Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials' advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. The STMicro 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 43
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Duomenų Lapas
2 285Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 19.2 mOhm typ., 90 A
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
600Tikėtina 2027-02-12
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 600

SiC MOSFETS
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
528Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
448Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
256Prieinamumas
600Tikėtina 2027-07-23
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole Hip247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package
Duomenų Lapas
226Prieinamumas
600Tikėtina 2027-03-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-3 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Duomenų Lapas
578Prieinamumas
1 000Tikėtina 2027-06-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Duomenų Lapas
246Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package
Duomenų Lapas
993Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A
Duomenų Lapas
753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
467Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
481Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Duomenų Lapas
1 404Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Duomenų Lapas
23Prieinamumas
1 000Tikėtina 2027-01-29
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
13Prieinamumas
1 200Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
1 200Tikėtina 2027-01-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Duomenų Lapas
659Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an
Duomenų Lapas
334Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
Duomenų Lapas
1 301Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Duomenų Lapas
4 893Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
1 200Tikėtina 2027-02-19
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 600

SiC MOSFETS SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel
STMicroelectronics SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Duomenų Lapas
14Prieinamumas
1 800Tikėtina 2027-02-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 800

SiC MOSFETS SMD/SMT TOLL-8 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package
Duomenų Lapas
17Prieinamumas
600Tikėtina 2027-05-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-3 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Duomenų Lapas
5Prieinamumas
600Tikėtina 2027-04-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 25 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel