GaN Puslaidininkiai

Rezultatai: 680
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt 140Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 60 W (85-265 VAC) 1 323Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 90 W (85-265 VAC) 1 508Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Texas Instruments Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 3.0kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21220AD 982Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas .03-2.5GHz 10W GaN Sm Sig. Gain 19dB
50Prieinamumas
Min.: 25
Daugkart.: 25

Qorvo GaN FET 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 65 W (85-265 VAC) 4 780Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt

Qorvo GaN FET DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN 123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Qorvo RF Stiprintuvas 2-18GHz PAE>20% SSG 22dB GaN
10Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

MACOM RF Stiprintuvas GaN MMIC Power Amp 28V 5.2-5.9GHz 50W
10Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Texas Instruments Gate Tvarkyklės 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZR 606Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 250

Texas Instruments Galvaniškai Izoliuotos Gate Tvarkyklės 3.0kVrms 4A/6A dual -channel isolated ga A 595-UCC21220D 1 969Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Qorvo RF Stiprintuvas 20 TO 40 GHZ, 8W MMIC PA DOT
10Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 65 W (85-265 VAC) 3 771Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

CML Micro RF Stiprintuvas 2.4 2.7 GHz 10W High Efficiency GaN Linear Power Amplifier 60Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 10

MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 30 Watt 30Prieinamumas
Min.: 10
Daugkart.: 10

Qorvo GaN FET DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN 4Prieinamumas
25Tikėtina 2027-01-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Qorvo GaN FET DC-2.7GHz,150W,65VGaNRFTr 3Prieinamumas
100Tikėtina 2026-11-11
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

Qorvo GaN FET DC-3.6GHz GaN 90W 48V 10Prieinamumas
100Tikėtina 2026-10-21
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 100

Qorvo GaN FET DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN 32Prieinamumas
50Tikėtina 2026-10-19
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 3 334Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 4 000

Power Integrations Kintamosios srovės / nuolatinės srovės keitikliai 85 W (85-265 VAC) 1 810Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000