{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET naudoja silicio karbido našumo galimybes, nes leidžia sumažinti energijos nuostolius, o tai lemia didesnį efektyvumą konvertuojant energiją. Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET suteikia privalumų įvairiose galios puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, fotovoltiniuose įrenginiuose, energijos kaupikliuose, DC elektromobilių įkrovimo sistemose, variklių pavarose ir pramoniniuose maitinimo šaltiniuose. DC greitojo įkrovimo stotelė elektromobiliams su CoolSiC G2 užtikrina iki 10 % mažesnius energijos nuostolius nei ankstesnės kartos stotelės, o įkrovimo pajėgumas yra didesnis nekeičiant formos.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 53

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R007M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 29,40 € 1 490Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMDQ65R007M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMDQ65R007M2HXUM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 490Prieinamumas	Pjaunama Juosta 29,40 € 21,96 € 21,27 € 19,62 € Ritė 19,62 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	196 A	8.5 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	179 nC	- 55 C	+ 175 C	937 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 12,96 € 1 740Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R020M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R020M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 740Prieinamumas	Pjaunama Juosta 12,96 € 7,58 € 7,16 € Ritė 7,16 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V		24 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	440 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R010M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 21,23 € 156Prieinamumas 1 000Tikėtina 2026-11-05 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMBG65R010M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R010M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	156Prieinamumas 1 000Tikėtina 2026-11-05	Pjaunama Juosta 21,23 € 14,28 € 14,27 € Ritė 13,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	158 A	13.1 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	535 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 12,09 € 708Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMBG65R026M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R026M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	708Prieinamumas	Pjaunama Juosta 12,09 € 6,92 € Ritė 6,55 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	68 A	33 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	263 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 11,19 € 280Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMBG65R033M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R033M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	280Prieinamumas	Pjaunama Juosta 11,19 € 6,72 € 6,57 € 6,17 € Ritė 5,44 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	58 A	41 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? IMBG65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,18 € 416Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMBG65R060M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R060M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	416Prieinamumas	Pjaunama Juosta 7,18 € 4,09 € 3,76 € 3,60 € Ritė 3,13 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT		1 Channel	650 V	34.9 A	73 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	18 nC	- 55 C	+ 175 C	148 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,27 € 788Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMBG65R075M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R075M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	788Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,27 € 3,35 € 3,07 € 2,92 € Ritė 2,76 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	650 V	28 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC		+ 175 C	124 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R015M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 16,42 € 741Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMDQ65R015M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMDQ65R015M2HXUM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	741Prieinamumas	Pjaunama Juosta 16,42 € 10,28 € 10,08 € Ritė 9,73 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	94 A	18 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	79 nC	- 55 C	+ 175 C	499 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R020M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 14,20 € 469Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMDQ65R020M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMDQ65R020M2HXUM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	469Prieinamumas	Pjaunama Juosta 14,20 € 8,53 € 8,07 € Ritė 8,07 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	97 A	24 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	394 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,63 € 804Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMLT65R075M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R075M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	804Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,63 € 2,98 € 2,73 € 2,39 € Ritė 2,39 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	HDSOP-16	1 Channel	650 V	34.7 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	187 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 20,57 € 146Prieinamumas 2 000Tikėtina 2027-07-08 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R010M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R010M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	146Prieinamumas 2 000Tikėtina 2027-07-08	Pjaunama Juosta 20,57 € 13,71 € 13,70 € 12,98 € Ritė 12,98 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	168 A	13.1 mOhms	- 7V, + 23 V	4.5 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	681 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R033M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 10,02 € 2 051Prieinamumas 2 000Tikėtina 2026-11-16 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R033M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R033M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 051Prieinamumas 2 000Tikėtina 2026-11-16	Pjaunama Juosta 10,02 € 5,61 € 5,42 € 5,13 € Ritė 5,13 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	68 A	41 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R060M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 6,34 € 2 848Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R060M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R060M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 848Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,34 € 4,28 € 3,11 € 2,96 € 2,77 € Ritė 2,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	41.4 A	73 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R075M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 5,75 € 685Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R075M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R075M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET	Duomenų Lapas	685Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,75 € 3,06 € 2,80 € 2,46 € Ritė 2,46 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000		TOLL-8		650 V		75 mOhms
