CoolSiC™ MOSFETs 650V

Infineon Technologies CoolSiC™ MOSFETs 650V combines the physical strength of silicon carbide with features amplifying device performance, reliability, and ease of use. With its state-of-the-art trench semiconductor process, the CoolSiC™ MOSFET delivers the lowest losses in the application and the highest reliability in operation. CoolSiC is the perfect fit for use in high-temperature and harsh environment applications.

Puslaidininkių tipai

Pakeisti kategorijos rodinį
Rezultatai: 40
Pasirinkite Vaizdas Dalies Nr. Gam. Aprašymas Duomenų Lapas Prieinamumas Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu. Qty. RoHS
Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 8 222Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 6 953Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 653Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 432Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 753Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 578Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 019Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000



Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 861Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 2 583Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 434Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 91Prieinamumas
1 200Tikėtina 2026-08-17
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 335Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 12 072Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 644Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 1 776Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies Gate Tvarkyklės LOW SIDE DRIVERS 5 652Prieinamumas
6 000Tikėtina 2026-08-17
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 3 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 671Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 1 000

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 1 224Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 132Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 567Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 396Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000

Infineon Technologies MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET 1 934Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 000



Infineon Technologies Gate Tvarkyklės ISOLATED DRIVER 1 032Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1
: 2 500

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 55Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1

Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET 312Prieinamumas
Min.: 1
Daugkart.: 1