CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Tranzistorių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 28
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS Gaminio tipas Technologijos Montavimo stilius Pakuotė / Korpusas Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 724Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 2 226Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 2 854Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE 436Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE 899Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE 1 514Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 1 670Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 11Prieinamumas
240Tikėtina 2027-04-29
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 195Prieinamumas
480Tikėtina 2026-12-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 44Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
3 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 750
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V 81Prieinamumas
3 750Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture 96Prieinamumas
750Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 336Prieinamumas
750Tikėtina 2026-10-06
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 121Prieinamumas
240Tikėtina 2027-04-08
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 138Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 16Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-26
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
3 500Tikėtina 2026-09-24
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
5 973Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
1 028Tikėtina 2026-10-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
2 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
452Tikėtina 2026-12-03
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel