|
|
Diodų moduliai SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
- GHXS030A060S-D1E
- SemiQ
-
1:
28,85 €
-
8Prieinamumas
-
10Tikėtina 2026-09-25
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS030A060S-D1E
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD Rectifier Bridge Power Module 600V 30A
|
|
8Prieinamumas
10Tikėtina 2026-09-25
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
- GHXS050B065S-D3
- SemiQ
-
1:
27,55 €
-
4Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS050B065S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD 650V 50A SiC Power Modules
|
|
4Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
- GHXS100B065S-D3
- SemiQ
-
1:
34,47 €
-
20Prieinamumas
-
30Tikėtina 2026-10-21
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS100B065S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD 650V 100A SiC Power Modules
|
|
20Prieinamumas
30Tikėtina 2026-10-21
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
- GP2T040A120U
- SemiQ
-
1:
13,66 €
-
2Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T040A120U
|
SemiQ
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3L
|
|
2Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky 1700V 103nC 10A
- GP3D010A170B
- SemiQ
-
1:
7,63 €
-
110Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D010A170B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky 1700V 103nC 10A
|
|
110Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky 1700V 203nC 20A
- GP3D020A170B
- SemiQ
-
1:
10,29 €
-
47Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D020A170B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky 1700V 203nC 20A
|
|
47Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
- GP3D030A065B
- SemiQ
-
1:
5,62 €
-
20Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D030A065B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 30A 650V TO-247-2
|
|
20Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
- GP3D050A120B
- SemiQ
-
1:
11,67 €
-
40Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D050A120B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 1200V 50A TO-247-2
|
|
40Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
- GP2T040A120H
- SemiQ
-
1:
13,67 €
-
13Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T040A120H
|
SemiQ
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mohm TO-247-4L
|
|
13Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET
- GP2T080A120U
- SemiQ
-
1:
6,64 €
-
36Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T080A120U
|
SemiQ
|
SiC MOSFET
|
|
36Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 6A 650V
- GP3D006A065A
- SemiQ
-
1:
2,38 €
-
120Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D006A065A
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 6A 650V
|
|
120Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
- GP3D010A120A
- SemiQ
-
1:
4,03 €
-
22Prieinamumas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D010A120A
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 10A 1200V TO-220
|
|
22Prieinamumas
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
- GHXS100B120S-D3
- SemiQ
-
1:
42,04 €
-
1 634Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS100B120S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules
|
|
1 634Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
604 Laukiama
1 030 Tikėtina 2026-09-25
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
7 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
- GP2T080A120H
- SemiQ
-
1:
7,11 €
-
2 130Tikėtina 2026-12-28
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T080A120H
|
SemiQ
|
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 80mohm TO-247-4L
|
|
2 130Tikėtina 2026-12-28
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai 1200V SiC MOSFET Power Module
- GCMX040B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
28,04 €
-
30Tikėtina 2026-10-02
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX040B120S1-E1
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai 1200V SiC MOSFET Power Module
|
|
30Tikėtina 2026-10-02
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
- GHXS050B170S-D3
- SemiQ
-
1:
36,15 €
-
30Tikėtina 2026-09-24
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS050B170S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC 1700V 50A Schottky Diode Module
|
|
30Tikėtina 2026-09-24
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai 1200V, 60A, SOT-227 diode module
- GHXS060A120S-D3
- SemiQ
-
1:
44,58 €
-
5Tikėtina 2026-09-25
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS060A120S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai 1200V, 60A, SOT-227 diode module
|
|
5Tikėtina 2026-09-25
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
- GP2T020A120H
- SemiQ
-
1:
18,96 €
-
30Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP2T020A120H
|
SemiQ
|
SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
|
|
30Pagal užsakymą
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
- GP3D030A120B
- SemiQ
-
1:
16,28 €
-
40Pagal užsakymą
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3D030A120B
|
SemiQ
|
SiC SCHOTTKY diodai SiC Schottky Diode 30A 1200V TO-247-2
|
|
40Pagal užsakymą
Pagal užsakymą:
10 Tikėtina 2026-10-02
30 Tikėtina 2026-10-16
Gamintojo numatytas pristatymo laikas
24 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227
- GCMX020B120S1-E1
- SemiQ
-
1:
35,24 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX020B120S1-E1
|
SemiQ
|
MOSFET moduliai SiC 1200V 20mohm MOSFET SOT-227
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 3 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SemiQ 1700V SiC Mosfet Power Module
- GCMX030A170S1-E1
- SemiQ
-
1:
35,13 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GCMX030A170S1-E1
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SemiQ 1700V SiC Mosfet Power Module
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
Diodų moduliai SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
- GHXS030A120S-D3
- SemiQ
-
1:
29,99 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GHXS030A120S-D3
|
SemiQ
|
Diodų moduliai SiC SBD Parallel Power Module 1200V 30A
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 4 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
- GP3T014A120H
- SemiQ
-
1:
12,31 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T014A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SemiQ Gen3 1200V 14m SiC MOSFET TO-247-4L
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L
- GP3T017A120H
- SemiQ
-
1:
11,22 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T017A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SemiQ Gen3 1200V 17m SiC MOSFET TO-247-4L
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|
|
|
SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L
- GP3T034A120H
- SemiQ
-
1:
7,60 €
-
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
-
Naujas Produktas
|
„Mouser“ Dalies Nr.
148-GP3T034A120H
Naujas Produktas
|
SemiQ
|
SemiQ Gen3 1200V 34m SiC MOSFET TO-247-4L
|
|
Ne Sandėlyje Esančių Prekių Pristatymo Laikas 12 Savaičių
|
|
Min.: 1
Daugkart.: 1
|
|
|