RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Visi rezultatai (163)

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 6 937Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2 873Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) 5 850Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-346 (S-Mini) 7 443Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 7 584Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 6 190Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-4000 SOT-323 (USM) 2 764Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 5 892Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-700 SOT-416 (SSM) 6 676Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOD-323 8 335Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-08-03
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323 6 017Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 14 788Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:26V @1mA VESD:+/-25V IPP:3A IR:0.1uA SOT-323 3 510Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba ESD apsaugos diodai / TVS diodai AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:6.5pF VBR:32V @1mA VESD:+/-20V IPP:2.5A IR:0.1uA SOT-323 8 750Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 638Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 6 420Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-400 SOT-363 (US6) 5 962Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 1 154Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 4 629Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-400 SOT-563 (ES6) 7 757Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 4 630Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 5 805Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 5 442Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 8 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 15 409Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 8 000