MOSFETs Tranzistoriai

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 149
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2
Duomenų Lapas
259Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
Duomenų Lapas
538Prieinamumas
240Tikėtina 2027-05-27
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
Duomenų Lapas
213Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
Duomenų Lapas
992Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Duomenų Lapas
105Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Duomenų Lapas
341Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2
Duomenų Lapas
352Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole PG-TO247-4-U02 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Duomenų Lapas
535Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Duomenų Lapas
554Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Duomenų Lapas
1 377Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Duomenų Lapas
336Prieinamumas
240Tikėtina 2026-11-12
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Duomenų Lapas
961Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Duomenų Lapas
677Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Duomenų Lapas
790Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L N-Channel
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO267-7L
Duomenų Lapas
760Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7L N-Channel
IXYS SiC MOSFET 1200V 80mohm (40A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Duomenų Lapas
394Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
IXYS SiC MOSFET 1200V 30mohm (80A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L
Duomenų Lapas
292Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO263 1.2KV 40A N-CH SIC
Duomenų Lapas
984Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000
SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7LA N-Channel
Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263-
Duomenų Lapas
477Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Duomenų Lapas
1 006Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 20mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Duomenų Lapas
179Prieinamumas
270Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 40mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Duomenų Lapas
50Prieinamumas
30Tikėtina 2026-08-28
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
SemiQ SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L
Duomenų Lapas
135Prieinamumas
60Tikėtina 2026-08-14
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4L N-Channel
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Duomenų Lapas
409Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Duomenų Lapas
571Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel