
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
- IXSH80N120L2KHV
- IXYS
-
1:
12,79 €
-
292Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-IXSH80N120L2KHV
Naujas Produktas
|
IXYS
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
|
|
292Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
- SCT4036KWATL
- ROHM Semiconductor
-
1:
13,86 €
-
974Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SCT4036KWATL
Naujas Produktas
|
ROHM Semiconductor
|
SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
|
|
974Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7LA
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
- NSF017120T2A0J
- Nexperia
-
1:
17,50 €
-
654Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
771-NSF017120T2A0J
Naujas Produktas
|
Nexperia
|
SiC MOSFET NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK
|
|
654Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
SOT8107-2-7
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
- GP3T080A120H
- SemiQ
-
1:
6,02 €
-
175Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T080A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
|
|
175Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
- C3M0021120K1
- Wolfspeed
-
1:
16,56 €
-
394Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0021120K1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
|
|
394Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
- C3M0032120K1
- Wolfspeed
-
1:
12,19 €
-
300Prieinamumas
-
450Tikėtina 2026-10-07
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0032120K1
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
|
|
300Prieinamumas
450Tikėtina 2026-10-07
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R007M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
43,71 €
-
721Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R007M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
721Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24720-170 SL PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
92,11 €
-
29Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CDMS24720-170SL
Naujas Produktas
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
29Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,14 €
-
316Prieinamumas
-
750Tikėtina 2026-11-05
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
316Prieinamumas
750Tikėtina 2026-11-05
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,97 €
-
39Prieinamumas
-
3 600Tikėtina 2027-06-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R026M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
39Prieinamumas
3 600Tikėtina 2027-06-03
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
- IMW65R033M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,11 €
-
199Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R033M2HXKSA
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
|
|
199Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R017M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17,29 €
-
28Prieinamumas
-
480Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R017M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
28Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
28 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
240 Tikėtina 2026-11-12
240 Tikėtina 2026-11-19
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,85 €
-
70Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-11-03
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R026M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
70Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-03
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|