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 IMTA65R026M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 10,71 € 1 958Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMTA65R026M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R026M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 958Prieinamumas	Pjaunama Juosta 10,71 € 7,26 € 6,65 € 6,05 € 5,83 € Ritė 5,61 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	PG-LHSOF-4		650 V	79 A	33 mOhms	- 7 V to + 23 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2 IMTA65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,31 € 1 658Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMTA65R033M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R033M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 658Prieinamumas	Pjaunama Juosta 9,31 € 5,18 € 4,92 € 4,65 € Ritė 4,65 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	PG-LHSOF-4		650 V	68 A	41 mOhms	- 7 V to + 23 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	315 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R075M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 5,36 € 2 027Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMTA65R075M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R075M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 027Prieinamumas	Pjaunama Juosta 5,36 € 2,83 € 2,81 € 2,21 € Ritė 2,21 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	LHSOF-4	1 Channel	650 V	30 A	95 mOhms		5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	141 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,28 € 476Prieinamumas Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMW65R075M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R075M2HXKSA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	476Prieinamumas	7,28 € 3,90 € 3,59 € 3,10 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26.6 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 12,55 € 10 334Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMTA65R020M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R020M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	10 334Prieinamumas	Pjaunama Juosta 12,55 € 7,27 € 6,87 € Ritė 6,87 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			20 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMDQ65R010M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 22,51 € 16Prieinamumas 3 750Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMDQ65R010M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMDQ65R010M2HXUM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	16Prieinamumas 3 750Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMDQ65R010M2HXUMA1 Turime sandėlyje: 16 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 2 250 Tikėtina 2026-11-26 1 500 Tikėtina 2027-05-13 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	Pjaunama Juosta 22,51 € 17,71 € 15,58 € 13,97 € Ritė 13,97 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 750	SMD/SMT	HDSOP-22	1 Channel	650 V	154 A	13.1 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	113 nC	- 55 C	+ 175 C	651 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R026M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 12,24 € 21Prieinamumas 2 000Tikėtina 2027-04-15 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R026M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R026M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	21Prieinamumas 2 000Tikėtina 2027-04-15	Pjaunama Juosta 12,24 € 7,96 € 7,14 € 6,91 € Ritė 6,17 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	81 A	33 mOhms		5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	365 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R050M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 7,54 € 39Prieinamumas 4 000Tikėtina 2027-04-22 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R050M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R050M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	39Prieinamumas 4 000Tikėtina 2027-04-22	Pjaunama Juosta 7,54 € 4,09 € 3,75 € 3,66 € 3,45 € Ritė 3,23 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	48.1 A	62 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	237 W	Enhancement
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMBG65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 16,06 € 1 064Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMBG65R015M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMBG65R015M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 064Prieinamumas	Pjaunama Juosta 16,06 € 9,99 € Ritė 9,46 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	650 V	115 A	18 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	79 nC	- 55 C	+ 175 C	416 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R020M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 12,95 € 1 705Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMLT65R020M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R020M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 705Prieinamumas	Pjaunama Juosta 12,95 € 7,57 € 7,16 € Ritė 7,16 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		20 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling IMLT65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,80 € 889Prieinamumas 1 800Tikėtina 2027-06-03 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMLT65R033M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R033M2HXTM Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	889Prieinamumas 1 800Tikėtina 2027-06-03	Pjaunama Juosta 9,80 € 5,48 € 5,26 € 4,98 € Ritė 4,98 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT		1 Channel	650 V	68 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement	CoolSiC