|
|
SiC SCHOTTKY diodai 650V SiC Schottky Barrier Diode
- PCDH4065CCG1_T0_00601
- Panjit
-
1:
9,18 €
-
1 490Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
241-PCDH4065CG1T0601
NRND
|
Panjit
|
SiC SCHOTTKY diodai 650V SiC Schottky Barrier Diode
|
|
1 490Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Įvairiaspalviai šviesos diodai LED, SMD, PLCC4, Red/Green, 631nm/570nm, 180mcd/90mcd, Water Clear Lens, 120 Deg Viewing Angle.
- SMTL4-SBC
- Bivar
-
1:
1,08 €
-
9 940Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
749-SMTL4-SBC
|
Bivar
|
Įvairiaspalviai šviesos diodai LED, SMD, PLCC4, Red/Green, 631nm/570nm, 180mcd/90mcd, Water Clear Lens, 120 Deg Viewing Angle.
|
|
9 940Prieinamumas
|
|
|
1,08 €
|
|
|
0,76 €
|
|
|
0,567 €
|
|
|
0,482 €
|
|
|
0,415 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,453 €
|
|
|
0,391 €
|
|
|
0,378 €
|
|
|
0,373 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 000
|
|
|
|
|
MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
- DI4A7P06SQ2
- Diotec Semiconductor
-
1:
0,972 €
-
3 936Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
637-DI4A7P06SQ2
|
Diotec Semiconductor
|
MOSFETs MOSFET, SO-8, -60V, -4.7A, 150C, P
|
|
3 936Prieinamumas
|
|
|
0,972 €
|
|
|
0,715 €
|
|
|
0,457 €
|
|
|
0,366 €
|
|
|
0,261 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,329 €
|
|
|
0,276 €
|
|
|
0,232 €
|
|
|
0,228 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
Skaitmeniniai Transistors SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
onsemi NSBC123EPDXV6T1G
- NSBC123EPDXV6T1G
- onsemi
-
1:
0,439 €
-
3 838Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NSBC123EPDXV6T1G
|
onsemi
|
Skaitmeniniai Transistors SSP SOT563 DUAL 2.2/2.2K
|
|
3 838Prieinamumas
|
|
|
0,439 €
|
|
|
0,316 €
|
|
|
0,287 €
|
|
|
0,181 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,057 €
|
|
|
0,158 €
|
|
|
0,093 €
|
|
|
0,057 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
Igbt Moduliai 650 V, 100 A booster IGBT module
- DF100R07W1H5FPB53BPSA2
- Infineon Technologies
-
1:
31,15 €
-
30Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-DFW1H5FPB53BPSA2
|
Infineon Technologies
|
Igbt Moduliai 650 V, 100 A booster IGBT module
|
|
30Prieinamumas
|
|
|
31,15 €
|
|
|
24,91 €
|
|
|
23,34 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V SiC Schottky Barrier Diode
- PCDH20120CCG1_T0_00601
- Panjit
-
1:
8,96 €
-
1 493Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
241-PCDH2012CG1T0601
NRND
|
Panjit
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V SiC Schottky Barrier Diode
|
|
1 493Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V/10ASICDIODEDUAL
- UJ3D1210KSD
- onsemi
-
1:
8,98 €
-
1 070Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
431-UJ3D1210KSD
NRND
|
onsemi
|
SiC SCHOTTKY diodai 1200V/10ASICDIODEDUAL
|
|
1 070Prieinamumas
|
|
|
8,98 €
|
|
|
5,38 €
|
|
|
5,29 €
|
|
|
4,71 €
|
|
|
4,00 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Tiristorių moduliai 2600V 800A DUAL
Infineon Technologies TT400N26KOF
- TT400N26KOF
- Infineon Technologies
-
1:
425,17 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
641-TT400N26KOF
|
Infineon Technologies
|
Tiristorių moduliai 2600V 800A DUAL
|
|
1Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS GP XSTR NPN 40V
onsemi NSVT3904DXV6T1G
- NSVT3904DXV6T1G
- onsemi
-
1:
0,645 €
-
3 995Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NSVT3904DXV6T1G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS GP XSTR NPN 40V
|
|
3 995Prieinamumas
|
|
|
0,645 €
|
|
|
0,446 €
|
|
|
0,421 €
|
|
|
0,262 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,078 €
|
|
|
0,194 €
|
|
|
0,125 €
|
|
|
0,078 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS GP XSTR PNP 40V
onsemi NSVT3906DXV6T1G
- NSVT3906DXV6T1G
- onsemi
-
1:
0,499 €
-
1 283Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NSVT3906DXV6T1G
|
onsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS GP XSTR PNP 40V
|
|
1 283Prieinamumas
|
|
|
0,499 €
|
|
|
0,446 €
|
|
|
0,421 €
|
|
|
0,262 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,078 €
|
|
|
0,194 €
|
|
|
0,119 €
|
|
|
0,078 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Power Schottky
Microchip Technology SD241
- SD241
- Microchip Technology
-
1:
57,44 €
-
100Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-SD241
|
Microchip Technology
|
SCHOTTKY Diodes ir Lygintuvai Power Schottky
|
|
100Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
Mažų signalų perjungimo diodai Silicon Switch Diode FOR HI-SPEED
- BAV99UE6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,877 €
-
11 347Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BAV99UE6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
Mažų signalų perjungimo diodai Silicon Switch Diode FOR HI-SPEED
|
|
11 347Prieinamumas
|
|
|
0,877 €
|
|
|
0,608 €
|
|
|
0,385 €
|
|
|
0,238 €
|
|
|
0,151 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,176 €
|
|
|
0,134 €
|
|
|
0,092 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs Nch+Pch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg
- SP8M24FRATB
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,77 €
-
2 381Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SP8M24FRATB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs Nch+Pch 45V Vds 4.5A 0.046Rds(on) 6.8Qg
