TO-247-4 Puslaidininkiai

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Duomenų Lapas
741Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
235Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
330Tikėtina 2026-08-12
Min.: 1
Daugkart.: 1
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Duomenų Lapas
42Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
Duomenų Lapas
420Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2026-10-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2027-01-07
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Duomenų Lapas
450Tikėtina 2026-11-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V
Duomenų Lapas
1 800Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 450
Daugkart.: 450

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
Duomenų Lapas
3 600Gamyklos turimos atsargos
Daugiau Informacijos Suteikiama
Min.: 450
Daugkart.: 450

Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 6 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Toshiba MOSFETs 600 V 0.080 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 8 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240

SemiQ SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

SemiQ SiC MOSFET SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esantys
Min.: 1
Daugkart.: 1

SanRex SiC MOSFET SiC MOSFET TO-247 Single 1200V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 30
Daugkart.: 30

Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1 200
Daugkart.: 600

onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 31 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 15 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 26 Savaičių
Min.: 600
Daugkart.: 600

IXYS SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 29 Savaičių
Min.: 450
Daugkart.: 450