{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 69

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kvalifikacija

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Kvalifikacija	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 UF3C065040K4S onsemi 1: 17,03 € 3 278Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065040K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065040K4S	onsemi	SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	3 278Prieinamumas	17,03 € 10,04 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	54 A	52 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	43 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 UF3C065080K3S onsemi 1: 10,78 € 626Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065080K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065080K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	626Prieinamumas	10,78 € 6,06 € 5,62 € 5,31 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 12 V, + 12 V	6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263 UJ4C075060B7S onsemi 1: 6,77 € 1 266Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ4C075060B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ4C075060B7S	onsemi	SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj4c4s 750v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	1 266Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,77 € 3,72 € 3,62 € 3,49 € Ritė 3,49 € 3,02 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	750 V	25.8 A	74 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	128 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3 UF3C065040T3S onsemi 1: 17,54 € 976Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065040T3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065040T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	976Prieinamumas	17,54 € 10,51 € 9,89 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	54 A	52 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 UF3C065080K4S onsemi 1: 11,09 € 583Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065080K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065080K4S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	583Prieinamumas	11,09 € 6,23 € 5,78 € 5,48 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24 UF3C120080K3S onsemi 1: 18,20 € 1 142Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C120080K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C120080K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	1 142Prieinamumas	18,20 € 10,94 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	33 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	254.2 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 UF3C065030T3S onsemi 1: 22,07 € 892Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065030T3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065030T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220-3 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	892Prieinamumas	22,07 € 13,99 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	5 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247 UF3C065040K3S onsemi 1: 16,78 € 1 166Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065040K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065040K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	1 166Prieinamumas	16,78 € 9,86 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	54 A	42 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	326 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220 UF3C065080T3S onsemi 1: 10,31 € 475Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C065080T3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C065080T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	475Prieinamumas	10,31 € 5,94 € 5,50 € 5,05 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 UJ4C075044B7S onsemi 1: 12,07 € 648Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ4C075044B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ4C075044B7S	onsemi	SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj4c4s 750v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	648Prieinamumas	Pjaunama Juosta 12,07 € 6,91 € 6,54 € Ritė 6,54 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	750 V	35.6 A	56 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26 UF3C120080B7S onsemi 1: 16,54 € 618Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C120080B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C120080B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO26 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic d2pak fets	Duomenų Lapas	618Prieinamumas	Pjaunama Juosta 16,54 € 10,37 € 9,68 € Ritė 9,68 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	28.8 A	85 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 UJ3C065080K3S onsemi 1: 10,40 € 684Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ3C065080K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ3C065080K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO247-3 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj3c sic fets	Duomenų Lapas	684Prieinamumas	10,40 € 5,72 € 5,71 € 5,31 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4 UJ4C075060K4S onsemi 1: 11,33 € 562Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ4C075060K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ4C075060K4S	onsemi	SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj4c 750v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	562Prieinamumas	11,33 € 6,30 € 5,93 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	750 V	28 A	74 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	155 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220 UJ3C065030T3S