|
|
MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
- NVMFD5C466NLET1G
- onsemi
-
1:
1,66 €
-
1 359Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVMFD5C466NLET1G
Naujas Produktas
|
onsemi
|
MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
|
|
1 359Prieinamumas
|
|
|
1,66 €
|
|
|
1,04 €
|
|
|
0,686 €
|
|
|
0,686 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150
:
1 500
|
|
|
|
|
MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
- NVMFD5C470NLET1G
- onsemi
-
1:
1,32 €
-
1 500Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVMFD5C470NLET1G
Naujas Produktas
|
onsemi
|
MOSFETs T6 40V LL S08FL DS
|
|
1 500Prieinamumas
|
|
|
1,32 €
|
|
|
0,832 €
|
|
|
0,552 €
|
|
|
0,552 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150
:
1 500
|
|
|
|
|
MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
- NVMFD5C680NLET1G
- onsemi
-
1:
1,68 €
-
1 676Prieinamumas
-
1 500Tikėtina 2026-10-16
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NVMFD5C680NLET1G
Naujas Produktas
|
onsemi
|
MOSFETs T6 60V LL S08FL DS
|
|
1 676Prieinamumas
1 500Tikėtina 2026-10-16
|
|
|
1,68 €
|
|
|
1,03 €
|
|
|
0,682 €
|
|
|
0,682 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150
:
1 500
|
|
|
|
|
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
- NVMFD020N10MCLT1G
- onsemi
-
1:
2,41 €
-
1 251Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-VMFD020N10MCLT1G
Naujas Produktas
|
onsemi
|
MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL DUAL
|
|
1 251Prieinamumas
|
|
|
2,41 €
|
|
|
1,19 €
|
|
|
1,07 €
|
|
|
1,07 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 150
:
1 500
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
- ASA020V120E5
- APC-E
-
1:
5,62 €
-
244Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
896-ASA020V120E5
Naujas Produktas
|
APC-E
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 20A, TO247-3L, Industrial Grade
|
|
244Prieinamumas
|
|
|
5,62 €
|
|
|
3,21 €
|
|
|
2,65 €
|
|
|
2,25 €
|
|
|
2,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
- ASA030V120E5
- APC-E
-
1:
7,08 €
-
274Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
896-ASA030V120E5
Naujas Produktas
|
APC-E
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 30A, TO247-3L, Industrial Grade
|
|
274Prieinamumas
|
|
|
7,08 €
|
|
|
4,25 €
|
|
|
3,56 €
|
|
|
3,05 €
|
|
|
2,89 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
- ASA040V120E5
- APC-E
-
1:
7,73 €
-
271Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
896-ASA040V120E5
Naujas Produktas
|
APC-E
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V 40A, TO247-3L, Industrial Grade
|
|
271Prieinamumas
|
|
|
7,73 €
|
|
|
4,66 €
|
|
|
3,91 €
|
|
|
3,37 €
|
|
|
3,35 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
- G3F05MT12GB2
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
239,48 €
-
96Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F05MT12GB2
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
|
|
96Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
- G3F05MT12GB2-T
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
252,64 €
-
88Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3F05MT12GB2-T
Naujas Produktas
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFET moduliai 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
|
|
88Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
- SH63N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
19,54 €
-
175Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SH63N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET
|
|
175Prieinamumas
|
|
|
19,54 €
|
|
|
14,65 €
|
|
|
10,65 €
|
|
|
10,65 €
|
|
|
10,47 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
200
|
|
|
|
|
IGBT Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
- STGSH80HB65DAG
- STMicroelectronics
-
1:
17,70 €
-
189Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STGSH80HB65DAG
|
STMicroelectronics
|
IGBT Automotive ACEPACK SMIT half-bridge 650 V, 80 A HB series IGBT with diode
|
|
189Prieinamumas
|
|
|
17,70 €
|
|
|
12,65 €
|
|
|
10,69 €
|
|
|
10,69 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
200
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Rad-Hard 150V - 2x30A Schottky rectifier - Engineering model
- STPS60A150CS1
- STMicroelectronics
-
1:
418,30 €
-
9Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STPS60A150CS1
|
STMicroelectronics
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Rad-Hard 150V - 2x30A Schottky rectifier - Engineering model
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Balti šviesos diodai OSLON Submount PL
- KW2 C2LPL3.TK-6DT2-5L35M3
- ams OSRAM
-
1:
3,62 €
-
1 947Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
720-KW2C2LPDT25L35M3
|
ams OSRAM
|
Balti šviesos diodai OSLON Submount PL
|
|
1 947Prieinamumas
|
|
|
3,62 €
|
|
|
2,67 €
|
|
|
2,11 €
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,60 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,77 €
|
|
|
1,54 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 251 V, 5 A/9 A high-side and low-side gate driver ICs
- 2EDF5215GXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,12 €
-
4 985Prieinamumas
-
"Mouser Naujiena"
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-2EDF5215GXTMA1
"Mouser Naujiena"
|
Infineon Technologies
|
Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 251 V, 5 A/9 A high-side and low-side gate driver ICs
|
|
4 985Prieinamumas
|
|
|
2,12 €
|
|
|
1,58 €
|
|
|
1,44 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
1,08 €
|
|
|
1,22 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
1,14 €
|
|
|
1,12 €
|
|
|
1,08 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
5 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF11MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
103,40 €
-
29Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF11MR12W2M1HB70
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
29Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai EASY
- FF17MR12W1M1HB17BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
59,04 €
-
28Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF17MR12W1M1HB17
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai EASY
|
|
28Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
- FF1800XTR17T2P5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 094,33 €
-
11Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1800XTR17T2P5B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1700 V, 1800 A dual IGBT module
|
|
11Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 2400 A dual IGBT module
- FF2400R12IP7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
789,48 €
-
6Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2400R12IP7BPSA
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 2400 A dual IGBT module
|
|
6Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
- FF2MR12KM1HHPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
291,31 €
-
15Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF2MR12KM1HHPSA1
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET
|
|
15Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
- FF450R12ME7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
121,97 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R12ME7BPSA1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 4500 V, 450 A dual IGBT module
- FF450R45T3E4B5BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
1 444,80 €
-
8Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R45T3E4B5B
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 4500 V, 450 A dual IGBT module
|
|
8Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF4MR12W2M1HB70BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
177,09 €
-
46Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF4MR12W2M1HB70B
|
Infineon Technologies
|
MOSFET moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
46Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
- FF4MR12W2M1HPB11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
201,68 €
-
25Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF4MR12W2M1HPB11
|
Infineon Technologies
|
Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
|
|
25Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
- FF600R12ME7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
151,60 €
-
16Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF600R12ME7BPSA1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
|
|
16Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
- FF900R12ME7BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
174,74 €
-
14Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF900R12ME7BPSA1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai MEDIUM POWER ECONO
|
|
14Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
