|
|
SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 240 A
- VS-SC240FA120
- Vishay
-
1:
63,73 €
-
58Prieinamumas
-
160Tikėtina 2026-09-10
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SC240FA120
|
Vishay
|
SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 240 A
|
|
58Prieinamumas
160Tikėtina 2026-09-10
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
- VS-SC40FA65
- Vishay
-
1:
27,05 €
-
136Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SC40FA65
|
Vishay
|
Diodų moduliai Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode
|
|
136Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
10
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
- VS-SC80FA65
- Vishay
-
1:
35,54 €
-
87Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-VS-SC80FA65
|
Vishay
|
SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A
|
|
87Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51563BBDWR2G
- onsemi
-
1:
3,25 €
-
893Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP51563BBDWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
893Prieinamumas
|
|
|
3,25 €
|
|
|
2,45 €
|
|
|
2,25 €
|
|
|
2,03 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,91 €
|
|
|
1,73 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
- NCP51563CADWR2G
- onsemi
-
1:
3,25 €
-
1 602Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP51563CADWR2G
|
onsemi
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver
|
|
1 602Prieinamumas
|
|
|
3,25 €
|
|
|
2,45 €
|
|
|
2,25 €
|
|
|
2,03 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,81 €
|
|
|
1,93 €
|
|
|
1,91 €
|
|
|
1,81 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB008M12GM3T
- Wolfspeed
-
1:
141,58 €
-
39Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB008M12GM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
39Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 11mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
- CAB011M12FM3T
- Wolfspeed
-
1:
105,71 €
-
32Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CAB011M12FM3T
|
Wolfspeed
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 11mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM
|
|
32Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
JFETs JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise
- IF3602T78
- InterFET
-
1:
84,23 €
-
286Prieinamumas
-
175Tikėtina 2026-12-16
|
„Mouser“ Dalies Nr.
106-IF3602
|
InterFET
|
JFETs JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise
|
|
286Prieinamumas
175Tikėtina 2026-12-16
|
|
|
84,23 €
|
|
|
69,60 €
|
|
|
62,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
- STL40DN3LLH5
- STMicroelectronics
-
1:
1,57 €
-
33 529Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STL40DN3LLH5
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V
|
|
33 529Prieinamumas
|
|
|
1,57 €
|
|
|
1,01 €
|
|
|
0,67 €
|
|
|
0,528 €
|
|
|
0,483 €
|
|
|
0,422 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF
- STPS200170TV1Y
- STMicroelectronics
-
1:
24,53 €
-
3 350Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STPS200170TV1Y
|
STMicroelectronics
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF
|
|
3 350Prieinamumas
|
|
|
24,53 €
|
|
|
17,86 €
|
|
|
16,04 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Dual Schottky 200V 640 mV 2 x 30 A
- STPS60SM200CW
- STMicroelectronics
-
1:
4,94 €
-
15 693Prieinamumas
-
51 000Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STPS60SM200CW
|
STMicroelectronics
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Dual Schottky 200V 640 mV 2 x 30 A
|
|
15 693Prieinamumas
51 000Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
15 693 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
16 800 Tikėtina 2026-10-23
34 200 Tikėtina 2027-04-12
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
15 Savaičių
|
|
|
4,94 €
|
|
|
2,78 €
|
|
|
2,30 €
|
|
|
1,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai 120V 200mA
- BAS31
- onsemi
-
1:
0,396 €
-
385 036Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-BAS31
|
onsemi
|
Mažų signalų perjungimo diodai 120V 200mA
|
|
385 036Prieinamumas
|
|
|
0,396 €
|
|
|
0,245 €
|
|
|
0,155 €
|
|
|
0,116 €
|
|
|
0,103 €
|
|
|
0,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 040
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
- FDMS86101DC
- onsemi
-
1:
5,32 €
-
7 451Prieinamumas
-
6 000Tikėtina 2026-08-18
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDMS86101DC
|
onsemi
|
MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET
|
|
7 451Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-08-18
|
|
|
5,32 €
|
|
|
3,48 €
|
|
|
2,56 €
|
|
|
2,28 €
|
|
|
2,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 560
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
- FDS3992
- onsemi
-
1:
2,19 €
-
32 034Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDS3992
|
onsemi
|
MOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V
|
|
32 034Prieinamumas
|
|
|
2,19 €
|
|
|
1,39 €
|
|
|
0,937 €
|
|
|
0,76 €
|
|
|
0,76 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 900
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
- FDS8949
- onsemi
-
1:
1,32 €
-
58 192Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-FDS8949
|
onsemi
|
MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC
|
|
58 192Prieinamumas
|
|
|
1,32 €
|
|
|
0,838 €
|
|
|
0,651 €
|
|
|
0,512 €
|
|
|
0,512 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 700
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
- NDC7001C
- onsemi
-
1:
0,937 €
-
84 260Prieinamumas
-
54 000Tikėtina 2027-06-11
|
„Mouser“ Dalies Nr.
512-NDC7001C
|
onsemi
|
MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
|
|
84 260Prieinamumas
54 000Tikėtina 2027-06-11
|
|
|
0,937 €
|
|
|
0,67 €
|
|
|
0,417 €
|
|
|
0,287 €
|
|
|
0,242 €
|
|
|
0,217 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 360
:
3 000
|
|
|
|
|
RD detektorius Dual TruPwr RMS Detector
- AD8364ACPZ-REEL7
- Analog Devices
-
1:
20,58 €
-
1 482Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
584-AD8364ACPZ-R7
|
Analog Devices
|
RD detektorius Dual TruPwr RMS Detector
|
|
1 482Prieinamumas
|
|
|
20,58 €
|
|
|
16,51 €
|
|
|
15,50 €
|
|
|
14,67 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
13,12 €
|
|
|
14,36 €
|
|
|
14,18 €
|
|
|
13,13 €
|
|
|
13,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 500
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
- DMC3071LVT-7
- Diodes Incorporated
-
1:
0,525 €
-
238 452Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMC3071LVT-7
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
|
|
238 452Prieinamumas
|
|
|
0,525 €
|
|
|
0,233 €
|
|
|
0,205 €
|
|
|
0,20 €
|
|
|
0,148 €
|
|
|
0,131 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 310
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
- DMG6602SVT-7
- Diodes Incorporated
-
1:
0,43 €
-
357 948Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMG6602SVT-7
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K
|
|
357 948Prieinamumas
|
|
|
0,43 €
|
|
|
0,194 €
|
|
|
0,156 €
|
|
|
0,131 €
|
|
|
0,099 €
|
|
|
0,073 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 830
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
- DMP3085LSD-13
- Diodes Incorporated
-
1:
0,576 €
-
157 480Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMP3085LSD-13
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A
|
|
157 480Prieinamumas
|
|
|
0,576 €
|
|
|
0,259 €
|
|
|
0,227 €
|
|
|
0,214 €
|
|
|
0,17 €
|
|
|
0,133 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 5 000
:
2 500
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module
- FF1200R12IE5
- Infineon Technologies
-
1:
731,78 €
-
33Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF1200R12IE5
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module
|
|
33Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 1200V 300A
- FF300R12ME4
- Infineon Technologies
-
1:
120,82 €
-
114Prieinamumas
-
90Tikėtina 2026-08-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF300R12ME4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 1200V 300A
|
|
114Prieinamumas
90Tikėtina 2026-08-21
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 520A
- FF450R12KE4
- Infineon Technologies
-
1:
136,94 €
-
123Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12KE4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 520A
|
|
123Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT 1200V 450A
- FF450R12ME4
- Infineon Technologies
-
1:
133,51 €
-
299Prieinamumas
-
320Tikėtina 2026-09-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF450R12ME4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT 1200V 450A
|
|
299Prieinamumas
320Tikėtina 2026-09-24
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IGBT-MODULE
- FF900R12IP4
- Infineon Technologies
-
1:
475,66 €
-
32Prieinamumas
-
72Tikėtina 2026-11-12
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF900R12IP4
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IGBT-MODULE
|
|
32Prieinamumas
72Tikėtina 2026-11-12
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|