|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,89 €
-
15Prieinamumas
-
960Tikėtina 2026-08-27
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R060M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
15Prieinamumas
960Tikėtina 2026-08-27
|
|
|
9,89 €
|
|
|
6,30 €
|
|
|
4,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,91 €
-
43Prieinamumas
-
1 920Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R220M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
43Prieinamumas
1 920Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
43 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
960 Tikėtina 2026-08-27
960 Tikėtina 2027-04-01
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
6,91 €
|
|
|
4,57 €
|
|
|
3,64 €
|
|
|
3,35 €
|
|
|
3,04 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
- IMZ120R350M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,49 €
-
297Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R350M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
|
|
297Prieinamumas
|
|
|
5,49 €
|
|
|
3,36 €
|
|
|
2,86 €
|
|
|
2,59 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,46 €
-
83Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-08-19
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
83Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-19
|
|
|
9,46 €
|
|
|
5,95 €
|
|
|
5,29 €
|
|
|
4,82 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
412,52 €
-
40Tikėtina 2026-08-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
40Tikėtina 2026-08-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,90 €
-
2 160Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 160Pagal užsakymą
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
13,90 €
|
|
|
8,97 €
|
|
|
8,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN8550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,697 €
-
32 898Tikėtina 2027-01-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN8550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
32 898Tikėtina 2027-01-28
|
|
|
0,697 €
|
|
|
0,488 €
|
|
|
0,438 €
|
|
|
0,383 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,309 €
|
|
|
0,356 €
|
|
|
0,341 €
|
|
|
0,327 €
|
|
|
0,309 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,93 €
-
701Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R060M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
701Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
221 Tikėtina 2026-10-01
480 Tikėtina 2026-10-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
9,93 €
|
|
|
6,41 €
|
|
|
5,37 €
|
|
|
4,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,03 €
-
233Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-08-19
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
233Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-19
|
|
|
7,03 €
|
|
|
4,33 €
|
|
|
3,55 €
|
|
|
2,96 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,09 €
-
960Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R090M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
960Pagal užsakymą
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
8,09 €
|
|
|
4,85 €
|
|
|
4,63 €
|
|
|
3,94 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 1ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1 000:
2,12 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-1ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
- 2ED020I12-F2
- Infineon Technologies
-
1 000:
3,47 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-2ED020I12-F2
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 2-CH, 2A,MillerClamp,DESA
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
405,83 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 14 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,82 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
|
7,82 €
|
|
|
4,57 €
|
|
|
3,85 €
|
|
|
3,70 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