|
|
2 381Prieinamumas
|
|
|
1,77 €
|
|
|
1,05 €
|
|
|
0,912 €
|
|
|
0,858 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,759 €
|
|
|
0,751 €
|
|
|
0,739 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
JFETs Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
- LSK489A-TO-71-6L-BK
- Linear Integrated Systems
-
1:
10,39 €
-
250Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
722-LSK489ATO716LBK
|
Linear Integrated Systems
|
JFETs Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET
|
|
250Prieinamumas
|
|
|
10,39 €
|
|
|
7,52 €
|
|
|
6,39 €
|
|
|
5,43 €
|
|
|
5,25 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 60V 500mA 600mW NPN Dual Small-Signal BJT THT
Microchip / Microsemi Jantx2N2060
- Jantx2N2060
- Microchip / Microsemi
-
1:
64,38 €
-
172Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-JANTX2N2060
|
Microchip / Microsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 60V 500mA 600mW NPN Dual Small-Signal BJT THT
|
|
172Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 60V 30mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT
Microchip / Microsemi JANTX2N2920
- JANTX2N2920
- Microchip / Microsemi
-
1:
32,87 €
-
116Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
494-JANTX2N2920
|
Microchip / Microsemi
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT 60V 30mA 350mW Dual Small-Signal BJT THT
|
|
116Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
Ne
|
|
|
|
MOSFETs 400mW 20V
- DMC2004VK-7
- Diodes Incorporated
-
1:
0,783 €
-
9 969Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
621-DMC2004VK-7
Specialus užsakymas gamykloje
|
Diodes Incorporated
|
MOSFETs 400mW 20V
|
|
9 969Prieinamumas
|
|
|
0,783 €
|
|
|
0,556 €
|
|
|
0,347 €
|
|
|
0,239 €
|
|
|
0,172 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,201 €
|
|
|
0,155 €
|
|
|
0,143 €
|
|
|
0,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
- QS8K13TCR
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,74 €
-
2 850Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-QS8K13TCR
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 4V Drive Nch+Nch MOSFET
|
|
2 850Prieinamumas
|
|
|
1,74 €
|
|
|
1,11 €
|
|
|
0,745 €
|
|
|
0,59 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,54 €
|
|
|
0,476 €
|
|
|
0,445 €
|
|
|
0,434 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
- SH8M14TB1
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,11 €
-
2 381Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SH8M14TB1
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 4V DRIVE TYP N/P CH MID PWR MOSFET
|
|
2 381Prieinamumas
|
|
|
2,11 €
|
|
|
1,34 €
|
|
|
0,903 €
|
|
|
0,73 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,654 €
|
|
|
0,611 €
|
|
|
0,598 €
|
|
|
0,596 €
|
|
|
Pasiūlymas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
- BSM300D12P3E005
- ROHM Semiconductor
-
1:
1 226,60 €
-
4Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-BSM300D12P3E005
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFET moduliai SIC Pwr Module Half Bridge
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
- SH8K37GZETB
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,00 €
-
1 945Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SH8K37GZETB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
|
|
1 945Prieinamumas
|
|
|
2,00 €
|
|
|
1,29 €
|
|
|
0,877 €
|
|
|
0,702 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,688 €
|
|
|
0,636 €
|
|
|
0,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Lygintuvai 8 Amps 1200V
- DSP8-12S
- IXYS
-
1:
5,50 €
-
381Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
747-DSP8-12S
|
IXYS
|
Lygintuvai 8 Amps 1200V
|
|
381Prieinamumas
|
|
|
5,50 €
|
|
|
3,60 €
|
|
|
2,65 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
2,09 €
|
|
|
2,36 €
|
|
|
2,09 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
|
|
|
MOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
- SH8M13GZETB
- ROHM Semiconductor
-
1:
1,42 €
-
6 536Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SH8M13GZETB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 4V Drive Nch+Pch Si MOSFET
|
|
6 536Prieinamumas
|
|
|
1,42 €
|
|
|
0,989 €
|
|
|
0,651 €
|
|
|
0,516 €
|
|
|
0,412 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,459 €
|
|
|
0,402 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
- BC817UE6327HTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,705 €
-
6 000Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-BC817UE6327HTSA1
Netinkama eksploatuoti
|
Infineon Technologies
|
Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Silicon AF TRANSISTOR ARRAY
|
|
6 000Prieinamumas
|
|
|
0,705 €
|
|
|
0,657 €
|
|
|
0,462 €
|
|
|
0,286 €
|
|
|
0,138 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,211 €
|
|
|
0,125 €
|
|
|
0,122 €
|
|
|
0,11 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
- SH8K39GZETB
- ROHM Semiconductor
-
1:
2,66 €
-
2 467Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
755-SH8K39GZETB
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs 60V Nch+Nch Power MOSFET
|
|
2 467Prieinamumas
|
|
|
2,66 €
|
|
|
1,73 €
|
|
|
1,20 €
|
|
|
0,963 €
|
|
|
Peržiūrėti
|
|
|
0,92 €
|
|
|
0,806 €
|
|
|
0,779 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
