Rezultatai: 5 087
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 16 067Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 080
: 10 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 30V Comp Pair 14 276Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 920
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 16 836Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 760
: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF 15 534Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 310
: 10 000


Diodes Incorporated MOSFETs Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss 3 435Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 190
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair 53 701Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V,SOT563,3K 49 145Prieinamumas
33 000Tikėtina 2027-07-30
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs 60V Comp Pair ENH 1.7 Ohm 10V 500mA 71 467Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 200
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs Dual N-Ch Enh FET 30V 9.8A 20Vdss 4 759Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 210
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 251V-500V 4 311Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 340
: 2 500


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V 225mW MATCHED 34 149Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 250
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V X4-DSN3015-10 T&R 5K 4 045Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 5 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT963,10K 22 132Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 800
: 10 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V TSOT23 T&R 3K 17 444Prieinamumas
21 000Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 310
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 40Vdss 20Vgss 10 029Prieinamumas
12 500Tikėtina 2027-02-05
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 830
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60 1V-60V SO-8 T&R 2.5K 18 391Prieinamumas
22 500Tikėtina 2027-10-27
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 710
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 60Vdss 20Vgss 17 702Prieinamumas
32 500Tikėtina 2026-08-19
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 810
: 2 500


Diodes Incorporated MOSFETs 30V DUAL N-CH MOSFET 112 286Prieinamumas
110 000Tikėtina 2027-08-02
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 12 420
: 10 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V 6 849Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs 20V P-Ch Enh Mode 8Vgs 915pF 10.7nC 49 528Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 220
: 10 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SO-8 T&R 2.5K 16 510Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 490
: 2 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K 11 854Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 540
: 3 000
Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 36 135Prieinamumas
30 000Tikėtina 2027-07-16
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs Dual -20V P-Ch FET 260mOhm -4.5V -0.9A 68 959Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 110
: 10 000


Diodes Incorporated MOSFETs Dual P-Channel 44 288Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000