Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Diskrečiųjų puslaidininkių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 60
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
2 620Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY
Duomenų Lapas
784Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
1 094Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
506Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
348Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai AECQ
Duomenų Lapas
1 792Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
199Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
1 619Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
350Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
Duomenų Lapas
685Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Duomenų Lapas
6Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai DIODE: 10A 600V
Duomenų Lapas
627Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Duomenų Lapas
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFET moduliai 300A SiC Power Module
Duomenų Lapas
4Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
Duomenų Lapas
704Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
Duomenų Lapas
6 355Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
450Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
366Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai AECQ
Duomenų Lapas
798Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC SCHOTTKY diodai AECQ
Duomenų Lapas
440Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
Duomenų Lapas
Produkto pastabos
428Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
Duomenų Lapas
169Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
Duomenų Lapas
529Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4