{Raktažodis} {Gamintojas} {Pavadinimas} {Serija} {Dalis} {Patikslinimai} {Šablonas} {Subkategorija}

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 650 V G2 MOSFET naudoja silicio karbido našumo galimybes, nes leidžia sumažinti energijos nuostolius, o tai lemia didesnį efektyvumą konvertuojant energiją. Infineon CoolSiC 650 V G2 MOSFET suteikia privalumų įvairiose galios puslaidininkių srityse, pavyzdžiui, fotovoltiniuose įrenginiuose, energijos kaupikliuose, DC elektromobilių įkrovimo sistemose, variklių pavarose ir pramoniniuose maitinimo šaltiniuose. DC greitojo įkrovimo stotelė elektromobiliams su CoolSiC G2 užtikrina iki 10 % mažesnius energijos nuostolius nei ankstesnės kartos stotelės, o įkrovimo pajėgumas yra didesnis nekeičiant formos.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Rezultatai: 53

Taikyti filtrai:

Montavimo stilius

Pakuotė / Korpusas

Kanalų skaičius

Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa

svar. – nuolatinio išleidimo srovė

RDS On - Drain-Source Varža

Vgs - užtūros-šaltinio įtampa

Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa

Qg – vartų krūvis

Minimali darbinė temperatūra

Didžiausia darbinė temperatūra

Pd - skaidos galia

Kanalas Mode

Prekinis pavadinimas

Nustatyti Viską Iš Naujo

Paieška rezultatuose

Prieinamumas

Įprastai sandėliuojama

Aktyvus

Nauji produktai

Atitinka PMNA

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Vaizdas	Dalies Nr.	Gam.	Aprašymas	Duomenų Lapas	Prieinamumas	Kainodara (EUR) Filtruokite lentelėje pateiktus rezultatus pagal vieneto kainą, remdamiesi kiekiu.	Qty.	Montavimo stilius	Pakuotė / Korpusas	Kanalų skaičius	Vds - nutekėjimo-šaltinio pramušimo įtampa	svar. – nuolatinio išleidimo srovė	RDS On - Drain-Source Varža	Vgs - užtūros-šaltinio įtampa	Vgs th - užtūros-šaltinio slenkstinė įtampa	Qg – vartų krūvis	Minimali darbinė temperatūra	Didžiausia darbinė temperatūra	Pd - skaidos galia	Kanalas Mode	Prekinis pavadinimas
SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling IMLT65R033M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 9,80 € 849Prieinamumas 1 800Tikėtina 2027-06-03	Gam. dalies Nr. IMLT65R033M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R033M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	849Prieinamumas 1 800Tikėtina 2027-06-03	Pjaunama Juosta 9,80 € 5,48 € 5,26 € 4,98 € Ritė 4,98 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT		1 Channel	650 V	68 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	312 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,15 € 1 758Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMLT65R040M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R040M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 758Prieinamumas	Pjaunama Juosta 8,15 € 4,60 € 4,24 € 4,09 € 3,77 € Ritė 3,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		40 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 7,17 € 1 818Prieinamumas 1 800Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMLT65R050M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R050M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 818Prieinamumas 1 800Pagal užsakymą	Pjaunama Juosta 7,17 € 3,99 € 3,66 € 3,55 € 3,17 € Ritė 3,17 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		50 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,20 € 1 727Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMLT65R060M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R060M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	1 727Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,20 € 3,32 € 3,04 € 2,88 € 2,72 € Ritė 2,72 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		60 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R050M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,97 € 2 042Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMTA65R050M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R050M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 042Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,97 € 3,78 € 3,47 € 3,32 € 2,97 € Ritė 2,97 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			50 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 IMW65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 22,16 € 238Prieinamumas 240Tikėtina 2026-11-30	Gam. dalies Nr. IMW65R010M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R010M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	238Prieinamumas 240Tikėtina 2026-11-30	22,16 € 14,07 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	130 A	13.1 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	440 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 IMW65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,81 € 718Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMW65R026M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R026M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	718Prieinamumas	12,81 € 7,21 € 7,06 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	64 A	33 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,08 € 999Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMW65R040M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R040M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	999Prieinamumas	9,08 € 5,92 € 5,35 € 4,51 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	46 A	49 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	172 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,80 € 627Prieinamumas 720Tikėtina 2026-11-19	Gam. dalies Nr. IMW65R050M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R050M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	627Prieinamumas 720Tikėtina 2026-11-19	7,80 € 4,56 € 4,21 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 Maks.: 240	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	38 A	62 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	153 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 IMZA65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,38 € 3 016Prieinamumas 15 840Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZA65R033M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R033M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	3 016Prieinamumas 15 840Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA65R033M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 3 016 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 3 600 Tikėtina 2026-11-30 3 120 Tikėtina 2027-08-05 9 120 Tikėtina 2027-10-07 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	11,38 € 6,85 € 5,97 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	53 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMLT65R015M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 16,53 € 14Prieinamumas 3 600Tikėtina 2026-12-10	Gam. dalies Nr. IMLT65R015M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMLT65R015M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	14Prieinamumas 3 600Tikėtina 2026-12-10	Pjaunama Juosta 16,53 € 11,58 € 10,90 € 9,71 € 9,19 € Ritė 9,07 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 1 800	SMD/SMT	TOLT-16	1 Channel	650 V		15 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R020M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,41 € 15Prieinamumas 1 440Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMW65R020M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R020M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	15Prieinamumas 1 440Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMW65R020M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 