SiC Puslaidininkiai

Rezultatai: 2 068
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package 1 677Prieinamumas
750Tikėtina 2026-10-01
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

Microchip Technology MOSFET moduliai PM-MOSFET-SIC-BL3 3Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 60W 1700V 115Prieinamumas
600Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 300

Infineon Technologies SiC MOSFET SiC MOSFET, 750 V 6Prieinamumas
480Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 4 090Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 900


onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 2 235Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 14MOHM 1200V 857Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 30
: 800

Wolfspeed Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 7.5mO, 2300V, 48 mm, AlN GM4, Half-Bridge, Industrial, Pre-Applied TIM
270Tikėtina 2026-07-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20
: 800

Texas Instruments Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 10-A isol ated single-channel 3 695Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

APC-E SiC MOSFET 650V 50mR, TO-247-4L, Automotive Grade 266Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

APC-E SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade 290Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Texas Instruments Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės Automotive 3.0kVrms +/-10A single-chann A 595-UCC21759QDWQ1 7 173Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Tamura Gate Tvarkyklės GATE DRIVER (CORE, +15V/,-10V) 90Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7L 1 031Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 641Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 20


IXYS SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET 1 158Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1 404Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 30


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 422Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LEVEL SHIFT DRIVER 840Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC 1 145Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Wolfspeed Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai 1200V, 50A, SiC Six pack Module GEN 3 80Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed Diskrečiųjų Puslaidininkių Moduliai SiC, Module, 32mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Half-Bridge, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM 36Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Wolfspeed MOSFET moduliai SiC, Module, 21mohm, 1200V, 33.8 mm, FM3, Six-Pack, Industrial, Gen 3, Pre-Applied TIM 25Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY 784Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1