SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
IMCQ120R010M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
28,72 €
2 Prieinamumas
3 750 Pagal užsakymą
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R010M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
2 Prieinamumas
3 750 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
2 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
3 000 Tikėtina 2026-11-19
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
IMY120R018CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
15,99 €
176 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R018CM2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
176 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
IMY120R036AM2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
11,49 €
215 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R036AM2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
215 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
IMY120R036CM2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
11,27 €
172 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMY120R036CM2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 co-packed with soft, fast recovery EmitterControlled 7 diode
172 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO-247-4
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
IMCQ120R007M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
35,84 €
1 021 Prieinamumas
3 000 Pagal užsakymą
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R007M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
1 021 Prieinamumas
3 000 Pagal užsakymą
Peržiūrėti datas
Turime sandėlyje:
1 021 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
750 Tikėtina 2027-03-04
2 250 Tikėtina 2027-07-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
53 Savaičių
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
PG-HDSOP-22
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
IMCQ120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
17,17 €
1 381 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R017M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Q-DPAK top-side cooling
1 381 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
IMSQ120R012M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1:
38,07 €
446 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R012M2HHX
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
446 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
12,60 €
1 123 Prieinamumas
750 Tikėtina 2027-01-07
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R026M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
1 123 Prieinamumas
750 Tikėtina 2027-01-07
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R034M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
10,67 €
1 507 Prieinamumas
750 Pagal užsakymą
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R034M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
1 507 Prieinamumas
750 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
9,92 €
675 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R040M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
675 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
8,33 €
314 Prieinamumas
750 Tikėtina 2026-11-30
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R053M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
314 Prieinamumas
750 Tikėtina 2026-11-30
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
IMCQ120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
7,32 €
2 150 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
2 150 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
PG-HDSOP-22-U03
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
IMSQ120R026M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1:
20,98 €
662 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R026M2HHX
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
662 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
IMSQ120R040M2HHXUMA1
Infineon Technologies
1:
17,09 €
438 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMSQ120R040M2HHX
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with top side cooling and .XT technology
438 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
750
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
24,61 €
228 Prieinamumas
240 Tikėtina 2026-11-30
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R012M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
228 Prieinamumas
240 Tikėtina 2026-11-30
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
16,37 €
267 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R022M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
267 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
13,60 €
310 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R026M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
310 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
33,23 €
1 463 Prieinamumas
1 000 Pagal užsakymą
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R008M2HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1 463 Prieinamumas
1 000 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
23,89 €
1 975 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R012M2HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1 975 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
11,08 €
4 Prieinamumas
240 Tikėtina 2027-02-11
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R034M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
4 Prieinamumas
240 Tikėtina 2027-02-11
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
10,70 €
207 Prieinamumas
240 Tikėtina 2027-10-28
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R040M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
207 Prieinamumas
240 Tikėtina 2027-10-28
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
8,90 €
29 Prieinamumas
3 120 Pagal užsakymą
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R053M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
29 Prieinamumas
3 120 Pagal užsakymą
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
IMZA120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
8,08 €
240 Prieinamumas
Naujas Produktas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R078M2HXK
Naujas Produktas
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
240 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
Through Hole
PG-TO247-4-U02
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
15,32 €
235 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R022M2HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
235 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1:
11,64 €
1 593 Prieinamumas
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMBG120R026M2HXT
Infineon Technologies
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
1 593 Prieinamumas
Pirkti
Min.: 1
Daugkart.: 1
Reel :
1 000
Išsami Informacija
SiC MOSFETS
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel