|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,05 €
-
8 222Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
8 222Prieinamumas
|
|
|
3,05 €
|
|
|
2,27 €
|
|
|
2,08 €
|
|
|
1,87 €
|
|
|
1,57 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,76 €
|
|
|
1,72 €
|
|
|
1,63 €
|
|
|
1,56 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN9550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,636 €
-
6 963Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN9550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
6 963Prieinamumas
|
|
|
0,636 €
|
|
|
0,444 €
|
|
|
0,398 €
|
|
|
0,348 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,274 €
|
|
|
0,324 €
|
|
|
0,31 €
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,274 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
16,56 €
-
653Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
653Prieinamumas
|
|
|
16,56 €
|
|
|
12,23 €
|
|
|
9,93 €
|
|
|
9,08 €
|
|
|
8,22 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,57 €
-
432Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
432Prieinamumas
|
|
|
10,57 €
|
|
|
6,98 €
|
|
|
5,27 €
|
|
|
5,26 €
|
|
|
4,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,98 €
-
254Prieinamumas
-
240Tikėtina 2026-08-27
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
254Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-27
|
|
|
12,98 €
|
|
|
9,88 €
|
|
|
8,24 €
|
|
|
7,34 €
|
|
|
6,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,03 €
-
437Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R107M1HXKS
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437Prieinamumas
|
|
|
7,03 €
|
|
|
4,75 €
|
|
|
3,83 €
|
|
|
3,41 €
|
|
|
3,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,76 €
-
578Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
578Prieinamumas
|
|
|
1,76 €
|
|
|
1,46 €
|
|
|
1,38 €
|
|
|
1,31 €
|
|
|
1,11 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,38 €
-
1 019Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 019Prieinamumas
|
|
|
8,38 €
|
|
|
5,07 €
|
|
|
4,42 €
|
|
|
4,13 €
|
|
|
3,85 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,50 €
-
753Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753Prieinamumas
|
|
|
6,50 €
|
|
|
3,96 €
|
|
|
3,35 €
|
|
|
3,12 €
|
|
|
2,77 €
|
|
|
2,76 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,91 €
-
861Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861Prieinamumas
|
|
|
6,91 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
3,86 €
|
|
|
3,83 €
|
|
|
3,24 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,55 €
-
434Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
434Prieinamumas
|
|
|
7,55 €
|
|
|
4,98 €
|
|
|
4,02 €
|
|
|
3,46 €
|
|
|
3,35 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,34 €
-
335Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
335Prieinamumas
|
|
|
10,34 €
|
|
|
7,47 €
|
|
|
6,23 €
|
|
|
5,55 €
|
|
|
5,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,22 €
-
1 776Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB9275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 776Prieinamumas
|
|
|
1,22 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,833 €
|
|
|
0,785 €
|
|
|
0,667 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN6550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,688 €
-
5 662Prieinamumas
-
6 000Tikėtina 2026-08-17
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN6550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
5 662Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-08-17
|
|
|
0,688 €
|
|
|
0,486 €
|
|
|
0,436 €
|
|
|
0,382 €
|
|
|
0,311 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,355 €
|
|
|
0,34 €
|
|
|
0,326 €
|
|
|
0,304 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,48 €
-
671Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
671Prieinamumas
|
|
|
4,48 €
|
|
|
2,94 €
|
|
|
2,19 €
|
|
|
1,84 €
|
|
|
1,69 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,58 €
|
|
|
1,53 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,95 €
-
1 224Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 224Prieinamumas
|
|
|
13,95 €
|
|
|
10,63 €
|
|
|
8,86 €
|
|
|
7,89 €
|
|
|
7,46 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,77 €
-
132Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
132Prieinamumas
|
|
|
8,77 €
|
|
|
5,99 €
|
|
|
4,94 €
|
|
|
4,40 €
|
|
|
4,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB6275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,50 €
-
1 052Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB6275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
1 052Prieinamumas
|
|
|
1,50 €
|
|
|
0,998 €
|
|
|
0,912 €
|
|
|
0,894 €
|
|
|
0,728 €
|
|
|
0,714 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,92 €
-
55Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R057M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
55Prieinamumas
|
|
|
7,92 €
|
|
|
5,21 €
|
|
|
4,04 €
|
|
|
3,81 €
|
|
|
3,66 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R083M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,91 €
-
312Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
312Prieinamumas
|
|
|
6,91 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
4,15 €
|
|
|
3,10 €
|
|
|
3,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
14,37 €
-
91Prieinamumas
-
1 200Tikėtina 2026-08-17
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
91Prieinamumas
1 200Tikėtina 2026-08-17
|
|
|
14,37 €
|
|
|
10,95 €
|
|
|
9,12 €
|
|
|
8,12 €
|
|
|
7,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,57 €
-
83Prieinamumas
-
240Tikėtina 2027-01-28
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
83Prieinamumas
240Tikėtina 2027-01-28
|
|
|
9,57 €
|
|
|
6,77 €
|
|
|
5,64 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,76 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,15 €
-
1 995Tikėtina 2026-09-03
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 995Tikėtina 2026-09-03
|
|
|
8,15 €
|
|
|
5,56 €
|
|
|
4,59 €
|
|
|
4,09 €
|
|
|
3,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,42 €
-
1 000Tikėtina 2026-09-17
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 000Tikėtina 2026-09-17
|
|
|
5,42 €
|
|
|
3,55 €
|
|
|
2,61 €
|
|
|
2,33 €
|
|
|
2,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,73 €
-
480Tikėtina 2026-07-29
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R030M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
480Tikėtina 2026-07-29
|
|
|
12,73 €
|
|
|
9,70 €
|
|
|
8,08 €
|
|
|
7,20 €
|
|
|
6,81 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
Lietuva
