Igbt Moduliai IGBT 1700V 450A
FF450R17ME4
Infineon Technologies
1:
151,65 €
110 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R17ME4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai IGBT 1700V 450A
110 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Dual
1.7 kV
1.95 V
600 A
400 nA
2.5 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
FF450R12ME7B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
120,82 €
17 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME7B11BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
17 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
450 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12ME4WB73BPSA1
Infineon Technologies
1:
176,73 €
19 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME4WB73B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
19 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
995 A
400 nA
4.05 kW
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
IFF600B12ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
189,35 €
12 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IFF600B12ME4PB11
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
12 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
600 A
400 nA
152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm
- 40 C
+ 150 C
Press Fit
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
FF900R12ME7WB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
236,71 €
6 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7WB11B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
6 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
890 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1700 V, 300 A dual IGBT module
FF300R17ME4PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
182,06 €
1 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF300R17ME4PB11B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1700 V, 300 A dual IGBT module
1 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Dual
1.7 kV
1.95 V
300 A
20 mW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
Si
Tray
Igbt Moduliai 650 V, 450 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
119,12 €
9 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R07ME4B11B1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 650 V, 450 A dual IGBT module
9 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
650 V
1.55 V
560 A
100 nA
1.45 kW
- 40 C
+ 150 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1700 V, 900 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF900R17ME7B11BPSA1
FF900R17ME7B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
211,69 €
6 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R17ME7B11BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1700 V, 900 A dual IGBT module
6 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.7 kV
1.7 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF450R12ME4P
FF450R12ME4P
Infineon Technologies
1:
143,22 €
7 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12ME4P
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
7 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF450R12ME4P_B11
FF450R12ME4P_B11
Infineon Technologies
1:
144,08 €
4 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12ME4P_B11
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
4 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Si
Tray
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 275A
Infineon Technologies FF225R12MS4
FF225R12MS4
Infineon Technologies
1:
174,80 €
9 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF225R12MS4
NRND
Infineon Technologies
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 275A
9 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
3.2 V
275 A
400 nA
1.45 kW
Econo D
- 40 C
+ 125 C
Screw Mount
Si
Tray
Igbt Moduliai EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
FF900R17ME7CBPSA1
Infineon Technologies
1:
231,12 €
30 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R17ME7CBPSA
Naujas Produktas
Infineon Technologies
Igbt Moduliai EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
30 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Dual
1.7 kV
1.85 V
900 A
100 nA
20 mW
Press Fit
Si
Tray
Igbt Moduliai IGBT 1200V 450A
FF450R12ME4
Infineon Technologies
1:
134,78 €
377 Prieinamumas
350 Tikėtina 2026-11-06
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12ME4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai IGBT 1200V 450A
377 Prieinamumas
350 Tikėtina 2026-11-06
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
675 A
400 nA
2.25 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
Si
Tray
Igbt Moduliai IGBT 1200V 225A
FF225R12ME4
Infineon Technologies
1:
101,53 €
57 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF225R12ME4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai IGBT 1200V 225A
57 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
1.2 kV
2.15 V
225 A
400 nA
1.05 kW
- 40 C
+ 150 C
Screw Mount
Si
Tray
Igbt Moduliai 1700 V, 600 A dual IGBT module
FF600R17ME4
Infineon Technologies
1:
184,50 €
14 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF600R17ME4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1700 V, 600 A dual IGBT module
14 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.7 kV
1.95 V
950 A
100 nA
- 40 C
+ 150 C
Si
Tray
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
FF600R12ME4B72BOSA1
Infineon Technologies
1:
165,08 €
24 Prieinamumas
40 Tikėtina 2026-11-06
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME4B72BO
Infineon Technologies
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
24 Prieinamumas
40 Tikėtina 2026-11-06
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
600 A
400 nA
152 mm x 62.5 mm x 20.8 mm
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
FF600R12ME7B11BPSA2
Infineon Technologies
1:
150,17 €
29 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME7B11B2
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 600 A dual IGBT module
29 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
FF900R12ME7PB11BPSA1
Infineon Technologies
1:
187,41 €
51 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7PB11B
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
51 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
FF900R12ME7B11NPSA1
Infineon Technologies
1:
219,99 €
11 Prieinamumas
50 Tikėtina 2026-11-06
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7B11N1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 900 A dual IGBT module
11 Prieinamumas
50 Tikėtina 2026-11-06
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Ne
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
900 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai IGBT 1700V 300A
Infineon Technologies FF300R17ME4
FF300R17ME4
Infineon Technologies
1:
139,01 €
11 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R17ME4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai IGBT 1700V 300A
11 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
FF300R12ME7B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
107,95 €
5 Prieinamumas
20 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF300R12ME7B11BP
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 300 A dual IGBT module
5 Prieinamumas
20 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
10 Tikėtina 2027-04-08
10 Tikėtina 2027-05-06
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.5 V
300 A
100 nA
- 40 C
+ 175 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 650 V, 300 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF300R07ME4BOSA1
FF300R07ME4BOSA1
Infineon Technologies
1:
106,21 €
7 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF300R07ME4BOSA1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 650 V, 300 A dual IGBT module
7 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
IGBT Silicon Modules
Dual
650 V
1.55 V
300 A
100 nA
- 40 C
+ 150 C
Si
Tray
Igbt Moduliai 650 V, 600 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF600R07ME4B11BPSA1
FF600R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies
1:
183,58 €
4 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R07ME4B11B1
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 650 V, 600 A dual IGBT module
4 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
650 V
1.55 V
700 A
100 nA
1.8 kW
- 40 C
+ 150 C
Si
Tray
Igbt Moduliai IGBT 1200V 300A
FF300R12ME4
Infineon Technologies
1:
121,97 €
480 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12ME4
Infineon Technologies
Igbt Moduliai IGBT 1200V 300A
480 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Pagal užsakymą:
90 Tikėtina 2026-11-12
130 Tikėtina 2027-01-28
260 Tikėtina 2027-05-27
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
450 A
400 nA
1.6 kW
- 40 C
+ 125 C
Screw Mount
Si
Tray
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
FF450R12ME4B11BPSA2
Infineon Technologies
1:
134,78 €
57 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME4B11B2
Infineon Technologies
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
57 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Pagal užsakymą:
27 Tikėtina 2026-12-17
30 Tikėtina 2027-03-09
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
IGBT Silicon Modules
Dual
1.2 kV
1.75 V
675 A
400 nA
2.25 kW
- 40 C
+ 150 C
Si
Tray