{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs offer high-performance solutions for power electronics applications. These MOSFETs demonstrate excellent electrical characteristics and exhibit very low switching losses, enabling efficient operation. The 1200V G2 MOSFETs are designed for overload conditions, supporting operation up to 200°C, and can withstand short circuits for up to 2µs. These devices feature a 4.2V benchmark gate threshold voltage V_GS(th) and ensure precise control. The CoolSiC MOSFET 1200V G2 is available in three packages that build upon the strengths of Generation 1 technology to provide advanced solutions for more cost-optimized, efficient, compact, easy-to-design, and reliable systems. Generation 2 significantly improves key figures of merit for hard-/soft-switching topologies, ideal for all common combinations of DC-DC, AC-DC, and DC-AC stages.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 45

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Dalies Nr.

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 15,65 €
188Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMY120R018CM2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R018CM2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

188Prieinamumas

15,65 €

9,15 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

73 nC

- 40 C

+ 175 C

356 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11,26 €
215Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMY120R036AM2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R036AM2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

215Prieinamumas

11,26 €

6,24 €

5,97 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

171 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

IMZC120R007M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 35,64 €
188Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R007M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R007M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

188Prieinamumas

960Pagal užsakymą

35,64 €

26,50 €

25,28 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U07

1 Channel

1.2 kV

201 A

20 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

176 nC

- 55 C

+ 175 C

711 W

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 11,04 €
172Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMY120R036CM2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R036CM2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

172Prieinamumas

11,04 €

6,11 €

5,82 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

44 A

45 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

37 nC

- 40 C

+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 16,92 €
1 453Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R017M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R017M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 453Prieinamumas

Pjaunama Juosta

16,92 €

11,84 €

10,72 €

10,01 €

Ritė

10,01 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 37,25 €
556Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R012M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R012M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

556Prieinamumas

Pjaunama Juosta

37,25 €

28,91 €

27,37 €

Ritė

27,37 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 36,43 €
118Prieinamumas
5 250Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R007M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R007M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

118Prieinamumas

5 250Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

36,43 €

29,73 €

26,26 €

24,87 €

Ritė

24,87 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22

1.2 kV

257 A

7.5 mOhms

4.2 V

+ 175 C

- 55 C

1.172 kW

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 27,93 €
573Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-11-19
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R010M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R010M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

573Prieinamumas

3 000Tikėtina 2026-11-19

Pjaunama Juosta

27,93 €

21,97 €

19,34 €

17,34 €

Ritė

17,34 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 12,32 €
1 774Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R026M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 774Prieinamumas

Pjaunama Juosta

12,32 €

7,09 €

6,95 €

Ritė

6,71 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

82 A

67 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

63.4 nC

- 55 C

+ 175 C

405 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 10,35 €
1 111Prieinamumas
750Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R034M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R034M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 111Prieinamumas

750Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

10,35 €

6,88 €

6,24 €

5,41 €

Ritė

5,26 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

64 A

89 mOhms

- 10 V, + 25 C

5.1 V

48.7 nC

- 55 C

+ 175 C

326 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 9,69 €
951Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R040M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

951Prieinamumas

Pjaunama Juosta

9,69 €

5,41 €

5,19 €

4,91 €

Ritė

4,91 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

56 A

104 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

42.4 nC

- 55 C

+ 175 C

288 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 7,36 €
2 299Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R078M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

2 299Prieinamumas

Pjaunama Juosta

7,36 €

4,10 €

3,77 €

3,72 €

Ritė

3,28 €

Pasiūlymas

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

31 A

205 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

23.2 nC

- 55 C

+ 175 C

176 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 14,83 €
277Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R022M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R022M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

277Prieinamumas

14,83 €

8,53 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

80 A

29 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 22,90 €
235Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R012M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R012M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

235Prieinamumas

960Pagal užsakymą

22,90 €

14,88 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

129 A

12 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 17,96 €
384Prieinamumas
720Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R017M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R017M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

384Prieinamumas

720Pagal užsakymą

17,96 €

12,97 €

11,27 €

10,76 €

Pasiūlymas

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

97 A

17 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 15,94 €
1 335Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R022M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R022M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

