{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 45

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 IMZC120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,89 € 122Prieinamumas 960Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R012M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R012M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	122Prieinamumas 960Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R012M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 122 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 720 Tikėtina 2026-11-12 240 Tikėtina 2027-08-05 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	22,89 € 14,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	129 A	12 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C		Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 IMZC120R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,42 € 18Prieinamumas 960Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R026M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R026M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	18Prieinamumas 960Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R026M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 18 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2026-10-20 240 Tikėtina 2027-01-28 480 Tikėtina 2027-05-06 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	13,42 € 7,66 € 7,13 € 7,10 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	69 A	25 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	289 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R012M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 23,45 € 143Prieinamumas 2 000Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBG120R012M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R012M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	143Prieinamumas 2 000Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMBG120R012M2HXTMA1 Turime sandėlyje: 143 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 1 000 Tikėtina 2026-10-15 1 000 Tikėtina 2026-10-19 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	Pjaunama Juosta 23,45 € 16,38 € 15,95 € 15,11 € Ritė 14,30 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	144 A	12.2 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	600 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R022M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 14,04 € 294Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMBG120R022M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R022M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	294Prieinamumas	Pjaunama Juosta 14,04 € 8,41 € 8,40 € Ritė 7,96 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	87 A	21.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	385 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,33 € 1 609Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMBG120R026M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R026M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 609Prieinamumas	Pjaunama Juosta 11,33 € 6,89 € 6,79 € Ritė 6,52 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	75 A	25.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	335 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R053M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,23 € 561Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMBG120R053M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R053M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	561Prieinamumas	Pjaunama Juosta 8,23 € 4,54 € 4,18 € 4,15 € Ritė 3,71 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	41 A	52.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	205 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R181M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,01 € 844Prieinamumas 2 000Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBG120R181M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R181M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	844Prieinamumas 2 000Pagal užsakymą	Pjaunama Juosta 5,01 € 2,63 € 2,40 € 2,17 € Ritė 2,05 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	14.9 A	181.4 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.7 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R234M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 4,53 € 5 092Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMBG120R234M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R234M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	5 092Prieinamumas	Pjaunama Juosta 4,53 € 2,36 € 2,14 € 1,89 € Ritė 1,88 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 1 000 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	8.1 A	233.9 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	7.9 nC	- 55 C	+ 175 C	80 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,71 € 200Prieinamumas 1 000Tikėtina 2026-12-10	Gam. dalies Nr. IMBG120R040M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R040M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	200Prieinamumas 1 000Tikėtina 2026-12-10	Pjaunama Juosta 9,71 € 5,55 € 4,99 € Ritė 4,72 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	52 A	39.6 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	250 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R078M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,23 € 46Prieinamumas 2 000Tikėtina 2027-06-10	Gam. dalies Nr. IMBG120R078M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R078M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	46Prieinamumas 2 000Tikėtina 2027-06-10	Pjaunama Juosta 7,23 € 3,90 € 3,58 € 3,46 € Ritė 3,05 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	29 A	78.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	20.6 nC	- 55 C	+ 175 C	158 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 IMZC120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,18 € 5Prieinamumas 960Tikėtina 2027-08-26 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R078M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R078M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	5Prieinamumas 960Tikėtina 2027-08-26	8,18 € 4,39 € 4,05 € 3,62 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	28 A	78 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 16,70 € 2 000Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMBG120R017M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R017M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 000Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMBG120R017M2HXTMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 1 000 Tikėtina 2026-10-15 1 000 Tikėtina 2027-09-07 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	Pjaunama Juosta 16,70 € 10,51 € 10,25 € 10,00 € Ritė 9,82 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	107 A	17.1 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	89 nC	- 55 C	+ 175 C	470 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R004M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 56,39 € 5 039Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R004M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R004M2HXU Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	5 039Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMCQ120R004M2HXUMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 539 Tikėtina 2026-10-22 750 Tikėtina 2026-10-29 3 750 Tikėtina 2027-01-07 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	Pjaunama Juosta 56,39 € 48,17 € 47,98 € 46,98 € Ritė 44,97 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22-U03	1 Channel	1.2 kV	403 A	10.4 mOhms	- 10 V, 25 V	5.1 V	348 nC	- 55 C	+ 175 C	1.5 kW	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package IMCQ120R005M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 48,20 € 492Tikėtina 2026-10-22 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMCQ120R005M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMCQ120R005M2HXU Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	492Tikėtina 2026-10-22	Pjaunama Juosta 48,20 € 39,22 € 35,05 € Ritė 35,05 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	PG-HDSOP-22	1 Channel	1.2 kV	342 A	13.6 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	261 nC	- 55 C	+ 175 C	1.364 kW	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package IMBG120R116M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,87 € 2 000Tikėtina 2027-02-18	Gam. dalies Nr. IMBG120R116M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG120R116M2HXT	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 000Tikėtina 2027-02-18	Pjaunama Juosta 5,87 € 3,12 € 2,86 € 2,67 € Ritė 2,53 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	21.2 A	115.7 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	14.4 nC	- 55 C	+ 175 C	123 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology IMSQ120R053M2HHXUMA1 Infineon Technologies 1: 14,47 € 729Tikėtina 2026-11-19 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMSQ120R053M2HHXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMSQ120R053M2HHX Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	729Tikėtina 2026-11-19	Pjaunama Juosta 14,47 € 9,82 € 9,18 € 7,75 € Ritė 7,65 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750				1.2 kV
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R012M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,89 € 470Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R012M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R012M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	470Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA120R012M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 230 Tikėtina 2026-10-15 240 Tikėtina 2026-11-26 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 60 Savaičių	22,89 € 14,67 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV		16 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	124 nC	- 55 C	+ 175 C	480 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,27 € 240Tikėtina 2026-10-15 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R040M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R040M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	240Tikėtina 2026-10-15	10,27 € 5,64 € 5,29 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	48 A	51 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 IMZC120R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 10,63 € 1 992Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZC120R040M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZC120R040M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 992Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZC120R040M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 480 Tikėtina 2026-10-08 960 Tikėtina 2026-10-16 240 Tikėtina 2026-11-12 312 Tikėtina 2026-11-15 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 53 Savaičių	10,63 € 5,98 € 5,46 € 5,23 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	48 A	40 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	39 nC	- 55 C	+ 175 C	218 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 IMZA120R078M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,08 € 240Tikėtina 2026-11-05 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA120R078M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA120R078M2HXK Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets	Duomenų Lapas	240Tikėtina 2026-11-05	8,08 € 5,68 € 4,60 € 3,78 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	PG-TO247-4-U02	1 Channel	1.2 kV	28 A	103 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.1 V	21 nC	- 55 C	+ 175 C	143 W	Enhancement	CoolSiC