Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 60
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1700V 3.7A N-MOSFET Silicon Carbide SiC
Duomenų Lapas
1 190Tikėtina 2027-01-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-3PFM-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC, SBD 650V 15A D2PAK
Duomenų Lapas
278Tikėtina 2027-01-18
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Min.: 12
Daugkart.: 12

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SIC Pwr Module Chopper
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 39 Savaičių
Min.: 4
Daugkart.: 4

Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 4
Daugkart.: 4

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai DIODE: 8A 600V
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 33 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 27 Savaičių
Min.: 450
Daugkart.: 450

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai RECT 650V 12A SM SIC SKY
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 29 Savaičių

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 21 Savaičių

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2