{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ MOSFETs

Infineon CoolSiC™ MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. The discrete CoolSiC portfolio in TO- and SMD-housings comes in 650V, 1200V, and 1700V voltage classes, with on-resistance ratings from 27mΩ up to 1000mΩ. CoolSiC trench technology enables a flexible parameter set, which is used to implement application-specific features in respective product portfolios. These features include gate-source voltages, avalanche specification, short-circuit capability, or internal body diode rated for hard commutation.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 29

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,96 € 303Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R060M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	303Prieinamumas	Pjaunama Juosta 8,96 € 4,99 € 4,70 € Ritė 4,45 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,02 € 825Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R090M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	825Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,02 € 4,15 € 3,74 € 3,56 € Ritė 3,50 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,73 € 2 459Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R220M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	2 459Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,73 € 3,04 € 2,73 € Ritė 2,42 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,93 € 617Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R045M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	617Prieinamumas	Pjaunama Juosta 11,93 € 7,27 € 6,75 € Ritė 6,38 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 5,42 € 368Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R140M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	368Prieinamumas	5,42 € 3,76 € 3,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 6,58 € 6 410Prieinamumas 9 000Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBF170R450M1XTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Duomenų Lapas	6 410Prieinamumas 9 000Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMBF170R450M1XTMA1 Turime sandėlyje: 6 410 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 3 000 Tikėtina 2027-07-08 6 000 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	Pjaunama Juosta 6,58 € 4,40 € 3,54 € 3,15 € Ritė 2,79 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,22 € 3 851Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R220M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	3 851Prieinamumas	6,22 € 3,24 € 2,98 € 2,97 € 2,69 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1 701Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R027M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	1 701Prieinamumas	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,25 € 339Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R048M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	339Prieinamumas	9,25 € 5,03 € 4,65 € 4,62 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,86 € 839Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R060M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	839Prieinamumas	9,86 € 7,14 € 5,94 € 5,29 € 4,95 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R048M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	298Prieinamumas	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,85 € 2 436Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMBF170R650M1XTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Duomenų Lapas	2 436Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,85 € 3,84 € 2,82 € 2,51 € Ritė 2,22 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 14,07 € 944Prieinamumas 1 000Tikėtina 2027-10-21 NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R030M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	944Prieinamumas 1 000Tikėtina 2027-10-21	Pjaunama Juosta 14,07 € 8,43 € Ritė 7,87 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,46 € 3 842Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R140M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	3 842Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,46 € 3,47 € 3,17 € Ritė 2,95 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,39 € 1 120Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMBG120R350M1HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	Duomenų Lapas	1 120Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,39 € 3,53 € 2,61 € 2,36 € Ritė 2,36 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 500 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 16,15 € 239Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R030M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	239Prieinamumas	16,15 € 12,30 € 10,25 € 9,13 € 7,76 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,95 € 884Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R090M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	884Prieinamumas	7,95 € 4,26 € 3,92 € 3,73 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,85 € 314Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R072M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	314Prieinamumas	6,85 € 3,93 € 3,66 € 3,52 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,51 € 463Prieinamumas NRND	Gam. dalies Nr. IMW65R107M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	463Prieinamumas	6,51 € 3,41 € 3,14 € 2,90 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,53 € 27Prieinamumas 1 920Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R060M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	27Prieinamumas 1 920Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMW120R060M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 27 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 720 Laukiama 1 200 Tikėtina 2026-11-19 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	9,53 € 6,73 € 5,62 € 5,00 € 4,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,12 € 63Prieinamumas 960Tikėtina 2026-12-10 NRND	Gam. dalies Nr. IMW120R350M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Duomenų Lapas	63Prieinamumas 960Tikėtina 2026-12-10	6,12 € 4,01 € 2,96 € 2,62 € 2,32 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,03 € 19Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R220M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Duomenų Lapas	19Prieinamumas 2 160Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZ120R220M1HXKSA1 Turime sandėlyje: 19 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 960 Tikėtina 2027-03-25 1 200 Tikėtina 2027-04-01 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	7,03 € 4,70 € 3,78 € 3,35 € 2,98 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	13 A	220 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,15 € 179Prieinamumas 240Tikėtina 2027-01-28 NRND	Gam. dalies Nr. IMZ120R350M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZ120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package	Duomenų Lapas	179Prieinamumas 240Tikėtina 2027-01-28	6,15 € 4,11 € 3,31 € 2,93 € 2,60 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	350 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,68 € 17Prieinamumas 3 600Pagal užsakymą NRND	Gam. dalies Nr. IMZA65R027M1HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Duomenų Lapas	17Prieinamumas 3 600Pagal užsakymą	13,68 € 7,75 € 7,68 € 7,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24 930Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBF170R1K0M1XTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Duomenų Lapas	24 930Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMBF170R1K0M1XTMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 1 930 Tikėtina 2027-01-07 23 000 TBD Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	Pjaunama Juosta 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Ritė 1,85 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC