RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors

Toshiba RN Automotive Bias Resistor Built-in Transistors (BRT) are AEC-Q101 qualified and optimized for switching, inverter circuit, interfacing, and driver circuit applications. The bias resistor is integrated, reducing the number of external parts required and decreasing system size and assembly time. The Toshiba RN Automotive Bias Resistor BRTs provide a wide resistance range to adjust to various circuit designs.

Visi rezultatai (163)

Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) 41 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 8 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F 37 368Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 772Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 998Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 980Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM) 7 943Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346) 5 953Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 5 119Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 2 715Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346) 5 985Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 688Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 5 870Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F 4 724Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6) 7 662Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6) 5 617Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563) 30 270Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F 5 683Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416) 136Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-10-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416) 3 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini) 954Prieinamumas
3 000Tikėtina 2027-02-12
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini) 5 764Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini) 7 585Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM) 6 937Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM) 487Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) 2 873Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000