CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

Puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 40
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
25Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
42Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
161Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
249Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
310Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 995Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 000Tikėtina 2026-09-24
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
2 160Tikėtina 2026-08-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
473Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
235Tikėtina 2026-08-19
Min.: 1
Daugkart.: 1



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 240
Daugkart.: 240