CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ Automotive 1200V G1 SiC Trench MOSFETs offer increased power density, higher efficiency, and improved reliability. The granular portfolio features 1200V SiC MOSFETs in TO-247-3pin, TO-247-4pin, and D2PAK-7pin packages with an RDS(on) ranging from 8.7mΩ to 160mΩ, and ID at +25°C, maximum of 17A to 205A. High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities, and significant reductions in system costs make the Infineon Technologies 1200V Automotive CoolSiC™ MOSFET Modules an ideal choice for onboard charger and DC-DC applications. The TO- and SMD components also come with Kelvin-source pins for optimized switching performance.

Tranzistorių tipai
Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 30
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr.
 Gam.
Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.
Qty. RoHS Gaminio tipas
Technologijos
Montavimo stilius
Pakuotė / Korpusas
Tranzistoriaus poliškumas
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
736Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
2 336Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
2 899Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Duomenų Lapas
27Prieinamumas
2 250Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET Tailored to address OBC/DC-DC applications for 800V Automotive architecture
Duomenų Lapas
146Prieinamumas
750Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
459Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
675Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
899Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
898Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
1 600Prieinamumas
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si SMD/SMT
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
893Prieinamumas
3 000Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 1200 V
Duomenų Lapas
851Prieinamumas
3 750Pagal užsakymą
„MouseReel“ galima
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
464Prieinamumas
750Tikėtina 2027-01-28
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
2 128Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PG-HDSOP-22-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
152Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
445Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
123Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
121Prieinamumas
240Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
139Prieinamumas
240Tikėtina 2026-08-20
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
173Prieinamumas
480Tikėtina 2026-11-05
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
26Prieinamumas
240Tikėtina 2026-10-15
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
3 500Pagal užsakymą
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1 000
Daugkart.: 1 000
: 1 000

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE
Duomenų Lapas
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 52 Savaičių
Min.: 1
Daugkart.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel