SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai CoolSiC Schottky diode 2000 V, 50 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
IDYH50G200C5XKSA1
Infineon Technologies
1:
29,39 €
165 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDYH50G200C5XKSA
Infineon Technologies
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai CoolSiC Schottky diode 2000 V, 50 A G5 in a TO-247PLUS-4 HCC package
165 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
1ED3321MC12NXUMA1
Infineon Technologies
1:
3,17 €
14 217 Prieinamumas
8 000 Tikėtina 2026-09-30
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1ED3321MC12NXUMA
Infineon Technologies
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
14 217 Prieinamumas
8 000 Tikėtina 2026-09-30
1
3,17 €
10
2,40 €
25
2,20 €
100
1,99 €
1 000
1,76 €
2 000
Peržiūrėti
250
1,88 €
500
1,87 €
2 000
1,69 €
5 000
1,68 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
1EDB7275FXUMA1
Infineon Technologies
1:
1,44 €
20 586 Prieinamumas
12 500 Tikėtina 2026-10-15
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDB7275FXUMA1
Infineon Technologies
Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER
20 586 Prieinamumas
12 500 Tikėtina 2026-10-15
1
1,44 €
10
1,06 €
25
0,963 €
100
0,852 €
2 500
0,716 €
5 000
Peržiūrėti
250
0,802 €
500
0,771 €
1 000
0,766 €
5 000
0,701 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 500
Išsami Informacija
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
1EDI60N12AFXUMA1
Infineon Technologies
1:
2,19 €
62 551 Prieinamumas
47 500 Tikėtina 2026-08-31
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDI60N12AFXUMA1
Infineon Technologies
Gate Tvarkyklės 1200V Isolated 1-CH, 9.4A, SEP Output
62 551 Prieinamumas
47 500 Tikėtina 2026-08-31
Alternatyvi pakuotė
1
2,19 €
10
1,63 €
25
1,50 €
100
1,34 €
2 500
1,14 €
5 000
Peržiūrėti
250
1,26 €
500
1,22 €
1 000
1,18 €
5 000
1,12 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 500
Išsami Informacija
SiC SCHOTTKY diodai SIC DISCRETE
IDK20G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
7,54 €
4 490 Prieinamumas
6 000 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDK20G120C5XTMA1
Infineon Technologies
SiC SCHOTTKY diodai SIC DISCRETE
4 490 Prieinamumas
6 000 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
4 490 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
1 000 Tikėtina 2026-08-27
5 000 Tikėtina 2026-09-17
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
1
7,54 €
10
5,26 €
100
4,26 €
500
3,78 €
1 000
3,35 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
IDM02G120C5XTMA1
Infineon Technologies
1:
2,02 €
29 467 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDM02G120C5XTMA1
Infineon Technologies
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
29 467 Prieinamumas
1
2,02 €
10
1,27 €
100
0,903 €
500
0,761 €
2 500
0,654 €
5 000
Peržiūrėti
1 000
0,696 €
5 000
0,63 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 500
Išsami Informacija
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
IDW30G120C5BFKSA1
Infineon Technologies
1:
10,66 €
4 945 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDW30G120C5BFKSA
Infineon Technologies
SiC SCHOTTKY diodai SIC CHIP/DISCRETE
4 945 Prieinamumas
1
10,66 €
10
6,53 €
100
5,64 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
4,99 €
12 383 Prieinamumas
25 000 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
12 383 Prieinamumas
25 000 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
12 383 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
2 500 Tikėtina 2026-09-24
22 500 Tikėtina 2027-03-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių
1
4,99 €
10
2,61 €
100
2,38 €
500
2,01 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
+1 vaizdas
IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
9,23 €
6 658 Prieinamumas
6 240 Tikėtina 2026-08-24
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
6 658 Prieinamumas
6 240 Tikėtina 2026-08-24
1
9,23 €
10
5,46 €
100
4,64 €
480
4,54 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
+1 vaizdas
IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
3,65 €
23 007 Prieinamumas
23 760 Tikėtina 2027-04-08
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
23 007 Prieinamumas
23 760 Tikėtina 2027-04-08
1
3,65 €
10
2,35 €
100
1,76 €
480
1,47 €
1 200
Peržiūrėti
1 200
1,36 €
2 640
1,28 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
IDH10G65C6XKSA1
Infineon Technologies
1:
4,63 €
1 181 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDH10G65C6XKSA1
NRND
Infineon Technologies
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
1 181 Prieinamumas
1
4,63 €
10
2,41 €
100
2,19 €
500
1,81 €
1 000
1,80 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMW65R072M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
7,11 €