15 Galime išsiųsti iš karto Pagal užsakymą: 240 Tikėtina 2027-07-29 1 200 Tikėtina 2027-08-05 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	15,41 € 8,78 € 8,32 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	83 A	24 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	273 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 IMW65R033M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 11,11 € 199Prieinamumas "Mouser Naujiena"	Gam. dalies Nr. IMW65R033M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R033M2HXKSA "Mouser Naujiena"	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	199Prieinamumas	11,11 € 6,16 € 5,87 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	53 A	41 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	194 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R007M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 30,13 € 6Prieinamumas 720Tikėtina 2027-10-07	Gam. dalies Nr. IMZA65R007M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R007M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	6Prieinamumas 720Tikėtina 2027-10-07	30,13 € 21,02 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	210 A	8.5 mOhms	- 18 V, + 18 V	5.6 V	439 nC	- 55 C	+ 175 C	625 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R050M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,65 € 185Prieinamumas 240Tikėtina 2027-08-05	Gam. dalies Nr. IMZA65R050M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R050M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	185Prieinamumas 240Tikėtina 2027-08-05	8,65 € 4,67 € 4,32 € 4,23 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	38 A	62 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	22 nC	- 55 C	+ 175 C	153 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 IMZA65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,94 € 294Prieinamumas 240Tikėtina 2027-06-03	Gam. dalies Nr. IMZA65R060M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R060M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	294Prieinamumas 240Tikėtina 2027-06-03	7,94 € 5,09 € 3,91 € 3,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	32.8 A	73 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R060M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 6,44 € 10Prieinamumas	Gam. dalies Nr. IMTA65R060M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R060M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	10Prieinamumas	Pjaunama Juosta 6,44 € 3,83 € 3,24 € 2,89 € 2,64 € Ritė 2,64 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			60 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R075M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 6,99 € 2Prieinamumas 240Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMZA65R075M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R075M2HXKS Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2Prieinamumas 240Pagal užsakymą	6,99 € 3,70 € 3,40 € 3,19 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	26.6 A	95 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	14.9 nC	- 55 C	+ 175 C	111 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R015M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 16,36 € 4 000Pagal užsakymą Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R015M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R015M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	4 000Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMT65R015M2HXUMA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 2 000 Tikėtina 2027-04-29 2 000 Tikėtina 2027-05-20 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	Pjaunama Juosta 16,36 € 12,21 € 10,56 € 10,00 € 9,47 € Ritė 9,47 € „MouseReel“ galima	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	131 A	18 mOhms	- 7 V to 23 V	4.5 V	148 nC	- 55 C	+ 175 C	535 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMT65R040M2HXUMA1 Infineon Technologies 1: 8,17 € 3 972Tikėtina 2027-06-24 Naujas Produktas	Gam. dalies Nr. IMT65R040M2HXUMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMT65R040M2HXUMA Naujas Produktas	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	3 972Tikėtina 2027-06-24	Pjaunama Juosta 8,17 € 5,58 € 4,61 € 4,11 € 3,88 € Ritė 3,88 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	HSOF-8	1 Channel	650 V	58.7 A	49 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	277 W	Enhancement
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 IMZA65R026M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 13,14 € 2 313Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZA65R026M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R026M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 313Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA65R026M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 1 833 Tikėtina 2027-08-05 480 Tikėtina 2027-10-07 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	13,14 € 8,78 € 7,62 € 7,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	64 A	33 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	42 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R040M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 9,84 € 15 600Tikėtina 2027-06-17	Gam. dalies Nr. IMZA65R040M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R040M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	15 600Tikėtina 2027-06-17	9,84 € 5,54 € 4,97 € 4,77 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	46 A	49 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.6 V	28 nC	- 55 C	+ 175 C	172 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMTA65R040M2HXTMA1 Infineon Technologies 1: 8,11 € 2 000Tikėtina 2026-11-26	Gam. dalies Nr. IMTA65R040M2HXTMA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMTA65R040M2HXTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 000Tikėtina 2026-11-26	Pjaunama Juosta 8,11 € 4,43 € 4,07 € 4,02 € 3,79 € Ritė 3,55 €	Min.: 1 Daugkart.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel			40 mOhms							Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 IMW65R060M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,76 € 2 862Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMW65R060M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMW65R060M2HXKSA	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	2 862Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMW65R060M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 462 Tikėtina 2027-08-05 2 400 Tikėtina 2027-09-23 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	7,76 € 4,15 € 3,74 € 3,61 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	32.8 A	73 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	19 nC	- 55 C	+ 175 C	130 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 IMZA65R010M2HXKSA1 Infineon Technologies 1: 23,68 € 719Pagal užsakymą	Gam. dalies Nr. IMZA65R010M2HXKSA1 „Mouser“ Dalies Nr. 726-IMZA65R010M2HXKS	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 10 mohm G2 Sužinokite Daugiau apie Infineon Technologies infineon coolsic 650v g2 mosfets	Duomenų Lapas	719Pagal užsakymą Pagal užsakymą gaminamų produktų siuntimo datos Mfr. #: IMZA65R010M2HXKSA1 Turime sandėlyje: 0 Pagal užsakymą: 479 Tikėtina 2027-07-22 240 Tikėtina 2027-09-16 Gamintojo numatytas pristatymo laikas 52 Savaičių	23,68 € 16,80 € 15,28 €	Min.: 1 Daugkart.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	144 A	13.1 mOhms	- 10 V, + 25 V	5.6 V	112 nC	- 55 C	+ 175 C	440 W	Enhancement	CoolSiC