|
|
MOSFETs Nch+Nch 60V Vds 4.5A 0.055Rds(on) 7Qg
- SP8K32FRATB
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,02 €
-
1 979Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SP8K32FRATB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs Nch+Nch 60V Vds 4.5A 0.055Rds(on) 7Qg
|
|
1 979Prieinamumas
|
|
|
2,02 €
|
|
|
1,39 €
|
|
|
0,946 €
|
|
|
0,802 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,71 €
|
|
|
0,671 €
|
|
|
0,668 €
|
|
|
0,661 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai 8 Amps 800V
- DSP8-08S
- IXYS
-
1:
5,50 €
-
351Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSP8-08S
|
IXYS
|
Lygintuvai 8 Amps 800V
|
|
351Prieinamumas
|
|
|
5,50 €
|
|
|
3,60 €
|
|
|
2,65 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,12 €
|
|
|
2,36 €
|
|
|
2,12 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B
- MCB40P1200LB-TUB
- IXYS
-
1:
237,40 €
-
26Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-MCB40P1200LB-TUB
|
IXYS
|
MOSFET moduliai SiC MOSFET phaseleg 25mO SMPD-B
|
|
26Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
- SH8K25GZ0TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,44 €
-
6 013Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SH8K25GZ0TB1
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
|
|
6 013Prieinamumas
|
|
|
1,44 €
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,612 €
|
|
|
0,482 €
|
|
|
0,436 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,441 €
|
|
|
0,42 €
|
|
|
0,405 €
|
|
|
0,404 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
- BSM400D12P3G002
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 113,53 €
-
2Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM400D12P3G002
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
- SH8K26GZ0TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,72 €
-
3 499Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SH8K26GZ0TB1
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 40V Nch+Nch Power MOSFET
|
|
3 499Prieinamumas
|
|
|
1,72 €
|
|
|
1,10 €
|
|
|
0,735 €
|
|
|
0,584 €
|
|
|
0,411 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,519 €
|
|
|
0,405 €
|
|
|
0,399 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 650 V, 450 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
- FF450R07ME4B11BPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
109,20 €
-
9Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF450R07ME4B11B1
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 450 A dual IGBT module
|
|
9Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai PWR DISC-FRED
IXYS DPG30C300PC-TRL
- DPG30C300PC-TRL
- IXYS
-
1:
4,33 €
-
347Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DPG30C300PC-TRL
|
IXYS
|
Mažų signalų perjungimo diodai PWR DISC-FRED
|
|
347Prieinamumas
|
|
|
4,33 €
|
|
|
3,31 €
|
|
|
2,80 €
|
|
|
2,43 €
|
|
|
2,38 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai IHV IHM T
Infineon Technologies DD1200S45KL3_B5
- DD1200S45KL3_B5
- Infineon Technologies
-
1:
1 110,72 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-DD1200S45KL3_B5
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai IHV IHM T
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Lygintuvai RECT 1.2KV 8A SM STD RCOVR
IXYS DSP8-12AS-TRL
- DSP8-12AS-TRL
- IXYS
-
1:
5,38 €
-
1 527Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSP8-12AS-TRL
|
IXYS
|
Lygintuvai RECT 1.2KV 8A SM STD RCOVR
|
|
1 527Prieinamumas
|
|
|
5,38 €
|
|
|
3,53 €
|
|
|
2,60 €
|
|
|
2,16 €
|
|
|
2,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1700 V, 650 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF650R17IE4P
- FF650R17IE4P
- Infineon Technologies
-
1:
458,74 €
-
3Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-FF650R17IE4P
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1700 V, 650 A dual IGBT module
|
|
3Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Lygintuvai RECT 800V 8A SM STD RCOVR
IXYS DSP8-08AS-TRL
- DSP8-08AS-TRL
- IXYS
-
1:
4,27 €
-
394Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSP8-08AS-TRL
|
IXYS
|
Lygintuvai RECT 800V 8A SM STD RCOVR
|
|
394Prieinamumas
|
|
|
4,27 €
|
|
|
3,11 €
|
|
|
2,44 €
|
|
|
2,16 €
|
|
|
2,16 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
onsemi NXH450B100H4Q2F2PG
- NXH450B100H4Q2F2PG
- onsemi
-
1:
126,01 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-H450B100H4Q2F2PG
|
onsemi
|
Igbt Moduliai 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Lygintuvai RECT 800V 8A SM STD RCOVR
IXYS DSP8-08S-TRL
- DSP8-08S-TRL
- IXYS
-
1:
4,90 €
-
2 250Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSP8-08S-TRL
