SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
SCT019HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
18,08 €
2 Prieinamumas
600 Tikėtina 2027-08-20
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT019HU120G3AG
Naujas Produktas
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
2 Prieinamumas
600 Tikėtina 2027-08-20
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
600
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1:
19,15 €
1 190 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
1 190 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
600
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
23,84 €
443 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
443 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
17,22 €
181 Prieinamumas
600 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
181 Prieinamumas
600 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
Hip247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
1:
11,70 €
439 Prieinamumas
1 000 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT027H65G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
439 Prieinamumas
1 000 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
360°
+ 6 vaizdų
SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
1:
12,16 €
187 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT027W65G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
187 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
360°
+ 5 vaizdų
SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1:
11,42 €
811 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
811 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
360°
+ 6 vaizdų
SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
12,03 €
521 Prieinamumas
600 Tikėtina 2027-01-29
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
521 Prieinamumas
600 Tikėtina 2027-01-29
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
1:
9,71 €
457 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040W65G3-4
STMicroelectronics
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
457 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
1:
11,42 €
429 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040W65G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
429 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP247-4
N-Channel
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
SCT055TO65G3
STMicroelectronics
1:
8,64 €
1 394 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT055TO65G3
STMicroelectronics
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
1 394 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 800
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
360°
+ 5 vaizdų
SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
11,87 €
20 Prieinamumas
1 200 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT070W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
20 Prieinamumas
1 200 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1:
11,32 €
504 Prieinamumas
1 000 Tikėtina 2027-07-02
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
504 Prieinamumas
1 000 Tikėtina 2027-07-02
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
N-Channel
MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
STL260N4LF7
STMicroelectronics
1:
2,91 €
4 893 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STL260N4LF7
STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
4 893 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
3 000
Išsami Informacija
MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT5x6-8
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
1:
14,16 €
5 Prieinamumas
1 000 Tikėtina 2027-10-15
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT018H65G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
5 Prieinamumas
1 000 Tikėtina 2027-10-15
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
17,22 €
9 Prieinamumas
1 200 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
9 Prieinamumas
1 200 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1:
16,30 €
5 Prieinamumas
600 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
5 Prieinamumas
600 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP247-3
N-Channel
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1:
9,65 €
8 Prieinamumas
1 800 Tikėtina 2027-02-05
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040TO65G3
STMicroelectronics
SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
8 Prieinamumas
1 800 Tikėtina 2027-02-05
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 800
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TOLL-8
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1:
12,03 €
6 Prieinamumas
600 Tikėtina 2027-09-03
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
6 Prieinamumas
600 Tikėtina 2027-09-03
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1:
26,51 €
1 200 Tikėtina 2027-08-20
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package
1 200 Tikėtina 2027-08-20
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
600
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
HU3PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1:
23,19 €
1 800 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package
1 800 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
25 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1:
15,79 €
1 997 Tikėtina 2027-06-04
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
1 997 Tikėtina 2027-06-04
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
360°
+ 5 vaizdų
SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1:
19,83 €
998 Tikėtina 2027-06-04
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
998 Tikėtina 2027-06-04
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
H2PAK-7
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
360°
+ 6 vaizdų
SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
1:
16,06 €
600 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT018W65G3-4AG
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
600 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
HiP-247-4
N-Channel
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
SCT027HU65G3AG
STMicroelectronics
1:
12,33 €
300 Tikėtina 2027-08-27
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT027HU65G3AG
Naujas Produktas
STMicroelectronics
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
300 Tikėtina 2027-08-27
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
600
Išsami Informacija
SiC MOSFETS