GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 680
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS
Infineon Technologies GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
Duomenų Lapas
2 345Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
Duomenų Lapas
3 105Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 75m, DPAK
Duomenų Lapas
2 440Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
: 250

onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 75m, 8x8
Duomenų Lapas
2 463Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 246
: 250

onsemi GaN FET GaN FET, 700V,101m, 8x8
Duomenų Lapas
2 472Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 248
: 250

onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, 8x8
Duomenų Lapas
2 500Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
: 250

onsemi NCP1568G03DBR2G
onsemi Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai ACTIVE CLAMP FLYBACK
Duomenų Lapas
2 322Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

onsemi NCP1568G04DBR2G
onsemi Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai ACTIVE CLAMP FLYBACK
Duomenų Lapas
2 418Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
Duomenų Lapas
110Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3411R150RWHR
Duomenų Lapas
140Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR
Duomenų Lapas
37Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
728Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN FET 100 V, 1.1 mOhm typ., 474 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
341Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
792Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 100
: 3 000

STMicroelectronics GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
552Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

STMicroelectronics GaN FET 100 V, 2.9 mOhm typ., 201 A, e-mode PowerGaN transistor
Duomenų Lapas
350Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

STMicroelectronics Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Duomenų Lapas
699Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 650V 170mohm GaN FET with integrated dri
Duomenų Lapas
1 800Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
Duomenų Lapas
2 834Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000
onsemi GaN FET GaN FET, 700V, 132m, DPAK
Duomenų Lapas
2 490Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 249
: 250

EPC Gate Tvarkyklės Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
Duomenų Lapas
6 474Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

EPC GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
Duomenų Lapas
19 891Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5
Duomenų Lapas
3 814Prieinamumas
2 000Tikėtina 2026-12-14
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Nexperia GaN FET GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Duomenų Lapas
2 405Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500