Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 28
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A 7 775Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-10-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 530
: 2 500


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor 40 059Prieinamumas
51 000Tikėtina 2026-11-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA 14 908Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 670
: 3 000

Diodes Incorporated Darlington tranzistoriai SS Mid-Perf Transistor 18 360Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 530
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V 132 486Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 45V PNP SS Trans Vcbo -50V 350mW 12 613Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT General Purpose Transistor 311Prieinamumas
87 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor 35 578Prieinamumas
50 000Tikėtina 2026-10-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 740
: 10 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Mid-Perf Transistor 4 989Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 510
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 100V NPN Med PWR 1A Ic 2A Icm 500mW 1 163Prieinamumas
45 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 400V PNP High Volt 500mW -150mA 6 510Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Hi Voltage Transistor 4 302Prieinamumas
6 000Tikėtina 2027-06-25
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 460
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V PNP Med PWR 350mOhm -500mV -1A 4 829Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 510
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A 3 621Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 470
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V PNP Low Sat 625mW -1.5A Cont 3 614Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 370
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 450Prieinamumas
66 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 030
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 378Prieinamumas
15 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A 37Prieinamumas
2 000Tikėtina 2027-09-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 2 366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 1 768Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm 306Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai Transistor Array 4 838Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 420
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm 13Prieinamumas
21 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor
460 334Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 32 000
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor
147 878Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 1 000