SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
NTBG040N120SC1
onsemi
1:
18,13 €
947 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG040N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
947 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
60 A
56 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
+1 vaizdas
NTH4L040N120SC1
onsemi
1:
18,19 €
1 338 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L040N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
1 338 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
58 A
56 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
+1 vaizdas
NVHL160N120SC1
onsemi
1:
11,65 €
2 372 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVHL160N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
2 372 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
17 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
119 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
+1 vaizdas
NTH4L028N170M1
onsemi
1:
31,02 €
753 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L028N170M1
NRND
onsemi
SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
753 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.7 kV
81 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
200 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
NVBG080N120SC1
onsemi
1:
10,44 €
1 930 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVBG080N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
1 930 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
30 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
NTBG160N120SC1
onsemi
1:
8,12 €
1 830 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG160N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
1 830 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
19.5 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
33.8 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
+1 vaizdas
NTHL080N120SC1A
onsemi
1:
11,90 €
1 040 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTHL080N120SC1A
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V
1 040 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
+1 vaizdas
NVH4L080N120SC1
onsemi
1:
10,95 €
660 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVH4L080N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
660 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
29 A
80 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
+1 vaizdas
NVHL080N120SC1
onsemi
1:
14,07 €
1 182 Prieinamumas
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVHL080N120SC1
NRND
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS 80MW 1200 V 80 mOhms 44A
1 182 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
31 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
178 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
NVBG020N120SC1
onsemi
1:
47,63 €
84 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVBG020N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
84 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
98 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
220 nC
- 55 C
+ 175 C
468 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
+1 vaizdas
NVH4L020N120SC1
onsemi
1:
41,47 €
266 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVH4L020N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
266 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
102 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
220 nC
- 55 C
+ 175 C
510 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
+1 vaizdas
NVH4L040N120SC1
onsemi
1:
24,42 €
224 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVH4L040N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
224 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
58 A
56 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
319 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
+1 vaizdas
NVH4L160N120SC1
onsemi
1:
12,32 €
181 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVH4L160N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
181 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
17.3 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
111 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
NVBG040N120SC1
onsemi
1:
25,11 €
53 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVBG040N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
53 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
60 A
56 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
357 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS 20MW 1200V
NTBG020N120SC1
onsemi
1:
33,51 €
2 160 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG020N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS 20MW 1200V
2 160 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
98 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
220 nC
- 55 C
+ 175 C
468 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET 20MW 1200V
+1 vaizdas
NTHL020N120SC1
onsemi
1:
33,24 €
745 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTHL020N120SC1
onsemi
SiC MOSFET 20MW 1200V
745 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
103 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
203 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET 20MW 1200V
+1 vaizdas
NVHL020N120SC1
onsemi
1:
45,03 €
755 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVHL020N120SC1
onsemi
SiC MOSFET 20MW 1200V
755 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
103 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
203 nC
- 55 C
+ 175 C
535 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
NTBG080N120SC1
onsemi
1:
11,76 €
426 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG080N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V
426 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
30 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
179 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
+1 vaizdas
NTH4L020N120SC1
onsemi
1:
29,53 €
177 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L020N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 20MOHM 1200V
177 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
102 A
28 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
220 nC
- 55 C
+ 175 C
510 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
+1 vaizdas
NTH4L160N120SC1
onsemi
1:
8,86 €
1 733 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L160N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART
1 733 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
17.3 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
111 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
+1 vaizdas
NTHL040N120SC1
onsemi
1:
20,07 €
363 Prieinamumas
450 Tikėtina 2026-10-26
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTHL040N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
363 Prieinamumas
450 Tikėtina 2026-10-26
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
60 A
56 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
106 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
+1 vaizdas
NTHL160N120SC1
onsemi
1:
8,64 €
477 Prieinamumas
450 Tikėtina 2027-06-18
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTHL160N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V
477 Prieinamumas
450 Tikėtina 2027-06-18
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 450
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
17 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
34 nC
- 55 C
+ 175 C
119 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
NVBG160N120SC1
onsemi
1:
11,43 €
990 Prieinamumas
800 Tikėtina 2027-04-16
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVBG160N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V
990 Prieinamumas
800 Tikėtina 2027-04-16
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 800
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
19.5 A
224 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
33.8 nC
- 55 C
+ 175 C
136 W
Enhancement
AEC-Q101
EliteSiC
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
+1 vaizdas
NTH4L080N120SC1
onsemi
1:
11,24 €
183 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTH4L080N120SC1
onsemi
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V
183 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
29 A
110 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
56 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
NTBG028N170M1
onsemi
1:
34,76 €
6 109 Pagal užsakymą
NRND
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTBG028N170M1
NRND
onsemi
SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO263-7L
6 109 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Pagal užsakymą:
509 Tikėtina 2026-12-08
2 400 Tikėtina 2027-01-04
800 Tikėtina 2027-01-08
2 400 Tikėtina 2027-01-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 800
Reel :
800
Išsami Informacija
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.7 kV
71 A
40 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
222 nC
- 55 C
+ 175 C
428 W
Enhancement
EliteSiC