|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZA120R014M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
27,89 €
-
571Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R014M1HXK
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
571Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial
- C3M0060065D
- Wolfspeed
-
1:
8,29 €
-
270Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0060065D
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 60m, 650V, TO-247-3, Industrial
|
|
270Prieinamumas
|
|
|
8,29 €
|
|
|
4,45 €
|
|
|
4,10 €
|
|
|
3,95 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
- CDMS24783-120 SL
- Central Semiconductor
-
1:
24,62 €
-
40Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
610-CDM24783120SL
Naujas Produktas
|
Central Semiconductor
|
SiC MOSFET 18A,1200V Through-Hole MOSFET N-Channel SiC
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
- IMCQ120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,19 €
-
35Prieinamumas
-
2 250Tikėtina 2026-09-21
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMCQ120R078M2HXT
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
|
|
35Prieinamumas
2 250Tikėtina 2026-09-21
|
|
|
7,19 €
|
|
|
4,55 €
|
|
|
3,87 €
|
|
|
3,28 €
|
|
|
3,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
750
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
PG-HDSOP-22-U03
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
- C3M0075120D-A
- Wolfspeed
-
1:
7,53 €
-
118Prieinamumas
-
450Tikėtina 2026-10-30
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0075120D-A
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75m, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial
|
|
118Prieinamumas
450Tikėtina 2026-10-30
|
|
|
7,53 €
|
|
|
4,39 €
|
|
|
4,04 €
|
|
|
3,87 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R040M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,86 €
-
20Prieinamumas
-
2 640Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMW120R040M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
20Prieinamumas
2 640Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
20 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
720 Tikėtina 2026-08-27
240 Tikėtina 2026-10-01
240 Tikėtina 2026-10-08
1 440 Tikėtina 2026-10-15
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
11,86 €
|
|
|
9,04 €
|
|
|
7,53 €
|
|
|
6,70 €
|
|
|
6,35 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
- NXVF6532M3TG01
- onsemi
-
1:
21,16 €
-
95Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NXVF6532M3TG01
Specialus užsakymas gamykloje
|
onsemi
|
SiC MOSFET SiC Power MOSFET Module 650V, 32mohm H-Bridge
|
|
95Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
APM-16
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R20MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
92,19 €
-
102Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R20MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
102Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R30MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
23,47 €
-
289Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R30MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
289Prieinamumas
|
|
|
23,47 €
|
|
|
22,86 €
|
|
|
17,22 €
|
|
|
16,78 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R45MT17K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
32,91 €
-
117Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R45MT17K
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
117Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45m, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
- C3M0045065J1-TR
- Wolfspeed
-
1:
9,20 €
-
1Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-C3M0045065J1-TR
|
Wolfspeed
|
SiC MOSFET SiC, MOSFET 45m, 650V TO-263-7XL, T&R, Industrial
|
|
1Prieinamumas
|
|
|
9,20 €
|
|
|
5,11 €
|
|
|
4,85 €
|
|
|
4,52 €
|
|
|
4,52 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
- G3R160MT17D
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
17,27 €
-
5Prieinamumas
-
1 800Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
905-G3R160MT17D
|
GeneSiC Semiconductor
|
SiC MOSFET 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
|
|
5Prieinamumas
1 800Pagal užsakymą
Turime sandėlyje:
5 Galime išsiųsti iš karto
Pagal užsakymą:
600 Tikėtina 2027-01-08
1 200 Tikėtina 2027-02-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
26 Savaičių
|
|
|
17,27 €
|
|
|
14,01 €
|
|
|
9,56 €
|
|
|
8,86 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
- IMLT65R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
11,29 €
-
4 396Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMLT65R026M2HXTM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
|
|
4 396Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
796 Tikėtina 2026-09-02
3 600 Tikėtina 2027-05-06
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
11,29 €
|
|
|
7,87 €
|
|
|
6,34 €
|
|
|
5,92 €
|
|
|
5,92 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
- IMZA65R026M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13,11 €
-
1 920Tikėtina 2027-08-09
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA65R026M2HXKS
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
|
|
1 920Tikėtina 2027-08-09
|
|
|
13,11 €
|
|
|
8,48 €
|
|
|
7,39 €
|
|
|
7,28 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZA120R020M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
19,84 €
-
2 877Pagal užsakymą
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R020M1HXK
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 877Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
- SCT012H90G3AG
- STMicroelectronics
-
1:
20,06 €
-
998Tikėtina 2027-01-29
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-SCT012H90G3AG
|
STMicroelectronics
|
SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
|
|
998Tikėtina 2027-01-29
|
|
|
20,06 €
|
|
|
13,07 €
|
|
|
12,33 €
|
|
|
12,27 €
|
|
|
11,67 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
1 000
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
H2PAK-7
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
- IMZA120R053M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
9,12 €
-
1 440Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZA120R053M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
|
|
1 440Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
1 200 Tikėtina 2026-10-08
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
9,12 €
|
|
|
5,01 €
|
|
|
4,63 €
|
|
|
4,60 €
|
|
|
4,33 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
PG-TO247-4-U02
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
- IMZC120R040M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
10,41 €
-
1 992Pagal užsakymą
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IMZC120R040M2HXK
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
|
|
1 992Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
552 Tikėtina 2026-10-29
240 Tikėtina 2026-11-05
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
52 Savaičių
|
|
|
10,41 €
|
|
|
5,98 €
|
|
|
5,54 €
|
|
|
5,53 €
|
|
|
5,29 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXP075A040SL-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
11,27 €
-
600Tikėtina 2027-02-17
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXP075A040SL-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
600Tikėtina 2027-02-17
|
|
|
11,27 €
|
|
|
6,39 €
|
|
|
5,92 €
|
|
|
5,37 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247AD-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXP120A160SL-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
9,24 €
-
600Tikėtina 2027-01-20
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXP120A160SL-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
600Tikėtina 2027-01-20
|
|
|
9,24 €
|
|
|
5,13 €
|
|
|
4,74 €
|
|
|
4,13 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247AD-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXP120A250SE-T1GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
7,28 €
-
800Tikėtina 2027-01-20
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXP120A250SE-TGE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
800Tikėtina 2027-01-20
|
|
|
7,28 €
|
|
|
3,95 €
|
|
|
3,63 €
|
|
|
3,02 €
|
|
|
3,02 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXP120C040W-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
13,64 €
-
600Tikėtina 2027-02-17
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXP120C040W-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
600Tikėtina 2027-02-17
|
|
|
13,64 €
|
|
|
7,88 €
|
|
|
7,33 €
|
|
|
6,88 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247AD-3L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXPQ075A040SL-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
11,70 €
-
600Tikėtina 2027-02-17
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXPQ075A040SL-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
600Tikėtina 2027-02-17
|
|
|
11,70 €
|
|
|
6,66 €
|
|
|
6,17 €
|
|
|
5,63 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
SiC MOSFETS
|
|
Through Hole
|
TO-247AD-4L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXPQ120A063SE-1GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
9,86 €
-
800Tikėtina 2026-11-18
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXPQ120A063SE-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
800Tikėtina 2026-11-18
|
|
|
9,86 €
|
|
|
5,51 €
|
|
|
5,31 €
|
|
|
4,51 €
|
|
|
4,51 €
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
- MXPQ120A080SE-1GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
7,16 €
-
800Tikėtina 2026-11-18
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
78-MXPQ120A080SE-GE3
Naujas Produktas
|
Vishay / Siliconix
|
SiC MOSFET 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
|
|
800Tikėtina 2026-11-18
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
800
|
|
SiC MOSFETS
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7L
|
N-Channel
|
|