434 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW65R072M1HXKSA
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
434 Prieinamumas
1
7,11 €
10
4,42 €
100
3,72 €
480
3,52 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
IMZA65R027M1HXKSA1
Infineon Technologies
1:
13,52 €
1 469 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R027M1HXKS
NRND
Infineon Technologies
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
1 469 Prieinamumas
1
13,52 €
10
8,39 €
100
7,69 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
IPB60R040CFD7ATMA1
Infineon Technologies
1:
8,27 €
1 959 Prieinamumas
4 000 Tikėtina 2026-10-07
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB60R040CFD7ATM
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
1 959 Prieinamumas
4 000 Tikėtina 2026-10-07
1
8,27 €
10
5,67 €
100
4,33 €
500
4,26 €
1 000
4,09 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
2,87 €
7 593 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
7 593 Prieinamumas
1
2,87 €
10
1,87 €
100
1,30 €
500
1,05 €
1 000
0,963 €
2 000
0,955 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
MOSFETs LOW POWER_NEW
IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
2,38 €
5 548 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
5 548 Prieinamumas
1
2,38 €
10
1,54 €
100
1,06 €
500
0,851 €
1 000
0,783 €
2 000
0,741 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
IPB65R230CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1:
3,53 €
1 164 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPB65R230CFD7AAT
Infineon Technologies
MOSFETs AUTOMOTIVE_COOLMOS
1 164 Prieinamumas
1
3,53 €
10
2,31 €
100
1,63 €
500
1,35 €
1 000
1,26 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
MOSFETs LOW POWER_NEW
IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
1:
2,90 €
4 902 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPD80R360P7ATMA1
Infineon Technologies
MOSFETs LOW POWER_NEW
4 902 Prieinamumas
1
2,90 €
10
1,88 €
100
1,31 €
500
1,06 €
1 000
1,03 €
2 500
0,963 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 500
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
IPP60R090CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
5,77 €
642 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPP60R090CFD7XKS
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
642 Prieinamumas
1
5,77 €
10
3,36 €
100
2,79 €
500
2,47 €
1 000
2,19 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
+1 vaizdas
IPW60R018CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
16,74 €
215 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R018CFD7XKS
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
215 Prieinamumas
1
16,74 €
10
10,44 €
100
9,85 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
+1 vaizdas
IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
1:
8,00 €
73 Prieinamumas
960 Tikėtina 2026-08-27
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R045P7XKSA1
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
73 Prieinamumas
960 Tikėtina 2026-08-27
1
8,00 €
10
4,68 €
100
3,96 €
480
3,81 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
MOSFETs HIGH POWER_NEW
+1 vaizdas
IPW60R055CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1:
8,08 €
428 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IPW60R055CFD7XKS
Infineon Technologies
MOSFETs HIGH POWER_NEW
428 Prieinamumas
1
8,08 €
10
5,50 €
100
4,54 €
480
3,78 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Gate Tvarkyklės HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V
Infineon Technologies 2ED300C17-S ROHS
2ED300C17-S ROHS
Infineon Technologies
1:
167,85 €
150 Prieinamumas
60 Tikėtina 2026-10-15
„Mouser“ Dalies Nr.
641-2ED300C17-SROHS
Infineon Technologies
Gate Tvarkyklės HALFBRIDGE DRV 30A DC/DC 1700V
150 Prieinamumas
60 Tikėtina 2026-10-15
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Gate Tvarkyklės 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
2EDL05N06PF
Infineon Technologies
1:
1,06 €
272 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDL05N06PF
Infineon Technologies
Gate Tvarkyklės 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD
272 Prieinamumas
Alternatyvi pakuotė
1
1,06 €
10
0,764 €
25
0,691 €
100
0,611 €
250
Peržiūrėti
2 500
0,502 €
250
0,572 €
500
0,561 €
2 500
0,502 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
2 500
Išsami Informacija
Gate Tvarkyklės 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
6EDL04N06PT
Infineon Technologies
1:
2,34 €
365 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-6EDL04N06PT
Infineon Technologies
Gate Tvarkyklės 600V 3-Phase,0.375A BSD, OCP, EN & FAULT
365 Prieinamumas
Alternatyvi pakuotė
1
2,34 €
10
1,74 €
25
1,59 €
100
1,43 €
250
Peržiūrėti
1 000
1,25 €
250
1,35 €
500
1,32 €
1 000
1,25 €
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija