|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDF9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,97 €
-
7 722Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF9275FXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
7 722Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R057M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,08 €
-
1 995Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R057M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 995Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R039M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,00 €
-
335Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R039M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
335Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R022M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
15,67 €
-
143Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R022M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
143Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R163M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,36 €
-
1 000Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R163M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 000Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R107M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,80 €
-
753Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R107M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
753Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 2EDS9265HXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,77 €
-
570Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDS9265HXUMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
570Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R048M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,72 €
-
1 019Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R048M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 019Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,39 €
-
861Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R072M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
861Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,57 €
-
1 701Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 701Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,25 €
-
339Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R048M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
339Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,95 €
-
298Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
298Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB9275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,44 €
-
2 558Prieinamumas
-
2 500Tikėtina 2026-12-10
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB9275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
2 558Prieinamumas
2 500Tikėtina 2026-12-10
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN6550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,671 €
-
11 529Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN6550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
11 529Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R260M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4,39 €
-
654Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R260M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
654Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,85 €
-
314Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
314Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,51 €
-
463Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R107M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
463Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R057M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
8,04 €
-
128Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R057M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
128Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
- 1EDB6275FXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,44 €
-
920Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB6275FXUMA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
|
|
920Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN9550BXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,688 €
-
2 323Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN9550BXTSA1
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
2 323Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R083M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6,35 €
-
14Prieinamumas
-
720Tikėtina 2026-11-30
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R083M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
14Prieinamumas
720Tikėtina 2026-11-30
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,68 €
-
17Prieinamumas
-
3 600Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
17Prieinamumas
3 600Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
12,66 €
-
175Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
175Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R030M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1 000:
6,29 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R030M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMBG65R039M1HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1 000:
5,30 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG65R039M1HXTM
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
|
|
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
:
1 000
|
|
|