Rezultatai: 26
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Prekinis pavadinimas
Pakavimas
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
3 446Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
2 241Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
1 115Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
833Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 850V 54.9A TO247-3
Duomenų Lapas
284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 54.9 A 77 mOhms 20 V 2.1 V 288 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
501Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms 20 V 2.1 V 60 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
952Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
853Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
180Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
387Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
54Prieinamumas
500Tikėtina 2026-10-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 560 mOhms 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
718Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
855Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
560Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.1 Ohms 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
358Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.1 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
85Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 780 mOhms 20 V 2.1 V 41 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
152Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-04-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
284Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
116Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 650 mOhms 20 V 2.1 V 45 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_LEGACY
Duomenų Lapas
187Prieinamumas
35 000Tikėtina 2027-08-05
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.7 Ohms 20 V 2.1 V 12 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
59Prieinamumas
500Tikėtina 2027-02-11
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
1 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms 20 V 2.1 V 64 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
173Tikėtina 2026-10-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3
Duomenų Lapas
240Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 390 mOhms 20 V 2.1 V 85 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube