Rezultatai: 5 081
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Vishay SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 1200 V, 240 A 58Prieinamumas
160Tikėtina 2026-09-10
Min.: 1
Daugkart.: 1

Vishay Diodų moduliai Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Diode 136Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10

Vishay SiC SCHOTTKY diodai SOT-227 Silicon Carbide Schottky Barrier Diode, 650 V, 80 A 87Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 893Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 1 602Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Wolfspeed Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 8mohm, 1200V, 48 mm, GM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM 39Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 11mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM 32Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

InterFET JFETs JFET N-Channel (Dual) -20V Low Noise 286Prieinamumas
175Tikėtina 2026-12-16
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics MOSFETs Dual N-Ch 30V 11A 0.016 Ohm STripFET V 33 529Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

STMicroelectronics SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Auto Hi Vltg pwr 2 x 100A 170V 0.63VF 3 350Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

STMicroelectronics SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Dual Schottky 200V 640 mV 2 x 30 A 15 693Prieinamumas
51 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi Mažų signalų perjungimo diodai 120V 200mA 385 036Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 040
: 3 000

onsemi MOSFETs 100V/20V Nch 2xCool PowerTrench MOSFET 7 451Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-08-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 560
: 3 000


onsemi MOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V 32 034Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 900
: 2 500


onsemi MOSFETs 40V 6A 29OHM DUAL NCH LOGIC 58 192Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 700
: 2 500

onsemi MOSFETs Dual N/P Channel FET Enhancement Mode 84 260Prieinamumas
54 000Tikėtina 2027-06-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 360
: 3 000

Analog Devices RD detektorius Dual TruPwr RMS Detector 1 482Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V 238 452Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 310
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30 5V-30V,TSOT23,3K 357 948Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 830
: 3 000


Diodes Incorporated MOSFETs P-Ch ENH FET -30V 70mOhm -10V -3.9A 157 480Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 5 000
: 2 500

Infineon Technologies Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module 33Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1200V 300A 114Prieinamumas
90Tikėtina 2026-08-21
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai N-CH 1.2KV 520A 123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT 1200V 450A 299Prieinamumas
320Tikėtina 2026-09-24
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Igbt Moduliai IGBT-MODULE 32Prieinamumas
72Tikėtina 2026-11-12
Min.: 1
Daugkart.: 1