|
IXYS
|
Lygintuvai RECT 800V 8A SM STD RCOVR
|
|
2 250Prieinamumas
|
|
|
4,90 €
|
|
|
3,21 €
|
|
|
2,40 €
|
|
|
2,20 €
|
|
|
2,20 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Skaitmeniniai Transistors DUAL PNP/NPN
- EMD4T2R
- ROHM Semiconductor
-
1:
0,49 €
-
8 927Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-EMD4T2R
|
ROHM Semiconductor
|
Skaitmeniniai Transistors DUAL PNP/NPN
|
|
8 927Prieinamumas
|
|
|
0,49 €
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,19 €
|
|
|
0,143 €
|
|
|
0,082 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,115 €
|
|
|
0,114 €
|
|
|
0,103 €
|
|
|
0,077 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
8 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 10A 45V TrenchMOS
- V10D45C-M3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
1,86 €
-
1 940Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-V10D45C-M3/I
|
Vishay Semiconductors
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 10A 45V TrenchMOS
|
|
1 940Prieinamumas
|
|
|
1,86 €
|
|
|
1,18 €
|
|
|
0,794 €
|
|
|
0,643 €
|
|
|
0,538 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,576 €
|
|
|
0,518 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFETs SWITCHING DEVICE
- ECH8655R-TL-H
- onsemi
-
1:
1,08 €
-
2 817Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-ECH8655R-TL-H
|
onsemi
|
MOSFETs SWITCHING DEVICE
|
|
2 817Prieinamumas
|
|
|
1,08 €
|
|
|
0,679 €
|
|
|
0,447 €
|
|
|
0,347 €
|
|
|
0,255 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,315 €
|
|
|
0,251 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
- GD2X60MPS06N
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
29,91 €
-
251Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-GD2X60MPS06N
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC SCHOTTKY diodai 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
|
|
251Prieinamumas
|
|
|
29,91 €
|
|
|
27,46 €
|
|
|
26,77 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module
Infineon Technologies FF1200R12IE5PBPSA1
- FF1200R12IE5PBPSA1
- Infineon Technologies
-
1:
682,57 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-FF1200R12IE5PBPS
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 1200 V, 1200 A dual IGBT module
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai Dual Series
- CMSD7000 TR PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
0,525 €
-
16 161Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CMSD7000
|
Central Semiconductor
|
Mažų signalų perjungimo diodai Dual Series
|
|
16 161Prieinamumas
|
|
|
0,525 €
|
|
|
0,325 €
|
|
|
0,207 €
|
|
|
0,157 €
|
|
|
0,102 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,14 €
|
|
|
0,095 €
|
|
|
0,087 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
- BSM180D12P2C101
- ROHM Semiconductor
-
1:
465,35 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM180D12P2C101
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai Mod: 1200V 180A (no Diode)
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
- TSM6502CR RLG
- Taiwan Semiconductor
-
1:
1,44 €
-
4 961Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
821-TSM6502CRRLG
|
Taiwan Semiconductor
|
MOSFETs 60V, 24A, -60V, -18A, Complementary N & P-Channel Power MOSFET
|
|
4 961Prieinamumas
|
|
|
1,44 €
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,611 €
|
|
|
0,48 €
|
|
|
0,398 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,437 €
|
|
|
0,349 €
|
|
|
0,337 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A SCHOTTKY RECTIFIER
- MBR20200CT-BP
- Micro Commercial Components (MCC)
-
Ribotas Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
833-MBR20200CT-BP
|
Micro Commercial Components (MCC)
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai 20A SCHOTTKY RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual - NPN/NPN Enhanced
- CMLT5088E TR PBFREE
- Central Semiconductor
-
1:
1,03 €
-
21 376Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CMLT5088E
|
Central Semiconductor
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT Dual - NPN/NPN Enhanced
|
|
21 376Prieinamumas
|
|
|
1,03 €
|
|
|
0,644 €
|
|
|
0,423 €
|
|
|
0,328 €
|
|
|
0,23 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,298 €
|
|
|
0,212 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
- IDW32G65C5BXKSA2
- Infineon Technologies
-
1:
11,68 €
-
132Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IDW32G65C5BXKSA2
|
Infineon Technologies
|
SiC SCHOTTKY diodai SIC DIODES
|
|
132Prieinamumas
|
|
|
11,68 €
|
|
|
6,68 €
|
|
|
5,92 €
|
|
|
5,62 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
