Rezultatai: 5 084
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6) 6 210Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba Dvipoliai tranzistoriai – BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:200-400 SOT-363 (US6) 5 634Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia MOSFETs BUK7K35-60E/SOT1205/LFPAK56D 2 986Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Nexperia MOSFETs BUK9K13-60E/SOT1205/LFPAK56D 1 499Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 500

Nexperia Skaitmeniniai Transistors PIMC31-Q/SOT457/SC-74 9 205Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Nexperia Skaitmeniniai Transistors PUMH4/SOT363/SC-88 48 351Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Vishay Semiconductors Mažų signalų perjungimo diodai 70V 150mA 1A IFSM Dual Series 17 427Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10 000

Vishay Semiconductors Mažų signalų perjungimo diodai 70V 250mA .5A IFSM Dual Common Anode 18 216Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Vishay / Siliconix MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70 5 050Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Vishay Semiconductors Lygintuvai 100V 8A SlimDPAK Fred 3 585Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 500

Mitsubishi Electric Igbt Moduliai IGBT MODULE T-SERIES NX-L TYPE DUAL

Panjit Mažų signalų perjungimo diodai 100V,Mažų signalų perjungimo diodai,SOT-23,4A 24 000Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs Dual N-Ch 24V Mosfet 0.98W PD 8Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V 757Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Diodes Incorporated Zinerio diodai 200MW 8.2V 1 818Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

ROHM Semiconductor Dvipoliai tranzistoriai – BJT TRANS GP BJT NPN 12V 1.5A 6PIN 2 484Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors TRANSISTOR NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A 2 513Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba Skaitmeniniai Transistors SM6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz 1 750Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000
Toshiba Skaitmeniniai Transistors Gen Trans PNP x 2 ES6, -50V, -100A 2 460Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Toshiba MOSFETs N-Ch FET 30V 1.6A 1V 500mW 2 770Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia Dvipoliai tranzistoriai – BJT BCM847BSH-Q/SOT363/SC-88 1 881Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia Skaitmeniniai Transistors PBLS4004Y/SOT363/SC-88 5 326Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Nexperia Skaitmeniniai Transistors PBLS6024D/SOT457/SC-74 397Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Vishay Semiconductors MOSFETs N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET 1 185Prieinamumas
2 500Tikėtina 2027-01-18
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 2 500

onsemi Skaitmeniniai Transistors 100mA 50V Dual PNP 3 999Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000