Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 28
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 792Prieinamumas
148 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 4 000
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 2 932Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm 20Prieinamumas
12 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Darlington tranzistoriai SS Mid-Perf Transistor 10 558Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 450Prieinamumas
25 000Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 000
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 32V PNP Trans -40V 10W -32V VCEO -2A 6 976Prieinamumas
5 000Tikėtina 2026-09-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 45V PNP SS Trans Vcbo -50V 350mW 326Prieinamumas
18 000Tikėtina 2026-09-04
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT General Purpose Transistor 264Prieinamumas
27 000Tikėtina 2026-07-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 020
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor 3 585Prieinamumas
87 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 090
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Gen Purp Trans 4 939Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 600
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 400V NPN High Volt 225mA 1A 100mA 167Prieinamumas
15 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 100V NPN Med PWR 1A Ic 2A Icm 500mW 939Prieinamumas
18 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 400V PNP High Volt 500mW -150mA 303Prieinamumas
9 000Tikėtina 2026-07-31
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Hi Voltage Transistor 6 913Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 420
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V PNP Med PWR 350mOhm -500mV -1A 1 938Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-07-15
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 510
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 100V PNP High PWR Ic -1A Icm -2A 4 002Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 470
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 40V PNP Low Sat 625mW -1.5A Cont 1 155Prieinamumas
3 000Tikėtina 2026-07-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 370
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 3 362Prieinamumas
9 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 160
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A 56Prieinamumas
2 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 160
: 1 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT Pwr Mid Perf Transistor 1 968Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT NPN Small Sig Trans 60Vcbo 60Vceo 4.0V 23 097Prieinamumas
135 000Tikėtina 2026-07-22
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 6 000
: 3 000


Diodes Incorporated Gate Tvarkyklės 10A Gate Driver 40V 9.5ns 527Prieinamumas
30 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 3 000
: 3 000

Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT 100V NPN High Gain 180V 85mOhm 391Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000


Diodes Incorporated Linijiniai įtampos reguliatoriai Transistor Array 5 512Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 420
: 3 000


Diodes Incorporated Dvipoliai tranzistoriai – BJT SS Low Sat Transistor 9Prieinamumas
80 000Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
Maks.: 1 740
: 10 000