1 335Prieinamumas

15,94 €

10,97 €

9,48 €

8,83 €

8,42 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

80 A

22 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

329 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 10,78 €
699Prieinamumas
240Tikėtina 2026-10-01
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R034M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R034M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

699Prieinamumas

240Tikėtina 2026-10-01

10,78 €

5,96 €

5,64 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

55 A

- 10 V, + 25 V

5.1 V

45 nC

- 55 C

+ 175 C

244 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 8,74 €
632Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R053M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R053M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

632Prieinamumas

8,74 €

4,72 €

4,36 €

4,28 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

38 A

53 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

182 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 31,31 €
740Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą

Gam. dalies Nr.
IMBG120R008M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

740Prieinamumas

2 000Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

31,31 €

23,29 €

23,28 €

22,06 €

Ritė

22,06 €

„MouseReel“ galima

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 8,14 €
324Prieinamumas
750Tikėtina 2026-11-05
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMCQ120R053M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

324Prieinamumas

750Tikėtina 2026-11-05

Pjaunama Juosta

8,14 €

4,46 €

4,13 €

3,90 €

Ritė

3,90 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

SMD/SMT

PG-HDSOP-22-U03

1 Channel

1.2 kV

43 A

138 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

32.8 nC

- 55 C

+ 175 C

234 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 20,54 €
692Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R026M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R026M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

692Prieinamumas

Pjaunama Juosta

20,54 €

13,68 €

12,95 €

Ritė

12,95 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1: 16,27 €
540Prieinamumas
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMSQ120R040M2HHXUMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R040M2HHX

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

540Prieinamumas

Pjaunama Juosta

16,27 €

10,17 €

9,86 €

Ritė

9,49 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 750

1.2 kV

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

IMZA120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 17,66 €
47Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZA120R017M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R017M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

47Prieinamumas

480Pagal užsakymą

17,66 €

11,91 €

10,62 €

10,40 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

PG-TO247-4-U02

1 Channel

1.2 kV

97 A

23 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

89 nC

- 55 C

+ 175 C

382 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1: 13,24 €
86Prieinamumas
960Pagal užsakymą
Naujas Produktas

Gam. dalies Nr.
IMZC120R026M2HXKSA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R026M2HXK

Naujas Produktas

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

86Prieinamumas

960Pagal užsakymą

13,24 €

8,68 €

7,96 €

7,36 €

7,10 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

Through Hole

TO-247-4

1 Channel

1.2 kV

69 A

25 mOhms

- 10 V, + 25 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

289 W

Enhancement

CoolSiC

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: 23,35 €
177Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą

Gam. dalies Nr.
IMBG120R012M2HXTMA1

„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Sužinokite Daugiau

Duomenų Lapas

177Prieinamumas

2 000Pagal užsakymą

Pjaunama Juosta

23,35 €

16,38 €

15,73 €

15,26 €

Ritė

14,10 €

Min.: 1
Daugkart.: 1

: 1 000

SMD/SMT

TO-263-7

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

CoolSiC™ 1200V G2 Silicon Carbide MOSFETs

klientų aptarnavimas

Įmonė

Ištekliai

Pagalba

8.1 A
14.9 A
21.2 A
28 A
29 A
31 A
38 A
41 A
43 A
44 A
48 A
52 A
55 A
56 A
64 A
69 A
75 A
80 A
82 A
87 A

7.5 mOhms
7.7 mOhms
10.4 mOhms
12 mOhms
12.2 mOhms
13.6 mOhms
16 mOhms
17 mOhms
17.1 mOhms
20 mOhms
21.6 mOhms
22 mOhms
23 mOhms
25 mOhms
25.4 mOhms
29 mOhms
34 mOhms
39.6 mOhms
40 mOhms
45 mOhms

7.9 nC
8.1 nC
9.7 nC
14.4 nC
20.6 nC
21 nC
23.2 nC
30 nC
32.8 nC
37 nC
39 nC
42.4 nC
45 nC
48.7 nC
60 nC
63.4 nC
71 nC
73 nC
89 nC
124 nC

80 W
94 W
123 W
143 W
158 W
171 W
176 W
182 W
205 W
218 W
234 W
244 W
250 W
288 W
289 W
326 W
329 W
335 W
356 W
382 W