600V N-Channel Super Junction MOSFETs

PANJIT 600V N-Channel Super Junction MOSFETs feature a low RDS(ON) and high-speed switching in an ITO-220AB-F or TO-247AD-3LD package. The 600V MOSFETs support an RDS(ON) of 74mΩ, 190mΩ, 280mΩ, 360mΩ, 580mΩ, or 900mΩ. In addition, the MOSFETs provide a 4.4A, 8A, 11A, 13.8A, 8A, 20A, or 53A current. The 100% avalanche and Rg-tested PANJIT 600V N-Ch Super Junction MOSFETs offer ease of use.

Rezultatai: 26
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS ECAD modelis Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Kanalų skaičius
Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa
svar. – nuolatinio išleidimo srovė
RDS On - Drain-Source Varža
Vgs - užtūros-šaltinio įtampa
Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa
Qg – vartų krūvis
Minimali darbinė temperatūra
Didžiausia darbinė temperatūra
Pd - skaidos galia
Kanalas Mode
Pakavimas
Panjit MOSFETs 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
Duomenų Lapas
1 470Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 600V 280mohm Super Junction Easy versio
Duomenų Lapas
1 939Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
794Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 235 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V 190mohm Super Junction Easy versio
Duomenų Lapas
1 937Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
1 988Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
2 488Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si SMD/SMT TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 87.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
824Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
1 925Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 600V 580mohm Super Junction Easy versio
Duomenų Lapas
1 993Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 580 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 280mohms / 13.8A/ Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
2 985Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Si Through Hole TO-252AA-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13.8 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 27 nC - 55 C + 150 C 122.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
1 990Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole ITO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 34 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 99mohms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
830Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
Duomenų Lapas
1 997Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 308 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 105mOhms / 35A/ SJ MOSFET with Fast Recovery Qrr/trr / Ruggednss
Duomenų Lapas
2 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 5.8 V 60 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
Duomenų Lapas
1 470Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Through Hole TO-247AD-3LD N-Channel 1 Channel 600 V 53 A 74 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 84 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
5 990Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 6 000

Si TO-252AA-3 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
1 989Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy version Gen.1
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 360mohm Super Junction Easy versio
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 360 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18.7 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 20 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy version Gen.1
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube
Panjit MOSFETs 600V/ 900mohm Super Junction Easy versio
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 2 000
Daugkart.: 2 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 4.4 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 11.5 nC - 55 C + 150 C 23.6 W Enhancement Tube
Panjit MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Duomenų Lapas
Vykdymo Laikas 18 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Si Tube