Rezultatai: 5 087
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 7 856Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 270
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 6 187Prieinamumas
5 000Tikėtina 2027-10-13
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 070
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V 7 086Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150
: 2 500

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor 8 623Prieinamumas
36 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 310
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN/PNP 60V VCBO 40V VCEO 6.0 VEBO 51 917Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Diodes Incorporated Mažų signalų perjungimo diodai 250MW 240V 22 966Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Schottky Rectifier 3 089Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 230
: 5 000

Diodes Incorporated MOSFETs Low Side IntelliFET 22 135Prieinamumas
65 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 350
: 2 500
Infineon Technologies Igbt Moduliai ELECTRONIC COMPONENT 62Prieinamumas
300Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT Module 300A 1700V 46Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 580A 88Prieinamumas
310Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai 1700 V, 600 A dual IGBT module 27Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.7KV 930A 5Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Tiristorių moduliai 1600V 520A DUAL 31Prieinamumas
57Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 734Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 500

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_)40V 60V) 2 205Prieinamumas
5 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000


Infineon Technologies MOSFETs P-Ch DPAK-2 65 691Prieinamumas
138 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000


Infineon Technologies MOSFETs N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6 95 457Prieinamumas
126 000Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V 8 396Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH 8 726Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH 36 991Prieinamumas
24 000Tikėtina 2026-11-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH 41 290Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH 5 409Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 450 A dual IGBT module 13Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO 37Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1