onsemi 1: 22,87 € 335Prieinamumas 1 000Tikėtina 2026-11-13	Gam. dalies Nr. UJ3C065030T3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ3C065030T3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO220 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj3c sic fets	Duomenų Lapas	335Prieinamumas 1 000Tikėtina 2026-11-13	22,87 € 18,31 € 15,84 € 13,99 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 UF3C120040K3S onsemi 1: 25,27 € 202Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C120040K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C120040K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO247-3 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic fets	Duomenų Lapas	202Prieinamumas	25,27 € 18,86 € 18,79 € 16,62 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	65 A	45 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 UJ3C065030K3S onsemi 1: 23,23 € 513Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ3C065030K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ3C065030K3S	onsemi	SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj3c sic fets	Duomenų Lapas	513Prieinamumas	23,23 € 14,08 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247 UJ4C075060K3S onsemi 1: 12,19 € 1 242Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ4C075060K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ4C075060K3S	onsemi	SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj4c 750v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	1 242Prieinamumas	12,19 € 7,94 € 6,91 € 6,20 € 5,74 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	750 V	28 A	74 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	155 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7 UJ4SC075011B7S onsemi 1: 25,44 € 279Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ4SC075011B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ4SC075011B7S	onsemi	SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj4c4s 750v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	279Prieinamumas	Pjaunama Juosta 25,44 € 20,15 € 18,53 € 16,75 € Ritė 16,75 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7L	1 Channel	750 V	104 A	11 mOhms	- 20 V, + 20 V	5.5 V	75 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7 UJ4SC075018B7S onsemi 1: 21,04 € 237Prieinamumas 800Tikėtina 2027-11-11	Gam. dalies Nr. UJ4SC075018B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ4SC075018B7S	onsemi	SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj4c4s 750v gen4 sic fets	Duomenų Lapas	237Prieinamumas 800Tikėtina 2027-11-11	Pjaunama Juosta 21,04 € 15,71 € 13,59 € 12,01 € Ritė 12,01 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	750 V	72 A	18 mOhms	- 20 V, + 20 V	6 V	37.8 nC	- 55 C	+ 175 C	259 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2 UF3C120150B7S onsemi 1: 10,98 € 343Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UF3C120150B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C120150B7S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic d2pak fets	Duomenų Lapas	343Prieinamumas	Pjaunama Juosta 10,98 € 6,30 € 5,81 € 5,50 € Ritė 5,50 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.2 kV	17 A	150 mOhms	- 25 V, + 25 V	4.4 V	25.7 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 UJ3C120040K3S onsemi 1: 31,53 € 382Prieinamumas	Gam. dalies Nr. UJ3C120040K3S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UJ3C120040K3S	onsemi	SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 Sužinokite Daugiau apie onsemi uj3c sic fets	Duomenų Lapas	382Prieinamumas	31,53 € 23,44 € 21,93 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	65 A	45 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 UF3C170400B7S onsemi 1: 10,02 € 26Prieinamumas 2 400Tikėtina 2027-01-15	Gam. dalies Nr. UF3C170400B7S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3C170400B7S	onsemi	SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3c sic d2pak fets	Duomenų Lapas	26Prieinamumas 2 400Tikėtina 2027-01-15	Pjaunama Juosta 10,02 € 7,08 € 5,25 € 5,08 € Ritė 4,90 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-7	1 Channel	1.7 kV	7.6 A	410 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	23.1 nC	- 55 C	+ 175 C	100 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4 UF3SC065007K4S onsemi 1: 67,00 € 445Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. UF3SC065007K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3SC065007K4S NRND	onsemi	SiC MOSFET 650V/7MOSICFETG3TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3sc sic fets	Duomenų Lapas	445Prieinamumas	67,00 € 56,52 € Pasiūlymas Pasiūlymas	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	120 A	9 mOhms	- 12 V, + 12 V	6 V	214 nC	- 55 C	+ 175 C	789 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-4 UF3SC120016K4S onsemi 1: 60,76 € 466Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. UF3SC120016K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3SC120016K4S NRND	onsemi	SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3sc sic fets	Duomenų Lapas	466Prieinamumas	60,76 € 49,25 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	107 A	21 mOhms	- 20 V, + 20 V	4 V	218 nC	- 55 C	+ 175 C	517 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247-4 UF3SC120009K4S onsemi 1: 60,56 € 358Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. UF3SC120009K4S „Mouser“ Dalies Nr. 431-UF3SC120009K4S NRND	onsemi	SiC MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247-4 Sužinokite Daugiau apie onsemi uf3sc sic fets	Duomenų Lapas	358Prieinamumas	60,56 € 47,79 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	120 A	11 mOhms	- 20 V, + 20 V	4 V	234 nC	- 55 C	+ 175 C	789 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET