|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS
- DMP3028LSD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,15 €
-
7 856Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMP3028LSD-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS
|
|
7 856Prieinamumas
|
|
|
1,15 €
|
|
|
0,545 €
|
|
|
0,47 €
|
|
|
0,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 270
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
- DMPH6050SPD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,71 €
-
6 187Prieinamumas
-
5 000Tikėtina 2027-10-13
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMPH6050SPD-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
6 187Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-10-13
|
|
|
1,71 €
|
|
|
1,09 €
|
|
|
0,731 €
|
|
|
0,579 €
|
|
|
0,53 €
|
|
|
0,53 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 070
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
- DMTH6010LPDQ-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,65 €
-
7 086Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMTH6010LPDQ-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
7 086Prieinamumas
|
|
|
1,65 €
|
|
|
1,06 €
|
|
|
0,706 €
|
|
|
0,706 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor
- DSS45160FDB-7
- Diodes Incorporated
-
1:
1,08 €
-
8 623Prieinamumas
-
36 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DSS45160FDB-7
|
Diodes Incorporated
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor
|
|
8 623Prieinamumas
36 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
8 623 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
15 000 Tikėtina 2027-03-19
21 000 Tikėtina 2027-04-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
36 Savaičių
|
|
|
1,08 €
|
|
|
0,588 €
|
|
|
0,443 €
|
|
|
0,434 €
|
|
|
0,264 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 310
:
3 000
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN/PNP 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
- DST3946DPJ-7
- Diodes Incorporated
-
1:
0,456 €
-
51 917Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DST3946DPJ-7
|
Diodes Incorporated
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN/PNP 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO
|
|
51 917Prieinamumas
|
|
|
0,456 €
|
|
|
0,204 €
|
|
|
0,179 €
|
|
|
0,172 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,089 €
|
|
|
0,127 €
|
|
|
0,114 €
|
|
|
0,098 €
|
|
|
0,089 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10 000
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 250MW 240V
- MMBD2004SW-7-F
- Diodes Incorporated
-
1:
0,49 €
-
22 966Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-MMBD2004SW-7-F
|
Diodes Incorporated
|
Mažų signalų perjungimo diodai 250MW 240V
|
|
22 966Prieinamumas
|
|
|
0,49 €
|
|
|
0,218 €
|
|
|
0,192 €
|
|
|
0,164 €
|
|
|
0,108 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Rectifier
- PDS4150Q-13
- Diodes Incorporated
-
1:
1,64 €
-
3 089Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-PDS4150Q-13
|
Diodes Incorporated
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Rectifier
|
|
3 089Prieinamumas
|
|
|
1,64 €
|
|
|
1,03 €
|
|
|
0,676 €
|
|
|
0,676 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 230
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Low Side IntelliFET
- ZXMS6005DN8Q-13
- Diodes Incorporated
-
1:
0,946 €
-
22 135Prieinamumas
-
65 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-ZXMS6005DN8Q-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs Low Side IntelliFET
|
|
22 135Prieinamumas
65 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
22 135 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
35 000 Tikėtina 2026-10-30
30 000 Tikėtina 2027-08-18
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
40 Savaičių
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,574 €
|
|
|
0,54 €
|
|
|
0,53 €
|
|
|
0,464 €
|
|
|
0,441 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 350
:
2 500
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT
- FF300R12KS4
- Infineon Technologies
-
1:
183,58 €
-
62Prieinamumas
-
300Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12KS4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT
|
|
62Prieinamumas
300Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT Module 300A 1700V
- FF300R17KE4
- Infineon Technologies
-
1:
140,82 €
-
46Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R17KE4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT Module 300A 1700V
|
|
46Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 580A
- FF450R12KT4
- Infineon Technologies
-
1:
138,49 €
-
88Prieinamumas
-
310Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12KT4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 580A
|
|
88Prieinamumas
310Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
88 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
150 Tikėtina 2026-12-03
160 Tikėtina 2027-04-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
20 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700 V, 600 A dual IGBT module
- FF600R17ME4
- Infineon Technologies
-
1:
181,87 €
-
27Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF600R17ME4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1700 V, 600 A dual IGBT module
|
|
27Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 930A
- FF650R17IE4
