|
|
GaN FET GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
- CGH27030P
- MACOM
-
1:
123,95 €
-
48Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH27030P
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT VHF-3.0GHz, 30 Watt
|
|
48Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
- CGH55030F1
- MACOM
-
1:
206,22 €
-
18Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-CGH55030F1
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
|
|
18Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7146UXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,688 €
-
3 185Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN7146UXTSA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
3 185Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
- 1EDN7126GXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
0,671 €
-
3 313Prieinamumas
-
NRND
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-1EDN7126GXTMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS
|
|
3 313Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G03DBR2G
- NCP1568G03DBR2G
- onsemi
-
1:
1,57 €
-
2 309Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP1568G03DBR2G
Netinkama eksploatuoti
|
onsemi
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2 309Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai ACTIVE CLAMP FLYBACK
onsemi NCP1568G04DBR2G
- NCP1568G04DBR2G
- onsemi
-
1:
4,09 €
-
2 418Prieinamumas
-
Netinkama eksploatuoti
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NCP1568G04DBR2G
Netinkama eksploatuoti
|
onsemi
|
Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai ACTIVE CLAMP FLYBACK
|
|
2 418Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
2 500
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
- STDRIVEG612QTR
- STMicroelectronics
-
1:
3,29 €
-
852Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
511-STDRIVEG612QTR
Naujas Produktas
|
STMicroelectronics
|
Gate Tvarkyklės High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
|
|
852Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
- IGI60L1111B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
5,84 €
-
2 646Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L1111B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Drive HB 600 V G5
|
|
2 646Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L1414B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
7,02 €
-
2 940Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L1414B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 140 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2 940Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L2727B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,99 €
-
2 460Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L2727B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 270 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2 460Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
- IGI60L5050B1MXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
3,13 €
-
2 620Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGI60L5050B1MXUM
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET 500 mohm / 600 V GaN transistor in half-bridge configuration with integrated level-shift gate driver and bootstrap diode
|
|
2 620Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
3 000
|
|
|
|
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
- IGK048B041SXTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
2,00 €
-
3 453Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
726-IGK048B041SXTSA1
Naujas Produktas
|
Infineon Technologies
|
GaN FET CoolGaN Bidirectional Switch
|
|
3 453Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
4 000
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
- NTD100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
2,80 €
-
1 936Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTD100N70GN1TXG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
|
|
1 936Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
- NTD170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
2,08 €
-
1 983Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTD170N70GN1TXG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN TO252/DPAK
|
|
1 983Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT100N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
3,04 €
-
1 954Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTMT100N70GN1TXG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 700V 75MR TYP 100MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
1 954Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT130N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
2,77 €
-
2 472Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTMT130N70GN1TXG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 700V 101MR TYP 130MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2 472Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
- NTMT170N70GN1TXG
- onsemi
-
1:
2,44 €
-
2 500Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-NTMT170N70GN1TXG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 700V 132MR TYP 170MR MAX LGAN IN DFN 8X8
|
|
2 500Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 25
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL
- NTLCC5D0N10GN1TWG
- onsemi
-
1:
3,99 €
-
1 750Prieinamumas
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
863-TLCC5D0N10GN1TWG
Naujas Produktas
|
onsemi
|
GaN FET 100V 5MR LGAN IN 3.3X3.3 LGA DUAL COOL
|
|
1 750Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 250
:
2 500
|
|
|
|
|
GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362802FC-V1-R0
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTRA362802FCV1R0
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
RF Stiprintuvas GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
- MAPC-A1501-AS000
- MACOM
-
1:
524,39 €
-
13Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
937-MAPC-A1501-AS000
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
RF Stiprintuvas GaN Amplifier 65 V, 1300 W 960 - 1215 MHz
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262711FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
121,01 €
-
17Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTVA262711FAV2R0
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
17Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA364002FC-V1-R0
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTRA364002FCV1R0
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
- GTVA262701FA-V2-R0
- MACOM
-
1:
176,79 €
-
53Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTVA262701FAV2R0
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
|
|
53Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
50
|
|
|
|
|
GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
- GTRA362002FC-V1-R0
- MACOM
-
Ribotas Prieinamumas
-
Specialus užsakymas gamykloje
|
„Mouser“ Dalies Nr.
941-GTRA362002FCV1R0
Specialus užsakymas gamykloje
|
MACOM
|
GaN FET 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
Šiuo metu „Mouser“ neparduoda šio produkto jūsų regione.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Gate Tvarkyklės 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
- LMG3410R150RWHT
- Texas Instruments
-
1:
10,86 €
-
110Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
595-LMG3410R150RWHT
|
Texas Instruments
|
Gate Tvarkyklės 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR
|
|
110Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
:
250
|
|
|