|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,97 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
2,97 €
|
|
|
2,24 €
|
|
|
2,05 €
|
|
|
1,85 €
|
|
|
1,51 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R060M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,83 €
-
965Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R060M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
965Prieinamumas
|
|
|
7,83 €
|
|
|
5,44 €
|
|
|
4,91 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,63 €
-
368Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
368Prieinamumas
|
|
|
5,63 €
|
|
|
4,26 €
|
|
|
3,66 €
|
|
|
3,40 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
- 1EDC20H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,49 €
-
2 000Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 3.5A, UL, SEP Outpu
|
|
2 000Prieinamumas
|
|
|
2,49 €
|
|
|
1,96 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
1,53 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,41 €
|
|
|
1,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,91 €
-
575Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
575Prieinamumas
|
|
|
1,91 €
|
|
|
1,52 €
|
|
|
1,42 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,21 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,24 €
|
|
|
1,22 €
|
|
|
1,17 €
|
|
|
1,15 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,72 €
-
240Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240Prieinamumas
|
|
|
5,72 €
|
|
|
3,65 €
|
|
|
3,45 €
|
|
|
3,44 €
|
|
|
3,19 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
- FF1MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
412,52 €
-
40Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
291,31 €
-
10Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
10Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
- FF2MR12KM1HPHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
309,70 €
-
32Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HPHPSA
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai MEDIUM POWER 62MM
|
|
32Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R450M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,50 €
-
8 281Prieinamumas
-
3 000Tikėtina 2027-01-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R450M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
8 281Prieinamumas
3 000Tikėtina 2027-01-28
|
|
|
6,50 €
|
|
|
3,53 €
|
|
|
3,24 €
|
|
|
3,07 €
|
|
|
2,74 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,60 €
-
4 390Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R220M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
4 390Prieinamumas
|
|
|
5,60 €
|
|
|
3,19 €
|
|
|
2,92 €
|
|
|
2,76 €
|
|
|
2,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,56 €
-
1 751Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 751Prieinamumas
|
|
|
12,56 €
|
|
|
7,56 €
|
|
|
7,46 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,25 €
-
364Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
364Prieinamumas
|
|
|
9,25 €
|
|
|
5,03 €
|
|
|
4,65 €
|
|
|
4,62 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,51 €
-
1 467Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 467Prieinamumas
|
|
|
13,51 €
|
|
|
7,75 €
|
|
|
7,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,65 €
-
313Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
313Prieinamumas
|
|
|
9,65 €
|
|
|
6,15 €
|
|
|
5,29 €
|
|
|
4,76 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3431MU12MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,54 €
-
702Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1ED3431MU12MXUMA
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
702Prieinamumas
|
|
|
4,54 €
|
|
|
3,47 €
|
|
|
3,19 €
|
|
|
2,90 €
|
|
|
2,58 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,75 €
|
|
|
2,67 €
|
|
|
2,51 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDI20I12MFXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,96 €
-
1 604Prieinamumas
-
10 000Tikėtina 2026-10-22
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDI20I12MFXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
1 604Prieinamumas
10 000Tikėtina 2026-10-22
|
|
|
1,96 €
|
|
|
1,45 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,98 €
|
|
|
1,12 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,98 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1ED3251MC12HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,59 €
-
1 170Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-ED3251MC12HXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 170Prieinamumas
|
|
|
2,59 €
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,78 €
|
|
|
1,60 €
|
|
|
1,40 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,51 €
|
|
|
1,49 €
|
|
|
1,32 €
|
|
|
1,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
- 1EDC20I12MHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,81 €
-
219Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC20I12MHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 4A, UL, Miller clam
|
|
219Prieinamumas
|
|
|
2,81 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,94 €
|
|
|
1,75 €
|
|
|
1,49 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,42 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
- 1EDC60H12AHXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,09 €
-
151Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDC60H12AHXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, UL, SEP Outpu
|
|
151Prieinamumas
|
|
|
3,09 €
|
|
|
2,31 €
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,90 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,80 €
|
|
|
1,76 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,49 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R090M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,14 €
-
376Prieinamumas
-
720Tikėtina 2026-10-05
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R090M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
376Prieinamumas
720Tikėtina 2026-10-05
|
|
|
8,14 €
|
|
|
4,42 €
|
|
|
4,08 €
|
|
|
3,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,11 €
-
314Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
314Prieinamumas
|
|
|
7,11 €
|
|
|
4,04 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
3,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,51 €
-
473Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
473Prieinamumas
|
|
|
6,51 €
|
|
|
3,41 €
|
|
|
3,14 €
|
|
|
2,90 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R220M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,91 €
-
594Prieinamumas
-
2 160Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZ120R220M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
594Prieinamumas
2 160Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
594 Galime išsiųsti iš karto
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
6,91 €
|
|
|
4,16 €
|
|
|
3,72 €
|
|
|
2,92 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,59 €
-
69Prieinamumas
-
25 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
69Prieinamumas
25 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
69 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 000 Tikėtina 2027-01-07
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
|
|
|
4,59 €
|
|
|
2,39 €
|
|
|
2,18 €
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,80 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