- Infineon Technologies
-
1:
450,05 €
-
5Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF650R17IE4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 930A
|
|
5Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Tiristorių moduliai 1600V 520A DUAL
- TT330N16KOF
- Infineon Technologies
-
1:
173,79 €
-
31Prieinamumas
-
57Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-TT330N16KOF
|
Infineon Technologies
|
Tiristorių moduliai 1600V 520A DUAL
|
|
31Prieinamumas
57Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
31 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
24 Tikėtina 2026-09-03
33 Tikėtina 2027-03-11
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
34 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
- EPC2103
- EPC
-
1:
9,90 €
-
734Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
65-EPC2103
"Mouser Naujiena"
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
|
|
734Prieinamumas
|
|
|
9,90 €
|
|
|
6,85 €
|
|
|
5,33 €
|
|
|
4,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
500
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
- IPG20N06S4L14AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,90 €
-
2 205Prieinamumas
-
5 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-20N06S4L14AATMA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs MOSFET_)40V 60V)
|
|
2 205Prieinamumas
5 000Pagal užsakymą
|
|
|
1,90 €
|
|
|
1,23 €
|
|
|
0,844 €
|
|
|
0,68 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,566 €
|
|
|
0,606 €
|
|
|
0,597 €
|
|
|
0,566 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFETs P-Ch DPAK-2
- BSD223PH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,413 €
-
65 691Prieinamumas
-
138 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSD223PH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs P-Ch DPAK-2
|
|
65 691Prieinamumas
138 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
65 691 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
30 000 Tikėtina 2026-08-14
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
0,413 €
|
|
|
0,252 €
|
|
|
0,16 €
|
|
|
0,12 €
|
|
|
0,089 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,107 €
|
|
|
0,081 €
|
|
|
0,069 €
|
|
|
0,064 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
- BSD235CH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,55 €
-
95 457Prieinamumas
-
126 000Tikėtina 2026-11-05
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSD235CH6327
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
|
|
95 457Prieinamumas
126 000Tikėtina 2026-11-05
|
|
|
0,55 €
|
|
|
0,365 €
|
|
|
0,231 €
|
|
|
0,153 €
|
|
|
0,121 €
|
|
|
0,096 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs IFX FET 15V-30V
- BSG0811NDATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,02 €
-
8 396Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSG0811NDATMA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs IFX FET 15V-30V
|
|
8 396Prieinamumas
|
|
|
3,02 €
|
|
|
1,99 €
|
|
|
1,43 €
|
|
|
1,16 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,08 €
|
|
|
1,15 €
|
|
|
1,08 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL215C H6327
- Infineon Technologies
-
1:
0,989 €
-
8 726Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSL215CH6327
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
8 726Prieinamumas
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,704 €
|
|
|
0,438 €
|
|
|
0,302 €
|
|
|
0,22 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,26 €
|
|
|
0,196 €
|
|
|
0,181 €
|
|
|
0,165 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL215CH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,963 €
-
36 991Prieinamumas
-
24 000Tikėtina 2026-11-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSL215CH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
36 991Prieinamumas
24 000Tikėtina 2026-11-16
|
|
|
0,963 €
|
|
|
0,60 €
|
|
|
0,389 €
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,227 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,254 €
|
|
|
0,196 €
|
|
|
0,181 €
|
|
|
0,163 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
- BSL316CH6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,722 €
-
41 290Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSL316CH6327XTSA
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
41 290Prieinamumas
|
|
|
0,722 €
|
|
|
0,448 €
|
|
|
0,29 €
|
|
|
0,221 €
|
|
|
0,17 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,20 €
|
|
|
0,157 €
|
|
|
0,141 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
- BSZ215CHXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
1,74 €
-
5 409Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BSZ215CHXTMA1
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH
|
|
5 409Prieinamumas
|
|
|
1,74 €
|
|
|
1,11 €
|
|
|
0,744 €
|
|
|
0,589 €
|
|
|
0,493 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,509 €
|
|
|
0,476 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R12ME4B11BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
133,51 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME4B11B2
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
- FF600R12ME4B72BOSA1
- Infineon Technologies
-
1:
160,54 €
-
37Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME4B72BO
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
|
|
37Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|